用(γ,n)反应生产放射性药物^(123)I的研究

从理论和实验上对光核反应生成放射性药物~１２３Ｉ进行了研究，给出了有关^(１２４)Ｘｅ（γ，ｎ）^(１２３)Ｘｅ→^(１２３)Ｉ的理论计算公式和计算结果。描述了利用合肥国家同步辐射实验室２００ＭｅＶ电子直线加速器的束流和在其末端建立的实验装置。文中给出了实验得到的反应产物的放射性活度、γ射线的谱图以及化学纯度分析结果。实验结果表明：若用纯的^(１２４)Ｘｅ进行生产，在该加速器上经两个半小时照射，将可得到１８．５ＧＢｑ以上的^(１２３)Ｉ药物。

新型软开关高压脉冲电容恒流充电技术分析

介绍了新型软开关脉冲电容充电技术 ,其基本电路采用串联谐振拓扑 ,具备零电流开关、恒流充电、内在短路保护等优点。导出了该基本电路重要参数的计算公式。仿真了一个 1 6k J/ s充电电源的波形。在重复频率较高、负载电容容量偏小时的不利情况下 ,在基本恒流电路的基础上 ,探讨了几种改善充电电压稳定性的途径 。

基于对数比电路的HLS turn-by-turn系统

较详细地介绍了合肥光源逐圈束流位置测量 (turn- by- turn)系统设计思想和理论分析。该系统是为了判定二期工程升级后的注入系统的注入效率和 Damping率 ,研究 Beta振荡和轨迹瞬时变化以及其他束流动力学问题如工作点变化等的研究而研制。选择了新近受到广泛重视的对数比电路服务束流瞬时位置信号的处理。利用工作在 2 0 4MHz的对数比电路完成被激励束的 turn- by- turn位置测量和相空间检测。给出了该系统各部分性能和理论分析结果 ,介绍了快速多通道 ADC在该系统的数据获取中的应用。

方波馈电的高压倍压整流电路打火机理分析

高压倍压整流器常常应用于电子帘加速器等系统的加速级中,如果倍压整流系统的馈入电压采用方波通过脉冲变压器初步升压再进行倍压整流,方波中包含的某些频率成份可能与由变压器漏感和充电电容构成的串联谐振回路产生谐振,激起瞬间高压,从而产生打火现象或击穿二极管、电容等器件,文章分析了一种高压倍压整流器馈入为方波倍压整流时打火的机理,并介绍了用串联谐振升压变换器作为充电电源的方案。

高能原电子能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系

提出有效真二次电子发射系数的概念,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系,然后用实验数据证明了该理论的正确性,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论:不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时,它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量之积近似为一个常量,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。

辐照食品直线加速器电子枪设计

本文介绍了中国科技大学国家同步辐射实验室研发的一台食品辐照保鲜用直线加速器中电子枪的设计。通过枪体内电磁场模拟计算、优化电子枪形状、并且在考虑空间电荷效应情况下对电子束发射过程进行模拟,得到了满足设计要求的束斑尺寸。另外对电子枪的加工和调试过程也进行了介绍,通过电子枪高压老炼及出束实验表明,其各项参数性能均达到设计要求。另外对直线加速器螺线管聚焦线圈漏场对束流的影响也作了讨论,采用相应措施可增加磁屏蔽,减小漏场影响,保证束流品质。

微秒脉冲电流的测量

简要介绍Rogowsik线圈的测量原理，给出了测量系统的构成和测量结果。测量结果表明：采用谐振逆变电源作充电器和采用阐流管作放电回路主开关，使得脉冲发生器具有脉冲放电幅度晃动小等优点。

冲击磁铁脉冲调制器的谐振开关高压充电电路及数值模拟

介绍了一种新颖的专为电子储存环冲击磁铁脉冲调制器而设计的高压充电电路，该电路采用了零电流谐振开关变换技术及一种简单可靠的充电电压控制方式。建立了该电路的数值仿真模型，分析了在高压脉冲电容作为变换器负载条件下的充电电路的瞬态特性，仿真结果表明设计电路能够达到所要求的幅值精度及重复频率，进一步探讨了提高充电重复频率的途径。

工业辐照加速器扫描磁铁电源的研制

分析了工业辐照加速器扫描磁铁的三角波励磁电流的选取。介绍了一种输出电流峰-峰值20A、扫描频率为20～50Hz的连续三角波的工业辐照加速器扫描磁铁电源。阐述了三角波调制器的原理、三角波线性度、基于单片机的控制系统以及其在工业辐照环境下采取的抗干扰措施。理论和应用均表明该设计具有很好的辐照均匀度。

辐照加速器扫描磁铁电源的研制

介绍了科大创新工业辐照加速器中扫描磁铁电源的研制方案,包括三角波励磁电流线性度的考虑,三角波调制器的原理以及基于单片机的控制系统和工业辐照环境下软硬件方面所采取的抗干扰措施,介绍了一种输出电流峰–峰值20A、扫描频率为50Hz的连续三角波的工业辐照加速器扫描磁铁电源的基本原理与设计考虑。

