掺杂聚苯胺有机高分子发光器件

采用聚苯胺作阳极，ＭＥＨ－ＰＰＶ作发光材料，我们合成了有机高分子发光二极管器件．通过对聚苯胺的掺杂，发现器件的发光强度比未掺杂器件提高３０％，起始工作电压降低２５％．寿命测量还显示以聚苯胺或掺杂聚苯胺作电极的二极管器件，在给定电压下的工作寿命要比直接用导电玻璃作电极的二极管器件提高７～１０倍以上．

聚乙炔中的孤子跃迁

孤子在聚乙炔链中的运动可用多声子理论来讨论,在此基础上,引进了耦合坐标 y,使其化成单自由度问题。求得了聚乙炔链中孤子的有效质量为5m_(?),得到了孤子运动跃迁势垒 w_λ(y),并讨论了它与电子晶格耦合参数λ的关系。

2004年合成金属科学与技术国际会议

合成金属科学与技术同际会议（The International Conference on the Science and Technology of Synthetic Metals）于2004年6月28日-7月2日在澳大利亚University of Wollongong举办。此次会议由Intelligent Polymer Research Institute主办，与会人数1000人。参加会议主要国家有澳大利亚、中国（中国香港、台湾）、法国、德国、韩国、日本、瑞典、美国、加拿大、印度、新加坡等20多个国家。会议共分12个层次：大会邀请报告诺贝尔获得者等共20人，分会专题报告共100人，分会研究报告共300人，

真空蒸镀双层有机电致发光器件及其稳定性

以 8 -羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,成功地制备成 ITO(铟锡氧化物 ) / TPD(2 -甲基 - 4-苯基联苯二胺 ) / Alq3/ Al结构的双层有机发光器件 .与 ITO/ Alq3/ Al结构器件相比 ,其亮度和稳定性明显增加 ,阈值电压有所增大 .通过一定电压下工作电流随时间的变化测定了器件的稳定性 。

基态非简并聚合物中的极化子和双极化子的动力学(Ⅰ)——弱电场下研究

文中模拟了在基态非简并聚合物中的极化子和双极化子在弱电场中的运动,研究了在不同简并参数的系统中极化子和双极化子的动力学稳定性,发现在同一个系统中,双极化子比极化子的运动速度慢,晶格振荡小;在简并参数大的系统中,极化子和双极化子的运动速度都变慢。极化子和双极化子在弱电场下都存在饱和速度,达到饱和速度后,电场的能量发生了转换。

一维导电共聚物中极化子输运的动力学研究

利用非绝热动力学方法,理论上研究了一维导电共聚物[-(PT)x-(PPP)y]z-(PT)x-中的极化子在外电场作用下的动力学输运性质.研究发现,极化子在共聚物中不易传输,其运动敏感地依赖于嵌段间界面的耦合;嵌段尺度对于极化子的运动具有重要的影响.所得结果与相关实验一致.

聚合物基片对柔性有机发光器件性能的影响

以聚合物基片柔性ITO膜为透明电极,制备了ITO/TPD/Alq3/Al结构柔性有机发光器件,并与在相同条件下制备的玻璃基片相同结构器件作了比较。研究了不同基片对有机材料及器件性能的影响,指出选择不易吸湿、耐温高、热胀系数小的聚合物材料,提高柔性ITO膜的附着力和导电性,结合柔性ITO膜的具体特性,优化有机层的蒸镀条件,是提高柔性有机发光器件发光亮度和稳定性的重要途径。

聚吡咯带电态几何结构特征

采用半经验AustinModel 1(AM 1)方法 ,计算了齐分子吡咯聚合物的中性态和带电态的几何结构性质。与中性态相比 ,带电态下其分子结构表现在C—C键长发生显著改变 ,单电荷掺杂导致极化子元激发 ;双电荷掺杂一般情况下产生双极化子 ,但是在特殊情况下会产生两个分立的单极化子。掺杂 4个电荷时 ,会在聚合物链中产生两个分立的双极化子。

聚对苯撑齐聚物的中性态和掺杂态的几何结构特征

采用半经验的AustinModel 1(AM 1)方法 ,计算了齐聚物poly(p phenylene) (PPP)的中性态和带电态的几何结构性质。与中性态相比 ,带电态下其分子结构表现在C -C键的键长及环与环间的扭转角发生显著的改变。单电荷掺杂导致极化子元激发 ,双电荷掺杂产生双极化子 ,即使增加链长至 12PPP 。

准一维聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的光学性质

利用半经验的ZINDO方法研究了聚噻吩及以噻吩为基的共聚物的电子光跃迁性质 .以噻吩为基的共聚物具有阱 -垒 -阱结构特征 ,阱部分为具有不同共轭长度的聚噻吩 ,垒部分为具有大能隙的非可见的发光材料 .计算发现 ,改变阱的共轭长度和垒的结构可控制聚合物的发光 ,跃迁能随链长的增加而减小 。

