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钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响 被引量:1
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作者 马香柏 张进城 +2 位作者 郭亮良 冯倩 郝跃 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期73-77,共5页
由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以... 由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应. 展开更多
关键词 电流崩塌 钝化 场板结构
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应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响
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作者 马香柏 张进城 +1 位作者 郝跃 冯倩 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期5-8,共4页
电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物... 电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态;而在热电子应力下,是沟道热电子填充界面态。 展开更多
关键词 GAN HEMT 电流崩塌 热电子应力 大电场应力
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微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展
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作者 马香柏 郝跃 张进城 《电子科技》 2006年第10期1-4,共4页
文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。
关键词 ALGAN/GAN 微波 功率
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电压衬度在CMOS集成电路失效分析中的应用 被引量:2
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作者 马香柏 《集成电路应用》 2017年第5期64-67,共4页
电压衬度(Voltage Contrast,VC)是CMOS集成电路失效分析的一种有效方法。电压衬度主要利用二次电子的发射效率与样品表面电势相关的原理。通过数据分析、电学测试等流程缩小搜索范围,再利用电压衬度原理进一步缩小范围,通过FIB精准定位... 电压衬度(Voltage Contrast,VC)是CMOS集成电路失效分析的一种有效方法。电压衬度主要利用二次电子的发射效率与样品表面电势相关的原理。通过数据分析、电学测试等流程缩小搜索范围,再利用电压衬度原理进一步缩小范围,通过FIB精准定位缺陷并进行剖析,最终找到失效根源。作者探讨电压衬度原理,并通过具体案例,对电压衬度分析在扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)以及聚焦离子束(Focused Ion beam,FIB)的运用作了详细阐述。 展开更多
关键词 电压衬度 二次电子 失效分析
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CMOS电路中的漏电失效分析 被引量:1
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作者 马香柏 《集成电路应用》 2017年第4期53-57,共5页
在嵌入式存储器以及Logic、Analog等CMOS工艺中,漏电失效分析技术广泛应用。这里介绍了漏电失效分析流程、CMOS电路中的漏电测试项目、漏电失效分析工具,并通过具体案例,对漏电失效分析在CMOS工艺良率提升以及新产品导入上的应用作了详... 在嵌入式存储器以及Logic、Analog等CMOS工艺中,漏电失效分析技术广泛应用。这里介绍了漏电失效分析流程、CMOS电路中的漏电测试项目、漏电失效分析工具,并通过具体案例,对漏电失效分析在CMOS工艺良率提升以及新产品导入上的应用作了详细阐述。 展开更多
关键词 CMOS工艺 漏电 失效分析
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GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系 被引量:3
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作者 郭亮良 冯倩 +2 位作者 马香柏 郝跃 刘杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2900-2904,共5页
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,... 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾. 展开更多
关键词 GAN 场板 击穿电压 电流崩塌
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