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热光Si共振腔型可调谐滤波器 被引量:4
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作者 黄昌俊 左玉华 +4 位作者 成步文 毛容伟 李传波 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1312-1317,共6页
报道了利用 Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的 Fabry- Perot可调谐滤波器 ,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应 .调谐范围可达 2 3nm,响应时间约为 30 0 μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调... 报道了利用 Si基键合技术和化学机械抛光工艺制作的垂直结构的 Fabry- Perot可调谐滤波器 ,调谐机理为pn结正向注入电流引起的热光效应 .调谐范围可达 2 3nm,响应时间约为 30 0 μs,并给出了获得更快响应和更低能耗的热光和电注入可调谐滤波器件结构改进方案 . 展开更多
关键词 Fabry-Perot可调谐滤波器 热光效应 Si基光电子 共振腔型
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自组装Ge/Si量子点的研究进展 被引量:5
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作者 黄昌俊 余金中 王启明 《自然科学进展》 北大核心 2004年第1期28-33,共6页
回顾与总结了该实验室对自组装Ge/Si(001)量子点的近期研究进展.着重介绍了生长在Si(001)衬底上的Ge量子点的形貌演变过程;多层Ge量子点的结构分析;Ge量子点结构的光学电学性质的表征;以及提高Ge量子点尺寸和分布均匀性的各种方法.
关键词 量子点 锗/硅材料 硅基光电子学 自组装材料 形貌演变 研究进展
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阿伐曲泊帕治疗等待肝移植患者重度血小板减少症的疗效分析 被引量:1
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作者 史晓奕 张嘉凯 +8 位作者 杨东菁 王云 黄昌俊 温培豪 曹胜利 张华鹏 何玉婷 王智慧 郭文治 《实用器官移植电子杂志》 2023年第2期122-127,共6页
目的研究阿伐曲泊帕对等待肝移植患者伴重度血小板减少症(thrombocytopenia,TCP)的治疗作用。方法通过回顾郑州大学第一附属医院2021年2月至2022年10月间67例等待肝移植并伴重度TCP患者的临床资料,收集患者一般情况资料及阿伐曲泊帕使... 目的研究阿伐曲泊帕对等待肝移植患者伴重度血小板减少症(thrombocytopenia,TCP)的治疗作用。方法通过回顾郑州大学第一附属医院2021年2月至2022年10月间67例等待肝移植并伴重度TCP患者的临床资料,收集患者一般情况资料及阿伐曲泊帕使用前后患者血小板计数情况。治疗后血小板计数升至≥50×10^(9)/L为治疗有效。根据是否联合应用重组人血小板生成素(recombinant human thrombopoietin,rhTPO)将患者分为两组(单药治疗组和联合治疗组)进行分析。结果在伴有重度TCP的67例等待肝移植患者中,应用阿伐曲泊帕治疗后患者血小板计数与治疗前相比显著升高(P=0.001),其中89.55%(60/67)的患者治疗后血小板计数升至≥50×10^(9)/L,有效率在不同程度的血小板减少组间无统计学差异(P=0.373)。亚组分析表明,联合治疗组治疗后血小板计数显著高于单药治疗组(P=0.002),而用药前血小板计数无统计学差异(P=0.064)。在单药治疗组中85.00%(34/40)患者血小板计数升至≥50×10^(9)/L,联合治疗组(27例)中96.30%(26/27)患者治疗后血小板计数升至≥50×10^(9)/L,两组间比较不具有统计学差异(P=0.228)。结论阿伐曲泊帕可提高伴有重度TCP等待肝移植患者的血小板水平,与rhTPO联用可能存在叠加作用。 展开更多
关键词 阿伐曲泊帕 肝移植 血小板减少症
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电能计量自动化系统在电力营销中的应用成效 被引量:22
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作者 黄昌俊 《中小企业管理与科技》 2011年第27期287-287,共1页
随着电力系统的发展,对电力系统自动化程度的要求越来越高。计量自动化系统是集现代数字通信技术、计算机软硬件技术、电能计量技术和电力营销技术为一体的用电需求侧综合性的实时信息采集与分析处理系统,它提高了企业电网经济运行管理... 随着电力系统的发展,对电力系统自动化程度的要求越来越高。计量自动化系统是集现代数字通信技术、计算机软硬件技术、电能计量技术和电力营销技术为一体的用电需求侧综合性的实时信息采集与分析处理系统,它提高了企业电网经济运行管理水平和经济效益。本文对电能计量自动化系统在用电力营销上的应用进行了相关的介绍。 展开更多
关键词 电能计量自动化 电力营销
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SiGe材料系自组织Ge量子点研究(英文)
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作者 黄昌俊 王启明 《中国科学院研究生院学报》 CAS CSCD 2003年第4期510-516,共7页
在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一。Ge在Si上 4.2 %的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要。对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演... 在当今Si基光电子研究中,SiGe材料系自组织Ge量子点是最有希望对Si材料运用能带工程实现人工改性的途径之一。Ge在Si上 4.2 %的晶格失配可以制造大小尺寸不同的纳米结构,还可适应其他多种器件需要。对自组织Ge量子点的形成过程、形貌演化、光学和电学性质,以及提高量子点平面排布有序性的方法进行了系统的分析和研究,并着重介绍了实验中发现的新现象、新模型和新方法,其中包括量子点的反常形状跃迁、自覆盖效应、Ge/Si量子点的II型能带结构。 展开更多
