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Ce介电增强WO_(3)在摩擦纳米发电机中的应用
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作者 任远航 谢远航 +3 位作者 张雨涵 陈杰 万步勇 杨晓红 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期8214-8220,共7页
采用水热法制备WO_(3)和Ce掺杂的WO_(3)(Ce:WO_(3))纳米颗粒,以Ce:WO_(3)填充聚二甲基硅氧烷(PDMS)制备复合膜,研究Ce掺杂对WO_(3)颗粒及复合膜介电性能的影响,并以Ce:WO_(3)/PDMS复合膜作为摩擦纳米发电机(TENG)的摩擦层(Ce:WO_(3)/PDM... 采用水热法制备WO_(3)和Ce掺杂的WO_(3)(Ce:WO_(3))纳米颗粒,以Ce:WO_(3)填充聚二甲基硅氧烷(PDMS)制备复合膜,研究Ce掺杂对WO_(3)颗粒及复合膜介电性能的影响,并以Ce:WO_(3)/PDMS复合膜作为摩擦纳米发电机(TENG)的摩擦层(Ce:WO_(3)/PDMS-TENG),研究Ce介电增强WO_(3)对TENG输出性能的影响。结果表明Ce掺杂对WO_(3)纳米颗粒的晶体结构和晶粒尺寸几乎没有影响,但能有效增强纳米WO_(3)的介电性能,介电常数由9.99提升至20.83。体积比为8%、掺杂比1.5%Ce:WO_(3)/PDMS-TENG,相比纯PDMS-TENG输出性能有显著提升,开路电压由114 V提升至279 V、短路电流由1.38μA提升至7.02μA、转移电荷由35.7nC提升至99.7nC。 展开更多
关键词 WO_(3)颗粒 CE掺杂 介电常数 摩擦纳米发电机
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二酮吡咯并吡咯基半导体/碳量子点平面异质结光电晶体管的制备及性能研究
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作者 艾志强 周涵 +3 位作者 钱勇 程在天 王辉 张发培 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期9031-9039,共9页
采用二酮吡咯并吡咯基半导体聚合物PDVT-10与新型碳纳米材料碳量子点(CQDs)复合,通过溶液法制备了平面异质结薄膜有机光电晶体管(OPT)。PDVT-10/CQDs薄膜叠加了PDVT-10和CQDs的光学特性,在紫外至近红外的宽频范围显示了很高的光吸收能... 采用二酮吡咯并吡咯基半导体聚合物PDVT-10与新型碳纳米材料碳量子点(CQDs)复合,通过溶液法制备了平面异质结薄膜有机光电晶体管(OPT)。PDVT-10/CQDs薄膜叠加了PDVT-10和CQDs的光学特性,在紫外至近红外的宽频范围显示了很高的光吸收能力。相较于纯PDVT-10光电晶体管,PDVT-10/CQDs平面异质结OPT展现出更优异的宽谱光电探测性能,在450 nm激光照射下,器件的光响应度达2.6×10^(4)A/W,比探测率达2.4×10^(13)Jones,最大光灵敏度超104;在808 nm光照下,光响应度甚至高达4.4×10^(4)A/W,比探测率达1.2×10^(13)Jones。根据OPT光响应过程的探究,PDVT-10/CQDs异质结器件的性能提升源于界面处合适的能级排布增强了激子的解离效率、促进电荷分离,并有效减少了空穴-电子复合几率,同时PDVT-10高空穴迁移率有助于形成高效的电荷传输通路。研究为发展高性能有机光探测器件中提供了一条重要途径。 展开更多
关键词 半导体聚合物 碳量子点 平面异质结 有机光电晶体管 电荷分离
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重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性
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作者 杨磊 程佳辉 +3 位作者 杨蕾 张泽盛 龚春生 简基康 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期417-424,共8页
系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al... 系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al电极可呈现出欧姆接触行为,其比接触电阻率为1.98×10^(-3)Ω·cm^(2),退火处理后Al电极与SiC在接触界面形成化合物Al_(4)C_(3),有助于提高接触界面稳定性。在Ni/Al复合体系中,当Ni金属层厚度为50 nm时,其比接触电阻率显著降低至4.013×10^(-4)Ω·cm^(2)。退火后Ni与SiC在接触界面生成的Ni_(2)Si有利于欧姆接触的形成和降低比接触电阻率。研究结果可为开发液相法生长的p型SiC晶片电子器件提供参考。 展开更多
关键词 p型SiC Ni/Al 欧姆接触 重掺杂 液相法
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具有陷光结构的半透明有机/铜锌锡硫硒四端串联太阳能电池
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作者 周慧 郑巧 《光电子技术》 CAS 2024年第2期127-132,共6页
采用半透明有机太阳能电池和铜锌锡硫硒太阳能电池构成四端串联太阳能器件,并且利用表面具有微型金字塔结构的微米聚二甲基硅氧烷(PS-PDMS)膜的减反射作用来提高太阳能电池的效率。为了研究PS-PDMS的尺寸和放置位置对四端串联太阳能电... 采用半透明有机太阳能电池和铜锌锡硫硒太阳能电池构成四端串联太阳能器件,并且利用表面具有微型金字塔结构的微米聚二甲基硅氧烷(PS-PDMS)膜的减反射作用来提高太阳能电池的效率。为了研究PS-PDMS的尺寸和放置位置对四端串联太阳能电池性能的影响。制备了尺寸分别为18μm、14μm和9μm微型金字塔结构的PS-PDMS薄膜,比较了不同尺寸下PS-PDMS薄膜的减反射效果,发现9μm尺寸的PS-PDMS薄膜的减反射效果最好。将9μm尺寸的PS-PDMS薄膜用在四端串联太阳能电池的底电池时,四端串联太阳能电池具有最佳效率。最终获得了效率为11.26%的四端串联太阳能电池。与单结铜锌锡硫硒太阳能电池相比,四端串联太阳能电池的最佳效率提高了27.51%。 展开更多
关键词 半透明有机太阳能电池 铜锌锡硫硒太阳能电池 四端串联太阳能电池 陷光结构 减反射薄膜
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Zn_(1-x)Mg_xO薄膜p型导电和光学性能 被引量:10
