通过改变处理衬底表面的方法,制备出不同的微米金刚石薄膜。具体的方法是利用磁控溅射在陶瓷衬底上面镀上一层厚金属钛,对金属钛层进行不同的表面处理后,放在微波等离子体化学气相沉积腔中制备微米金刚石薄膜。对不同的薄膜用二极管型...通过改变处理衬底表面的方法,制备出不同的微米金刚石薄膜。具体的方法是利用磁控溅射在陶瓷衬底上面镀上一层厚金属钛,对金属钛层进行不同的表面处理后,放在微波等离子体化学气相沉积腔中制备微米金刚石薄膜。对不同的薄膜用二极管型结构测试了它们的场致发射电子的性能,良好的表面处理能达到在电场2.1 V/μm下,9.2 m A/cm^2优秀的发射效果。并对发射机理和场发射特性进行了深入的研究。展开更多
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在镀金属钛层的陶瓷基底上面,调整优化沉积参数,制备出了碳膜。通过各种仪器分析了碳膜的内部结构和表面形貌,证明该碳膜是微米金刚石薄膜。进一步将微米金刚石薄膜作为场发射阴极材料,测试了其...利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在镀金属钛层的陶瓷基底上面,调整优化沉积参数,制备出了碳膜。通过各种仪器分析了碳膜的内部结构和表面形貌,证明该碳膜是微米金刚石薄膜。进一步将微米金刚石薄膜作为场发射阴极材料,测试了其场致电子发射特性。稳定发射状态下的开启电场为1.15 V/μm,在3.35 V/μm的电场下,其场发射电流密度为0.81 m A/cm2,发射点密度约为104/cm2。并对其发射机理进行了研究。展开更多
文摘通过改变处理衬底表面的方法,制备出不同的微米金刚石薄膜。具体的方法是利用磁控溅射在陶瓷衬底上面镀上一层厚金属钛,对金属钛层进行不同的表面处理后,放在微波等离子体化学气相沉积腔中制备微米金刚石薄膜。对不同的薄膜用二极管型结构测试了它们的场致发射电子的性能,良好的表面处理能达到在电场2.1 V/μm下,9.2 m A/cm^2优秀的发射效果。并对发射机理和场发射特性进行了深入的研究。
文摘利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在镀金属钛层的陶瓷基底上面,调整优化沉积参数,制备出了碳膜。通过各种仪器分析了碳膜的内部结构和表面形貌,证明该碳膜是微米金刚石薄膜。进一步将微米金刚石薄膜作为场发射阴极材料,测试了其场致电子发射特性。稳定发射状态下的开启电场为1.15 V/μm,在3.35 V/μm的电场下,其场发射电流密度为0.81 m A/cm2,发射点密度约为104/cm2。并对其发射机理进行了研究。