关键词 GE量子点 Si基光电子 自组织纳米微结构 异质外延生长
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镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响 被引量:10
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作者 左玉华 毛容伟 +11 位作者 黄昌俊 蔡晓 李传波 成步文 罗丽萍 高俊华 白云霞 姜磊 马朝华 王良臣 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期661-664,共4页
用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响 计算表明 :DBR生长... 用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响 计算表明 :DBR生长误差仅使主透射峰位置发生变化 ,而镜面起伏是导致主透射峰性能劣化的主要原因 ,它使得FWHM增大 ,透射峰强度下降 理论计算结果能较好地解释实验现像 在此基础上 ,进一步讨论了引起镜面起伏的多种原因 。 展开更多
关键词 光学模型 MEMS光滤波器 可调谐光滤波器 透射谱 DBR 镜面起伏 滤波特性 DWDM 密集波分复用系统 光通信
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 被引量:9
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作者 成步文 李代宗 +5 位作者 黄昌俊 于卓 张春晖 王玉田 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期250-254,共5页
以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了... 以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si1- xGex/Si多量子阱材料的 展开更多
关键词 锗化硅 异质结 UHV/CVD 生长
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1.55μmSi基光电探测器的研究进展 被引量:5
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作者 李传波 黄昌俊 +1 位作者 成步文 王启明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期79-83,90,共6页
 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
关键词 锗硅 光电探测器 量子点 RCE
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用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 被引量:3
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作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期862-866,共5页
分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统... 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 . 展开更多
关键词 Si1-x-yGexCy材料 固相外延 三元系 半导体材料
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组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 被引量:3
10
作者 李代宗 成步文 +5 位作者 黄昌俊 王红杰 于卓 张春晖 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1111-1115,共5页
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应... 采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出了驰豫的 Si0 .6 8Ge0 .32 外延层 .俄歇电子能谱证实缓冲层 Ge组份呈线性渐变 .Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为 32 % ,与 X射线双晶衍射结果符合得很好 .腐蚀的样品观察到沿两个〈1 1 0〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为 5× 1 0 7/cm2 . 展开更多
关键词 SIGE 组份线性渐变 缓冲层 生长特征
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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 被引量:1
11
作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期564-569,共6页
利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子... 利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 。 展开更多
关键词 UHV/CVD 外延生长 锗化硅 表面反应动力学
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Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 被引量:1
12
作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期52-56,共5页