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作者 张霞 李效民 +4 位作者 陈同来 于伟东 高相东 张灿云 赵俊亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期503-508,共6页
采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD... 采用超声喷雾热分解(U ltrason ic Spray Pyrolysis,USP)方法,以醋酸锌、醋酸镁、醋酸铵、氯化铝的混合水溶液为前驱溶液,在单晶S i(100)衬底上制备了ZnO,Zn0.81Mg0.19O,N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜。以X射线衍射(XRD)、场发射-扫描电镜(FE-SEM)、霍尔效应(Hall-effect)、光致发光(Photolum inescence,PL)谱等手段研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性能、光学性能和带隙变化。电学测试结果表明,未掺杂ZnO及Zn0.81Mg0.19O薄膜为n型导电;而N-A l共掺杂ZnO和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O薄膜呈p型导电。Zn0.81Mg0.19O和N-A l共掺杂Zn0.81Mg0.19O(p型)薄膜在维持ZnO纤锌矿结构的前提下,光学带隙随Mg掺杂量增加而增大。初步结果显示,优化工艺参数下通过Mg掺杂制备光学带隙可调的p型Zn0.81Mg0.19O薄膜,对于试制Zn1-xMgxO基同质p-n结、短波长(紫外、深紫外)器件等方面有重要意义。 展开更多
关键词 超声喷雾热分解 P型Zn1-xMgxO薄膜 导电性能 光致发光
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Ta_2O_5绝缘层厚度对ZnO基薄膜晶体管器件性能的影响(英文) 被引量:7
6
作者 周帆 张良 +5 位作者 李俊 张小文 林华平 俞东斌 蒋雪茵 张志林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期188-193,共6页
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增... 报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5薄膜作为绝缘层的一组底栅氧化锌薄膜晶体管器件。从实验结果可以得出如下结论:随着Ta2O5栅绝缘层厚度的增加,相应器件的场效应迁移率下降,其数值分别是50.5,59.3,63.8,71.2 cm2/V.s,对应100,85,60,40 nm厚度的绝缘层。从原子力显微图像可以看到,Ta2O5薄膜表面粗糙度随着薄膜厚度的减小而降低,这是场效应迁移率得以提高的主要原因。而100,85,60,40 nm不同厚度的绝缘层相应器件的开关电流比分别是1.2×105,4.8×105,3.2×104,7.2×103,其阈值电压分别为1.9,1.5,1.2,0.9 V。从各项性能综合考虑,85 nm厚度的Ta2O5栅绝缘层所制备的薄膜晶体管器件具有最佳性能。 展开更多
关键词 TA2O5 绝缘层 氧化性薄膜晶体管 磁控溅射 表面形貌
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多层黑磷中厚度和应力依赖的能隙变化研究 被引量:15
7
作者 琚伟伟 李同伟 +1 位作者 雍永亮 孙金锋 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期329-335,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了单层及多层黑磷晶体的能隙随层数和外加应力的变化.计算结果表明,体系能隙随着层数的增加而减小,当层数增加到10时,二维黑磷的能隙非常接近于其体材料值.层间的相互作用导致的能带劈裂是能... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了单层及多层黑磷晶体的能隙随层数和外加应力的变化.计算结果表明,体系能隙随着层数的增加而减小,当层数增加到10时,二维黑磷的能隙非常接近于其体材料值.层间的相互作用导致的能带劈裂是能隙减小的直接原因.应力对10层黑磷电子结构的影响也被研究.计算表明,压缩应力可以使10层黑磷从半导体转变为金属,而拉伸应力仅对能隙大小产生影响. 展开更多
关键词 电子结构 能隙 第一性原理 黑磷
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片状立方氮化硼合成及其导电特性研究 被引量:7
8
作者 张铁臣 王明光 +3 位作者 郭伟力 刘建亭 高春晓 邹广田 《高压物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期168-173,共6页
通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300~500μm的片状立方氮化硼(cBN)单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂,获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V-A特性。
关键词 合成 CBN V-A特性 立方氮化硼 导电性
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电子辐照SiGe HBT和SiBJT的直流特性分析 被引量:7
9
作者 黄文韬 王吉林 +4 位作者 刘志农 陈长春 陈培毅 钱佩信 孟祥提 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期213-216,共4页
研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在... 研究了 1 MeV 不同剂量电子辐照前后 SiGe 异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与 Si 双极晶体管(BJT)进行了比较。结果表明辐照后 SiGe HBT 的 IB基本不变,IC和β 都下降;随电子辐照剂量的增加,Ic和β 都减小。对 Si BJT 而言,IB和 IC与在相同辐照剂量辐照后的 SiGe HBT 相比都增大很多,β 下降幅度也很大。这说明 SiGe HBT 具有比 Si BJT 更好的抗辐照性能。对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析。 展开更多
关键词 电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性