2kW行波加速器加速管冷却系统的数值优化设计

利用工程设计分析软件I DEAS,对高功率加速管的冷却系统进行了计算机辅助设计研究,并通过对不同冷却条件下加速管的温度场、冷却系统的冷却效果进行的数值模拟,实现了加速管冷却系统的优化设计。这可为高束流功率低能电子直线加速器的设计提供参考。

合肥光源逐束团测量系统研制

逐束团测量装置属于宽带和实时测量,足以分辨重复频率为204 MHz的相邻束团的信号,设计功能包括横向水平和垂直Beta振荡,纵向同步相位振荡,束团填充等信息的实时检测。对信号频谱分析,系统参数设计,前端射频检测,锁相环信号合成,高速数据采集以及基于PXI的整个系统作了详细介绍,分析了若干调试和实验结果,并讨论了合肥光源储存环目前存在的不稳定性及该测试手段在诊断中的应用。

绝缘体二次电子发射系数测量装置的研制

成功研制了测量绝缘体二次电子发射系数的测量装置，该装置主要由栅控电子枪系统、真空系统和电子采集系统组成，测量装置产生的原电子流的能量范围为0．8～60keV。采用单脉冲电子枪法，测量了原电子能量范围为0．8～45keV的多晶MgO的二次电子发射系数。测量中，收集极（偏置盒）离材料表面设置为约35mm，偏置电压设置为45V。测量得到：用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数最大值约为2．83，处于2～26范围内，其对应的原电子能量约为980eV。这表明该装置测量的绝缘体二次电子发射系数是可信的，但用磁控溅射法制备的MgO的二次电子发射系数较低，这可能是制备MgO时引入了过多的杂质在MgO二次电子发射体里面所引起的。

单谐振腔外部Q值的计算方法

通过对带有耦合器的单驻波腔进行等效电路分析,推导出可计算带有耦合波导的单谐振腔外部Q值的反射相位法,该方法通过计算不同频率的反射相位来确定谐振频率和外部Q值。详细叙述了在CSTMicrowave Studio中用谐振模式求解法、直接时域跟踪法和反射相位法进行计算的步骤;用这3种方法分别计算了二次发射微波电子枪的外部Q值并和实验测量结果做了比较。结果显示3种计算方法都有很高的精度,但反射相位法的速度最快,耗时1 071 s。计算发现外部Q值与耦合口长度的4.1次方成反比。

边界元素法在NSRL束测系统调试中的应用

讨论了边界元素法及其在 NSRL束流位置监测器 ( BPM)测试中的应用。计算了 BPM探头的灵敏度 ,以此检验模拟定标测试数据的可信程度。作为该方法的进一步探讨 ,尝试了由模拟程序直接计算出有机械加工误差时的灵敏度 。

HLS储存环冲击磁铁铁芯材料特性和磁场研究

介绍了合肥同步辐射光源新注入系统中冲击磁铁的磁场和铁氧体磁芯设计，讨论了铁氧体材料的电磁特性，包括频谱特性、设计频率区域内的磁导率特性、损耗特性和稳定性等对冲击磁铁设计的影响。

超高真空陶瓷管内壁镀膜的方块电阻测量

使用一种新的感应线圈方法对超高真空陶瓷管内壁导电膜的方块电阻进行了测量 ,其优点在于 :不用直接接触膜层就能测量到管内深处不易放置探针的地方的方块电阻 ;可进行在线测量而不破坏管内真空。解决了应用中的难题 。

加速器机载kV-CBCT成像参数与图像质量的定量分析

采用Catphan 503模体,选用不同的扫描预设条件成像,对加速器机载千伏级锥形束CT(kV-CBCT)图像的均匀性、噪声、低对比度分辨率和空间分辨率进行评估。结果表明提高X线球管管电压管电流、增大机架旋转扫描范围、减小准直器尺寸、提高重建精度等参数有利于获得高质量锥形束CT(CBCT)图像,但同时患者将多受额外的X射线辐射,也加大X线球管和探测器等元器件的损耗。因此,临床使用中应根据患者解剖条件合理选择成像参数,这样既能保证图像质量,又尽可能降低患者的辐射剂量。

NSRL 200 MeV直线加速器能谱分析系统的设计(英文)

20 0MeV直线加速器能谱分析系统用来测量直线加速器的束流能谱 ,为指导直线加速器的调机和了解机器状态提供实验证据。为了克服非成像系统以及分辨率不高的缺点 ,在NSRL二期工程中对这个系统进行了重新设计 ,现已安装和调试。

冲击磁铁回路电感对传输线放电的影响

分析了脉冲调制器产生短脉冲时冲击磁铁回路电感对脉冲前后沿和宽度不可忽略的影响,从理论上导出了冲击磁铁回路电感与脉冲前后沿的关系,给出并分析了几组实验结果,提出了采用屏蔽结构和适当增加阻抗等两种可行的减小脉冲前沿的方案。