期刊文献+
共找到443篇文章
< 1 2 23 >
每页显示 20 50 100
齐鸣速写作品选登
1
作者 齐鸣 《美术大观》 1999年第12期34-34,共1页
关键词 作品选 齐鸣 速写
下载PDF
齐鸣作品选
2
作者 齐鸣 《中国书画》 2009年第6期122-122,共1页
点评:齐鸣教授的工笔人物画,继承了我国人物画的写实传统,题材多为北方农民,其用笔、用线、用色等都十分讲究,沉着而不失灵动,古雅中透出新意。其鲜明的画风映现了画家的精神追求。
关键词 作品选 工笔人物画 精神追求 用笔 用线 用色 画家 画风
下载PDF
齐鸣作品
3
作者 齐鸣 《国画家》 1994年第3期24-25,共2页
关键词 齐鸣 作品
原文传递
高温合金表面激光熔覆MoSi_2/Al复合涂层的组织结构和性能 被引量:3
4
作者 齐鸣 花银群 +1 位作者 陈瑞芳 刘伟 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第20期125-127,共3页
为了制备陶瓷基复合涂层,采用CO2激光器在GH586表面激光熔覆Mo Si2/Al复合涂层,研究了熔覆层的组织结构、显微硬度,并进行了1050℃下的抗高温氧化试验。结果表明,熔覆层剖面中热影响区、结合区、熔覆区分布较为明显,在其他条件不变时,随... 为了制备陶瓷基复合涂层,采用CO2激光器在GH586表面激光熔覆Mo Si2/Al复合涂层,研究了熔覆层的组织结构、显微硬度,并进行了1050℃下的抗高温氧化试验。结果表明,熔覆层剖面中热影响区、结合区、熔覆区分布较为明显,在其他条件不变时,随着Al含量的增加,熔覆层显微硬度逐渐降低,复合涂层硬度最高为920 HV,熔覆层抗氧化性能逐渐增强,这是由于氧化膜中Al2O3含量逐渐增多。而与基体相比,熔覆层氧化膜更为致密,抗剥落能力增强,高温抗氧化性能明显提高。 展开更多
关键词 激光熔敷 GH586 显微组织 硬度 氧化行为
下载PDF
用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布 被引量:1
5
作者 齐鸣 陈苹 罗晋生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期57-60,64,共5页
本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分布的简便方法,减少了测量分析的计算量,降低了对样品的要求。本文还给出了一些实验样品的测试结果。
关键词 C-V 测量 半导体 表面势 陷阱密度
下载PDF
15个木芙蓉品种在杭州地区的引种栽培与繁殖 被引量:13
6
作者 齐鸣 《江苏农业科学》 CSCD 北大核心 2012年第4期204-206,共3页
通过15个木芙蓉(Hibicus mutabilis)品种4年的引种栽培试验,比较了它们在杭州地区栽培的观赏价值及适应性,并进行了快繁试验。15个品种中牡丹红、牡丹粉、玉蕊、大红芙蓉、金秋颂5个品种花期较早,9月底至10月初始花,其他10个品种花期较... 通过15个木芙蓉(Hibicus mutabilis)品种4年的引种栽培试验,比较了它们在杭州地区栽培的观赏价值及适应性,并进行了快繁试验。15个品种中牡丹红、牡丹粉、玉蕊、大红芙蓉、金秋颂5个品种花期较早,9月底至10月初始花,其他10个品种花期较迟,始花期在10月中下旬。15个品种中仅白花、C-4、长梗庐山3个品种为单瓣品种,其余全为半重瓣和重瓣品种。单瓣品种花朵受雨水影响小,观赏效果更佳,具有更高的推广价值。15个品种均可用扦插进行快繁。木芙蓉喜湿,在水体周围应用效果最佳。 展开更多
关键词 木芙蓉 引种 栽培 应用
下载PDF
去甲肾上腺素与脂质过氧化关系的研究 被引量:1
7
作者 齐鸣 陈发郁 +1 位作者 唐朝枢 苏静怡 《北京医科大学学报》 CSCD 1991年第6期452-454,共3页
本实验观察到,一定浓度的去甲肾上腺素可显著抑制自由基发生系统引起的离体大鼠肝细胞及磷脂脂质体的过氧化,减轻脂质过氧化所致肝细胞LDH漏出及细胞内 Ca^(2+)积聚。10^(-4)mol/L去甲肾上腺素明显抑制花生四烯酸的过氧化。
关键词 去甲肾上腺素 脂质过氧化 肝细胞
下载PDF
具有超高掺杂基区的GaAs赝HBT分析 被引量:1
8
作者 齐鸣 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期132-135,共4页