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氧化物稀磁半导体的研究进展 被引量:11
10
作者 许小红 李小丽 +4 位作者 齐世飞 江凤仙 全志勇 范九萍 马荣荣 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2012年第4期199-232,共34页
稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其... 稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。 展开更多
关键词 氧化物稀磁半导体 自旋注入 异质结构
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籽晶层对喷雾热分解法生长ZnO薄膜结晶质量和光电性能的影响 被引量:5
11
作者 赵俊亮 李效民 +2 位作者 古彦飞 于伟东 杨长 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期933-938,共6页
通过脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上沉积一层高质量的ZnO籽晶层,在籽晶层上进一步采用超声喷雾热分解(USP)法生长ZnO薄膜,研究了籽晶层对ZnO薄膜结晶质量和ZnO/Si异质结光电特性的影响。研究结果表明,在籽晶层的诱导作用下,USP... 通过脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上沉积一层高质量的ZnO籽晶层,在籽晶层上进一步采用超声喷雾热分解(USP)法生长ZnO薄膜,研究了籽晶层对ZnO薄膜结晶质量和ZnO/Si异质结光电特性的影响。研究结果表明,在籽晶层的诱导作用下,USP法生长ZnO薄膜由多取向结构变为(002)单一取向,结晶性能得到了显著改善;籽晶层上生长的薄膜呈现出垂直于衬底生长的柱状晶结构,微观结构更加致密。通过研究紫外光照前后ZnO/Si异质结的整流特性,发现引入籽晶层后,反向偏压下异质结的光电响应显著增加,并且在开路状态下出现明显的光伏效应。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 籽晶层 喷雾热分解法 结晶质量 光电性能
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SOI器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究 被引量:7
12
作者 梁堃 孙鹏 +3 位作者 李沫 代刚 李顺 解磊 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期187-192,共6页
为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计... 为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比,获得了本文实验条件下的辐射剂量率-激光能量模拟等效关系。结果表明,激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。 展开更多
关键词 瞬时剂量率效应 半导体SOI器件 激光模拟技术 瞬时光电流
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Ta_2O_5的氢热处理对有机薄膜晶体管性能的影响 被引量:5
13
作者 彭俊彪 兰林锋 +2 位作者 杨开霞 牛巧丽 曹镛 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期105-108,112,共5页
以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的... 以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低. 展开更多
关键词 有机晶体管 氧化钽 氢热处理
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退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响 被引量:5
14
作者 张新安 张景文 +1 位作者 张伟风 侯洵 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期557-561,共5页
采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应... 采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT)。研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大。用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关。 展开更多
关键词 氧化锌 薄膜 晶体管 退火
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HgI_2多晶薄膜的气相同质外延生长 被引量:7
15
作者 许岗 谷智 魏淑敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期247-250,254,共5页
为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层。通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉积HgI2多晶薄膜。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以13... 为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层。通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉积HgI2多晶薄膜。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以137 Cs为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。 展开更多
关键词 碘化汞 多晶薄膜 同质外延 定向生长
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基于水热法制备的ZnO纳米棒的CO传感器 被引量:5
16
作者 魏昂 黄维 +1 位作者 徐春祥 孙小卫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期880-884,共5页