研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变... 研究了 Si1 - x- y Gex Cy 三元系材料的应变补偿特性 ,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响 ,指出由于 Ge和 C的投影射程及标准偏差不同 ,二者在各处的组分比并不恒定 ,存在着纵向分布 ,因此各处的应变补偿情况也不尽相同 .利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析 ,得出了外延层中存在应变完全补偿区域时 Ge、C的峰值浓度比 NGe/ NC应满足一定的取值范围 .通过制备不同 C组分的样品对上述结论进行了验证 。 展开更多
关键词 应变补偿 半导体材料 SIGEC 三元化合物
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探讨术前介入栓塞化疗在晚期直肠癌治疗中的应用价值 被引量:1
13
作者 杨涛 徐崇松 +1 位作者 杨亚鹏 黄昌俊 《中国医药指南》 2017年第16期166-167,共2页
目的探讨术前介入栓塞化疗在晚期直肠癌治疗中的应用价值。方法以我院60例晚期直肠癌患者为研究对象(收治时间为2013年3月至2016年2月)。采用随机法将60例患者随机分成2组,观察组与对照组各30例患者。对照组患者术前行静脉途径新辅助化... 目的探讨术前介入栓塞化疗在晚期直肠癌治疗中的应用价值。方法以我院60例晚期直肠癌患者为研究对象(收治时间为2013年3月至2016年2月)。采用随机法将60例患者随机分成2组,观察组与对照组各30例患者。对照组患者术前行静脉途径新辅助化疗,观察组患者在术前介入栓塞化疗。将两组患者化疗后不良反应发生率、手术根治性切除率以及保肛率进行科学对比。结果观察组患者化疗后的各项不良反应发生率、手术根治性切除率以及保肛率均优于对照组患者(P<0.05)。结论术前介入栓塞化疗在晚期直肠癌治疗中的应用价值较高。 展开更多
关键词 栓塞化疗 晚期直肠癌 应用价值
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Si基长波长GeSiHPT探测器的研制
14
作者 毛容伟 李成 +7 位作者 成步文 黄昌俊 左玉华 李传波 罗丽萍 滕学恭 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期155-159,共5页
随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到... 随着波分复用技术的发展,成本低廉,易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构,吸收系数小,SiGe探测器的应用受到限制。由于(heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管)HPT具有内部增益,SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征,并且制作了原型器件,器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W,光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT,并进行光电响应模拟,模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%,增加吸收区材料Ge组分到0.5,量子效率可提高到30%,半高度为1.5nm,适应光通讯的要求。 展开更多
关键词 硅基微电子集成电路 异质结光敏晶体管 GeSiHPT探测器 长波长探测器 锗化硅 半导体光电探测器 光通信
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弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
15
作者 李代宗 黄昌俊 +3 位作者 于卓 成步文 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期875-880,共6页
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续... 采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以 展开更多
关键词 应变驰豫 Ⅱ型量子阱 硅化硅 衬底
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1.3μm Si-Based MOEMS Optical Tunable Filter with a Tuning Range of 90nm
16
作者 左玉华 黄昌俊 +12 位作者 成步文 蔡晓 毛容伟 李传波 罗丽萍 高俊华 白云霞 姜磊 马朝华 朱家廉 王良臣 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1140-1144,共5页
Optical filters capable of single control parameter based wide tuning are implemented and studied.A prototype surface micromachined 1 3μm Si based MOEMS (micro opto electro mechanical systems) tunable filter e... Optical filters capable of single control parameter based wide tuning are implemented and studied.A prototype surface micromachined 1 3μm Si based MOEMS (micro opto electro mechanical systems) tunable filter exhibits a continuous and large tuning range of 90nm at 50V tuning voltage.The filter can be integrated with Si based photodetector in a low cost component for coarse wavelength division multiplexing systems operating in the 1 3μm band. 展开更多
关键词 MOEMS Fabry Perot tunable filter surface micromaching