超高掺杂GaAs具有明显的禁带变窄(BGN)效应,因此采用超高掺杂基区的GaAs同质晶体管也可获得HBT的效果.故称之为赝HBT(p—HBT)。本文根据实验结果讨论了超高掺杂情况下GaAs的BGN效应及其对有效本征载流子浓度的影响,并对np^+n型结构GaAs ... 超高掺杂GaAs具有明显的禁带变窄(BGN)效应,因此采用超高掺杂基区的GaAs同质晶体管也可获得HBT的效果.故称之为赝HBT(p—HBT)。本文根据实验结果讨论了超高掺杂情况下GaAs的BGN效应及其对有效本征载流子浓度的影响,并对np^+n型结构GaAs p—HBT的发射极注入效率和共发射极电流增益进行了理论分析。结果表明,当基区掺杂浓度高于1×10^(20)/cm^3时可以获得较好的器件特性。 展开更多
关键词 GAAS 超高掺杂 赝HBT 器件
下载PDF
DOPO基反应型阻燃剂的制备及其阻燃热塑性聚氨酯 被引量:2
9
作者 齐鸣 张文佳 +6 位作者 单德鹏 王金龙 彭正 杨承刚 陈泳齐 宋佳音 刘鲁斌 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期142-147,共6页
以10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(DOPO-HQ)和甲苯二异氰酸酯(TDI)为原料,通过加成反应成功制备了含端异氰酸酯基的DOPO基反应型阻燃剂(DRFR),并将其引入到热塑性聚氨酯(TPU)基体中,从而制备阻燃TPU复合材料,并... 以10-(2,5-二羟基苯基)-10-氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(DOPO-HQ)和甲苯二异氰酸酯(TDI)为原料,通过加成反应成功制备了含端异氰酸酯基的DOPO基反应型阻燃剂(DRFR),并将其引入到热塑性聚氨酯(TPU)基体中,从而制备阻燃TPU复合材料,并对TPU/DRFR复合材料的阻燃性能、燃烧行为、热降解性能和力学性能进行研究。结果表明,当DRFR的质量分数为26%时,TPU/DRFR复合材料的阻燃等级达到UL 94 V-0级,极限氧指数达27.6%,且熔滴得到了明显的抑制。DRFR的引入促进了TPU基体的提前降解炭化,从而使TPU/DRFR复合材料表面形成了致密、均一且坚硬的炭层,其有效地在固相中发挥了“挡板”作用,使得TPU/DRFR复合材料的热释放速率峰值和总热释放量与纯TPU相比分别降低了49.64%和34.65%。与此同时,DRFR在分解过程中,产生的含磷自由基和惰性气体有效地在气相中发挥了抑制作用,从而使得TPU/DRFR复合材料获得了优异的火安全性能。此外,DRFR的引入对TPU分子链段起到了交联作用,显著增强了TPU复合材料的拉伸强度。 展开更多
关键词 热塑性聚氨酯 DOPO基反应型阻燃剂 阻燃性能 力学性能
下载PDF
InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性
10
作者 齐鸣 徐安怀 +2 位作者 艾立鹍 孙浩 朱福英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期182-185,共4页
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在A... 通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平. 展开更多
关键词 InP INGAP GaAs GSMBE HBT
下载PDF
AlGaAs/GaAs缓变异质结双极晶体管空间电行区中的复合电流
11
作者 齐鸣 李爱珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期119-125,共7页
本文建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管(HBT)的分析模型.对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,缓变发射结虽可有效地消除导带边的势垒尖峰,但也会大大增加空间电荷区中的复合,导致小电流情况... 本文建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管(HBT)的分析模型.对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,缓变发射结虽可有效地消除导带边的势垒尖峰,但也会大大增加空间电荷区中的复合,导致小电流情况下电流增益的明显下降.发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合,加剧电流增益的下降.因此在器件的设计和制作过程中,应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度,以减小空间电荷区中的复合电流,获得较好的器件特性. 展开更多
关键词 HBT 双极晶体管 ALGAAS 砷化镓 异质结 复合电流
