本文研究了相变温度范围内Cu-Zn-Al合金的内耗性能。合金的分析成分为Cu69.24Zn26.62 Al 4.14 wt%,合金相变温度M_s、M_f、A_s和A_f分别为69、40、54和70℃。结果表明:内耗由三部分组成,它们是马氏体-马氏体界面内耗、马氏体-热转变母...本文研究了相变温度范围内Cu-Zn-Al合金的内耗性能。合金的分析成分为Cu69.24Zn26.62 Al 4.14 wt%,合金相变温度M_s、M_f、A_s和A_f分别为69、40、54和70℃。结果表明:内耗由三部分组成,它们是马氏体-马氏体界面内耗、马氏体-热转变母相的界面内耗和马氏体(应力诱发的)-母相的界面内耗。Cu-Zn-Al合金的相变内耗值很高(Q^(-1)≈5×10^(-2))。模拟使用条件的激振试验还表明:这种高的相变内耗在使用过程中衰减缓慢。因此Cu-Zn-Al记忆合金还可作高阻尼材料用。展开更多
研究了用激光加热基座(LHPG)法从粉末压制成型的源棒直接生长单晶光纤的规律。通过显微镜观察直径波动及通过对吸收谱、荧光谱的测试来判断单晶光纤的品质。实验发现,长出较好的单晶光纤需二次生长,先用较快的提拉速度将粉末压制棒生长...研究了用激光加热基座(LHPG)法从粉末压制成型的源棒直接生长单晶光纤的规律。通过显微镜观察直径波动及通过对吸收谱、荧光谱的测试来判断单晶光纤的品质。实验发现,长出较好的单晶光纤需二次生长,先用较快的提拉速度将粉末压制棒生长成陶瓷多晶棒,随后从多晶棒生长出单晶光纤。但其最佳生长速度远比以单晶为源棒生长单晶光纤的速度小(从1.2mm/min 减小到0.2mm/min)。实验还发现,以多晶为源棒所对应的熔区形状系数 C 比以单晶为源棒的小;另外,该法生长的单晶光纤的光谱性能与大块晶体的光谱性能相同。展开更多
文摘本文研究了相变温度范围内Cu-Zn-Al合金的内耗性能。合金的分析成分为Cu69.24Zn26.62 Al 4.14 wt%,合金相变温度M_s、M_f、A_s和A_f分别为69、40、54和70℃。结果表明:内耗由三部分组成,它们是马氏体-马氏体界面内耗、马氏体-热转变母相的界面内耗和马氏体(应力诱发的)-母相的界面内耗。Cu-Zn-Al合金的相变内耗值很高(Q^(-1)≈5×10^(-2))。模拟使用条件的激振试验还表明:这种高的相变内耗在使用过程中衰减缓慢。因此Cu-Zn-Al记忆合金还可作高阻尼材料用。
文摘研究了用激光加热基座(LHPG)法从粉末压制成型的源棒直接生长单晶光纤的规律。通过显微镜观察直径波动及通过对吸收谱、荧光谱的测试来判断单晶光纤的品质。实验发现,长出较好的单晶光纤需二次生长,先用较快的提拉速度将粉末压制棒生长成陶瓷多晶棒,随后从多晶棒生长出单晶光纤。但其最佳生长速度远比以单晶为源棒生长单晶光纤的速度小(从1.2mm/min 减小到0.2mm/min)。实验还发现,以多晶为源棒所对应的熔区形状系数 C 比以单晶为源棒的小;另外,该法生长的单晶光纤的光谱性能与大块晶体的光谱性能相同。