一维铁磁/有机系统的基态与自旋分布研究

文中用一维紧束缚模型描述铁磁金属,用一维非简并的Su Schrieffer Heeger(SSH)模型描述共轭聚合物,研究了在一维铁磁/共轭聚合物系统和一维CMR材料/聚合物系统中的电子转移和自旋转移。发现在聚合物部分没有自旋的双极化子比有自旋的极化子具有较低的能量而容易产生。然而在铁磁CMR材料/聚合物系统中极化子的产生能低于聚合物中极化子的产生能,增加了有机物中自旋极化输运的可能性。

基态非简并聚合物中的极化子和双极化子的动力学(Ⅱ)——强电场下研究

本文模拟了基态非简并聚合物中的极化子和双极化子在强电场中的运动,研究了在不同简并参数的系统中极化子和双极化子的动力学稳定性,发现在强场下简并参数对极化子的稳定性影响不大,极化子晶格畸变的运动滞后于电子的运动,价带上的电子在强电场的激发下参与导电。双极化子在简并参数大的系统中较为稳定。

有机发光器件中载流子复合特性的数值模拟

考虑单层有机发光器件中注入载流子在电场作用下的漂移运动和Langevin复合,将注入特性量化为电极与有机层接触处的电流密度比,计算了有机层中的电场强度、载流子浓度和复合率分布,研究了注入特性、载流子迁移率及有机层厚度对载流子复合性能的影响。结果表明:正负载流子的迁移率比、注入平衡程度及有机层厚度是影响器件内电场、载流子浓度和复合率分布的重要因素。计算结果对于发光材料选择和有机发光器件结构的优化设计具有重要的指导意义。

齐分子吡咯中极化子和双极化子及其稳定性

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子吡咯聚合物(PPy)的中性态和带电态的几何结构性质.与中性态相比,带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著改变,单电荷掺杂导致极化子元激发;当掺杂的双电荷随机放置时,出现了两种情况:一种情况下产生双极化子,另一种情况下会产生两个分立的极化子.通过控制链的长度,可实现极化子与双极化子之间的相变,从而揭示出在有机半导体材料中实现自旋极化输运的可能性.

有机层厚度对OLED性能的影响

采用真空蒸发的方法制备出玻璃衬底ITO／TPD／Alq／A1结构的有机发光器件(OLED)。改变有机层的厚度, 比较不同厚度下OLED的各项性能的差异,包括工作电压,发光效率。实验发现无论增大空穴传输层TPD的厚度 抑或是发光层Alq的厚度都会增大器件的工作电压。发光层Alq厚度的增大还能引起发光效率的增大,而TPD厚 度的增大对发光效率的影响则是复杂的。对于上述现象用隧穿理论以及直带模型进行了解释。对制备高亮度, 高效率低损耗的OLED具有指导意义。

二嵌段共聚物-(PPP)_m-(PT)_n-电子结构性质研究

建立了描述二嵌段共聚物 (PPP) m (PT) n 的紧束缚模型 ,研究了基态下均聚物单体对体系电子结构性质的影响 .研究发现可以通过改变均聚物的尺度、配比或界面耦合强度对共聚物能带结构加以调制 .

DNA分子能带结构及载流子性质研究

采用扩展的紧束缚模型 ,计算了DNA分子的基态及激发态的能带结构及晶格位形 ,探讨了净电荷的布局分布 ,研究了DNA分子中载流子的性质 ,发现极化子是带电的DNA分子所呈现出的主要的元激发 .

有机分子在铁磁界面处的自旋极化研究

采用第一性原理计算的方法,通过改变有机苯分子与密排六方Co(0001)面之间的不同接触方式,研究了多种接触构型下有机分子界面的自旋极化.计算发现,Co原子的3d电子与苯的C原子的2p电子之间存在耦合,导致费米能级处上下两种自旋的态密度不再相等,苯分子自旋简并解除,出现明显的自旋极化.自旋极化度随着分子与Co电极距离的变化,呈现出反转的特性.

极化子和双极化子在齐聚物中的稳定性

导电聚合物中的元激发稳定性问题对于认识和理解有机材料中的自旋极化输运现象是极其重要的。针对目前存在的极化子与双极化子之间的争论 ,本文从半经验的AustinModel 1(AM 1)方法出发 ,对齐分子噻吩的掺杂态进行了研究。通过对极化子和双极化子体系能量的比较 ,发现双极化子可以转换为极化子 ,从而揭示出在有机半导体材料中可以实现自旋极化输运。

双极化子对有机器件磁电阻的影响

由于双极化子为有机材料内有效的载流子,我们利用漂移-扩散方程,研究了有机半导体中自旋极化率随双极化子浓度的变化,进而利用Julliere公式得出磁电阻的变化.发现,有机材料内自旋极化率随双极化子浓度的增加而增加.改变材料内双极化子的比例,可以有效地调节器件的磁电阻.