下载PDF
碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性
12
作者 齐鸣 罗晋生 +5 位作者 白■淳一 山田巧 野崎真次 高桥清 德光永辅 小长井诚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第7期402-409,共8页
本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当... 本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。 展开更多
关键词 半导体器件 掺杂 INGAAS MOMBE
下载PDF
直接热氮化SiO_2薄膜的电特性
13
作者 齐鸣 罗晋生 《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期14-18,共5页
对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用... 对热生长SiO_2膜,在NH_3气氛中高温退火所形成的热氮化SiO_2薄膜是一种有希望用于VLSI工艺的介质膜。本文采用多种方法,较为全面地分析了不同氮化条件下这种薄膜的界面特性、介电性能、电子陷阱参数、掩蔽杂质扩散能力等电学特性;并用其做为绝缘栅制成MOSFET。讨论了热氮化对阈电压和表面电子迁移率的影响。 展开更多
关键词 SIO2薄膜 氮化 高温退火 电特性
下载PDF
突变异质结双极晶体管中的复合效应与电流传输
14
作者 齐鸣 李爱珍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期274-280,共7页
建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管(HBT)模型,在热场发射-扩散(TFD)理论的基础上,又考虑了空间电荷区中的复合效应。对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒... 建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管(HBT)模型,在热场发射-扩散(TFD)理论的基础上,又考虑了空间电荷区中的复合效应。对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒尖峰,提高发射结的注入效率,但也会增大空间电荷区中的复合电流。因此,在实际器件的设计和制作中,应适当选择不掺杂隔离层的厚度,以获得较好的器件特性。还给出了计算突变异质结界面处电子准费米能级不连续的公式。 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 复合 电流传输
下载PDF
MOMBE法生长重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As应变超晶格
15
作者 齐鸣 罗晋生 +6 位作者 白■淳一 山田巧 野崎真次 高桥清 鹿岛秀夫 德光永辅 小长井诚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期461-467,共7页
本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10^(20)/cm^3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了... 本文采用以TMG、固体In和固体As作为分子束源的MOMBE法,首次成功地生长了空穴浓度高达1×10^(20)/cm^3数量级的重碳掺杂p型GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)应变超晶格(SLS)结构,用XRD、Raman、PL和Hall测量等方法分析了样品特性,讨论了结构参数对应变弛豫及SLS特性的影响,结果表明,所得样品不仅具有很高的空穴浓度,而且具有较窄的等效禁带宽度,可望用于GaAs系HBT基区的制作。 展开更多
关键词 化合物半导体 晶体生长 掺杂碳
下载PDF
GaAs/InGaAs应变异质结构临界厚度的Raman散射和PL谱分析
16
作者 齐鸣 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期292-297,共6页