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1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with Amorphous-Si as Cavity
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作者 左玉华 蔡晓 +11 位作者 毛容伟 黄昌俊 成步文 李传波 罗丽萍 高俊华 白云霞 姜磊 马朝华 王良臣 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期911-915,共5页
A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is fabricated.The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.Due to the excellent thermo-optical property o... A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical t unable filter is fabricated.The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique.Due to the excellent thermo-optical property of a-Si,the refractive index of the F-P cavity will be changed by heating;the transmittance resonant peak will therefore shift substantially.The measured tuning rang is 12nm, FWHM (full-width-at-half-maximum) of the transmissi on peak is 9nm,and heating efficiency is 0.1K/mW.The large FWHM is mainly due to th e non-ideal coating deposition and mirror undulation.Possible improvements to increase the efficiency of heating are suggested. 展开更多
关键词 thermo-optical effect FABRY-PEROT tunable filter A-SI
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Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响
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作者 李代宗 成步文 +5 位作者 黄昌俊 王红杰 于卓 张春晖 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期760-764,共5页
应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex... 应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 .根据实测的 Raman峰位 ,估算了应力弛豫 .结果表明 :对组分渐变缓冲层结构而言 ,超晶格缓冲层中界面间应力更大 ,把位错弯曲成一个封闭的环 ,既减少了表面位错密度 。 展开更多
关键词 缓冲层 Raman散射谱 应力弛豫 锗化硅
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原煤分层燃烧装置使用效果分析及运行管理
19
作者 黄昌俊 蒋靖之 《华电技术》 CAS 2009年第10期51-53,共3页
原煤分层燃烧技术是针对正转链条炉排存在缺陷而发明的一项改进技术,可以最大限度地克服链条锅炉在运行过程中存在的燃烧不完全、热效率低、出力不足、带负荷慢等缺陷。结合生产实际,利用机械、热力学、燃烧学理论知识系统分析了正转链... 原煤分层燃烧技术是针对正转链条炉排存在缺陷而发明的一项改进技术,可以最大限度地克服链条锅炉在运行过程中存在的燃烧不完全、热效率低、出力不足、带负荷慢等缺陷。结合生产实际,利用机械、热力学、燃烧学理论知识系统分析了正转链条锅炉运行时燃烧过程存在的缺陷,对其实用效果进行对比分析,根据设备运行特点提出了管理举措。 展开更多
关键词 锅炉 燃烧 分层 节能 管理
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腔内综合技术治疗下肢深静脉血栓形成95例临床分析
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作者 刘清泉 黄昌俊 +3 位作者 张东坡 任柯 刘素红 安兆峰 《中外医疗》 2017年第4期64-67,共4页
目的评价腔内综合技术在治疗下肢深静脉血栓中的临床应用效果。方法回顾性分析2011年6月—2016年7月该院科收治的95例下肢深静脉血栓形成患者行以导管溶栓为主的腔内综合治疗,比较治疗前后双侧下肢周径差,采用静脉通畅评分及静脉通畅率... 目的评价腔内综合技术在治疗下肢深静脉血栓中的临床应用效果。方法回顾性分析2011年6月—2016年7月该院科收治的95例下肢深静脉血栓形成患者行以导管溶栓为主的腔内综合治疗,比较治疗前后双侧下肢周径差,采用静脉通畅评分及静脉通畅率对治疗效果进行评估。结果 95例患者治疗后,症状均得到显著改善。治疗前健患侧大腿周径差(6.83±1.62)cm,治疗后健患侧大腿周径差(1.03±0.93)cm,差异有统计学意义(P<0.01)。治疗前健患侧小腿周径差(4.92±1.06)cm,治疗后健患侧小腿周径差(1.06±0.99)cm,差异有统计学意义(P<0.01)。治疗前静脉通畅评分为(8.40±1.17)分,治疗后为(1.49±0.97)分,差异有统计学意义(P<0.01)。平均静脉通畅率为(88.29±10.38)%。结论以尿激酶加巴曲酶为主要溶栓药物的导管溶栓术在治疗下肢深静脉血栓形成时明显提高溶栓效果,联合下腔静脉滤器植入、一期球囊扩张狭窄、碎栓、术中溶栓、支架植入等腔内综合技术,可以进一步提高疗效、降低风险。 展开更多
关键词 导管溶栓术 深静脉血栓形成 腔内综合治疗
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