纳米结构的氧化锌(ZnO)可以吸附大量的气体,并且在吸附了气体之后形成特定的表面态,从而对其导电性产生显著的影响。用水热法在ITO电极之间制备了ZnO纳米棒阵列,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)等表征后发现... 纳米结构的氧化锌(ZnO)可以吸附大量的气体,并且在吸附了气体之后形成特定的表面态,从而对其导电性产生显著的影响。用水热法在ITO电极之间制备了ZnO纳米棒阵列,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)等表征后发现,制得的ZnO纳米棒具有较好的结晶性。在200℃下,当1.25mg/L的CO气体通过ZnO纳米棒时,ITO电极两端的电流发生了较明显的改变,显示该装置对CO气体具有较明显的响应(灵敏度为18)。可以预见通过改变电极之间生长的ZnO纳米结构形貌,提高纳米结构的表面利用率,以及适当提高测试温度,可以进一步提高传感器的灵敏度。制作的气体传感器具有简单、廉价、环保的特点,对于气体传感器的设计提供了新的思路。 展开更多
关键词 水热法 氧化锌 气体传感器
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CdCl_2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究 被引量:3
17
作者 黄小融 张静全 +2 位作者 郑家贵 黎兵 蔡伟 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1999年第4期419-422,共4页
对CdS薄膜用不同浓度的CdCl2溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σd和电导激活能Ea随CdCl2溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用CdCl2处理再退火的样品,暗电导率σd随温度T变化的关系(lnσd... 对CdS薄膜用不同浓度的CdCl2溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σd和电导激活能Ea随CdCl2溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用CdCl2处理再退火的样品,暗电导率σd随温度T变化的关系(lnσd1000/T)为分段直线,对应于不同的Ea.本文就上述结果进行了讨论,并用Cl-的扩散进行了解释. 展开更多
关键词 退火 硫化镉 多晶薄膜 氯化镉处理 电学性质
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聚苯胺导电机理的探讨 被引量:9
18
作者 唐劲松 詹瑞云 +3 位作者 倪少儒 景遐斌 王宝忱 王佛松 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1989年第2期140-145,共6页
本文根据ESR及宽线~1H-NMR的实验结果,对聚苯胺(PAn)导电机理作了初步探讨。结果表明,醌二亚胺与苯二胺双自由基间存在着共振关系,二者总是以一定的比例共存:掺杂时,共振平衡向苯二胺双自由基方向偏移;在频率高于50MHz时,一维的电子运... 本文根据ESR及宽线~1H-NMR的实验结果,对聚苯胺(PAn)导电机理作了初步探讨。结果表明,醌二亚胺与苯二胺双自由基间存在着共振关系,二者总是以一定的比例共存:掺杂时,共振平衡向苯二胺双自由基方向偏移;在频率高于50MHz时,一维的电子运动为占优势的传递方式,这种电子的传递通过Heisenberg交换来实现;当频率低于50MHz时,三维的电子扩散在导电机制中起了重要作用。 展开更多
关键词 聚苯胺 导电机理
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ZnO/P-Si接触及其温度特性 被引量:3
19
作者 刘磁辉 刘秉策 +2 位作者 马泽宇 段理 付竹西 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期857-860,共4页
用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低... 用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量。实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿。用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高。异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释。样品经Air^800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响。 展开更多
关键词 氧化锌 异质结 势垒 温度特性
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发育后期苹果的介电特性与理化特性的关系 被引量:10
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作者 孔繁荣 郭文川 《食品科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期13-17,共5页
为了解发育后期苹果的介电特性、生理特性和内部品质的变化规律以及三者之间的关系,采用同轴探头技术测量发育后期3个月内‘富士’苹果在20~4 500 MHz间的相对介电常数ε’和介质损耗因子ε",同时测量苹果果实的生理特性(乙烯释放量... 为了解发育后期苹果的介电特性、生理特性和内部品质的变化规律以及三者之间的关系,采用同轴探头技术测量发育后期3个月内‘富士’苹果在20~4 500 MHz间的相对介电常数ε’和介质损耗因子ε",同时测量苹果果实的生理特性(乙烯释放量和呼吸强度)和内部品质(可溶性固形物含量(soluble solids content,SSC)、硬度、p H值和含水率)。结果表明:ε’随频率的增加而减小,ε"在2 000 MHz附近存在极小值;随着果实逐渐发育成熟,ε’和ε"逐渐减小。整个发育后期,果实的SSC和果汁的p H值呈上升趋势,硬度呈下降趋势;乙烯释放高峰出现在2个呼吸高峰之间。ε’和ε"与SSC、硬度和p H值在特定的频率范围内存在较好的线性相关性。研究说明,苹果的介电特性是生理特性与内部品质的综合反映,根据介电参数值判断苹果的成熟情况以及用单一频率下的介电参数值评价苹果的内部品质均可行。 展开更多
关键词 苹果 发育后期 相对介电常数 介质损耗因子 生理特性 品质-
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