采用室温Raman散射和低温光致发光(PL)谱,对以TMG,固体As和固体In作为分子束源的MOMBE法生长的GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)单层异质结构和多量子阱结构中InGaAs应变层的临界厚度进行了实验研究。由应变引起的Raman散射峰位移,以及PL谱... 采用室温Raman散射和低温光致发光(PL)谱,对以TMG,固体As和固体In作为分子束源的MOMBE法生长的GaAs/In_xGa_(1-x)As(x=0.3)单层异质结构和多量子阱结构中InGaAs应变层的临界厚度进行了实验研究。由应变引起的Raman散射峰位移,以及PL谱峰位置与应变和无应变状态下一维有限深势阱跃迁能量计算结果的比较可见,在In组分含量x=0.3的情况下,临界厚度H_c≤5nm,小于能量平衡理论的结果,而与力学平衡模型的理论值相近。 展开更多
关键词 临界厚度 砷化镓 砷镓铟 异质结构
下载PDF
大学英语教师课堂评价素养的内涵及素养提升路径探讨 被引量:1
17
作者 齐鸣 《智库时代》 2019年第41期80-80,95,共2页
教育理论和实践的一个重要组成部分就是评价,有效的评价将会促进学生全面发展。特别伴随大学英语课程改革的持续推进,混合式教学、翻转课堂等得到愈加广泛运用,这些新型的教学模式都要求大学英语教师不仅要上好课、做好教学反思,还要拥... 教育理论和实践的一个重要组成部分就是评价,有效的评价将会促进学生全面发展。特别伴随大学英语课程改革的持续推进,混合式教学、翻转课堂等得到愈加广泛运用,这些新型的教学模式都要求大学英语教师不仅要上好课、做好教学反思,还要拥有良好的评价素养。基于此,本文重点论述了大学英语教学课堂评价素养的内涵,以及提升素养的有效路径,仅供参考。 展开更多
关键词 课堂评价 大学英语 提升路径
下载PDF
翻转课堂教学模式在大学英语教学中的应用
18
作者 齐鸣 《文教资料》 2016年第20期185-186,共2页
“翻转课堂”实现了教学过程当中的师生地位对调,解决了传统大学英语教学模式中存在的种种问题与不足,可以显著提高教学的质量与有效性。作者基于自身的实际教学工作经验,首先对翻转课堂的基本概念与优势进行了分析,然后主要对翻转课堂... “翻转课堂”实现了教学过程当中的师生地位对调,解决了传统大学英语教学模式中存在的种种问题与不足,可以显著提高教学的质量与有效性。作者基于自身的实际教学工作经验,首先对翻转课堂的基本概念与优势进行了分析,然后主要对翻转课堂教学模式在大学英语教学中的应用提出了探讨,以期能促进翻转课堂教学模式在大学英语教学中的推广实践,使学生的英语学习受益。 展开更多
关键词 大学英语 翻转课堂 概念 优势
下载PDF
船舶锚泊系统扰动力平衡计算 被引量:2
19
作者 齐鸣 严传续 +1 位作者 孟宏斌 荣焕宗 《中国造船》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期158-164,共7页
分析了船舶锚泊系统中锚索悬链状态的特性,根据平衡状态下船舶受到的总回复力和扰动力相平衡的原理,定义目标函数为船舶x,y方向合力平方和,采用单纯形直接搜索法求解,寻找扰动力作用下船舶新的平衡位置。用面向对象的VC++工具开发了船... 分析了船舶锚泊系统中锚索悬链状态的特性,根据平衡状态下船舶受到的总回复力和扰动力相平衡的原理,定义目标函数为船舶x,y方向合力平方和,采用单纯形直接搜索法求解,寻找扰动力作用下船舶新的平衡位置。用面向对象的VC++工具开发了船舶锚泊系统扰动力计算软件,对某个锚泊系统实例进行计算,得到了船舶在扰动力作用下的平衡位置和锚索受力,计算结果达到了设计要求。 展开更多
关键词 锚泊系统 扰动力 平衡位置 单纯形法 应用软件
下载PDF
山莨菪碱对内毒素与大鼠离体心脏及肝细胞结合的抑制作用 被引量:5
20
作者 唐朝枢 齐鸣 +4 位作者 李兆萍 刘福安 陈发郁 苏静怡 冯元怡 《中国病理生理杂志》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期70-73,共4页
本实验用含异硫氰荧光素标记的内毒素(FITC内毒素25μg/ml)的灌流液及含内毒素和山莨菪碱(各25μg/ml)的灌流液进行大鼠离体心脏灌流。经荧光分光光度计测定灌流前后灌流液内毒素含量,发现山莨菪碱使内毒素与心肌组织结合率降低47.7%(P&... 本实验用含异硫氰荧光素标记的内毒素(FITC内毒素25μg/ml)的灌流液及含内毒素和山莨菪碱(各25μg/ml)的灌流液进行大鼠离体心脏灌流。经荧光分光光度计测定灌流前后灌流液内毒素含量,发现山莨菪碱使内毒素与心肌组织结合率降低47.7%(P<0.02)。分离的大鼠肝细胞与FITC内毒素共同孵育,预先或同时加入山莨菪碱均可明显抑制内毒素与肝细胞结合。本实验说明:山莨菪碱在离体组织器官及细胞水平均可抑制宿主缅胞与内毒素的结合。提示:山莨菪碱在细胞膜水平上与内毒素相拮抗。 展开更多
关键词 内毒素 肝脏 心脏 山莨菪碱
下载PDF
上一页 1 2 23 下一页 到第
使用帮助 返回顶部