液态金属离子源聚焦离子束系统在微米/纳米技术中的应用

随着微米／纳米科学技术的发展，微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目．本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能，着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用：（1）半导体大规模集成电路器件的集成、失误诊断和修复．（2）光电子集成技术中量子阱激光器和光纤相位掩模的制备及量子效应研究．（3）超导器件和真空微电子器件的研制．（4）二次离子质谱分析和透射电子显微镜样品的制备．

适用于剥离工艺的光刻胶图形的制作技术及其机理讨论

研究了AZ－1350胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术，并对一些机理性问题进行了讨论。

三维多芯片组件

三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。

芯片加工中的器件损伤

分析了芯片加工中器件损伤的物理机制并给出了减小损伤的方法。

SMT激光软钎焊自动焊接系统的研究

本文研制成功激光软钎焊焊点示教系统，并且实现了激光器电源的计算机控制，能对激光输出功率和加热时间进行精密调节。同时，对几种典型元件的激光软钎焊工艺规范进行了探索。

Costas环单片集成电路

介绍了多功能单片集成Ｃｏｓｔａｓ环ＫＤ８２的电路、版图和工艺设计方法。

一种FPGA的硬线化技术：SMPGA

对国内广泛应用的ＸｉｌｉｎｘＦＰＧＡ进行了研究。在此基础上，开发了一种ＦＰ－ＧＡ硬线化技术——ＳＭＰＧＡ。该技术具有兼容性好、成本低和转换迅速等优点。叙述了实现ＦＰＧＡ硬线化技术的基本思路和方法。详细介绍了ＳＭＰＧＡ母片的版图设计和编程转换软件以及ＬＣＡ电路图提取软件的开发。实验结果证明。

TAB载体工艺技术研究

简单介绍了 TAB封装技术 ,重点介绍了 Al—TAB载体的制作工艺 ,并对

自动砂轮划片机定位监视系统

本文叙述了ZSH—Ⅱ型自动砂轮划片机分离视场显微镜——TV监视器定位监视系统的组成、技术指标、结构特点和参数选择等有关问题。

低阻W/WN难熔栅技术研究

探索了新型难熔栅 W/WN工艺制备技术 ,通过 SEM,XRD,SIMS,XPS等手段对WN,WN/Ga As特性作了分析。结果表明 ,溅射气压和 N分压对 W,WN薄膜特性有着显著影响 ,通过工艺条件的优化 ,制备的 W/WN膜厚为 36 0 nm,方块分压为 0 .5 1Ω。利用Si O2 作为退火包封层 ,780℃ 10 s快速退火后 ,W/WN能够保持好的稳定性 ,在此基础上制备了肖特基二极管和自对准的 Ga As MESF ET。

微电子技术用于硅基底导波光学互连

本文论述了微电子技术在硅基底导波光学互连中的应用。并对技术上存在着的问题进行了讨论,侧重点是关于集成单片光发射器和接收电路与光互连器件工艺兼容问题,并指出了将来的发展方向。

激光软钎焊的研究现状及发展趋势

激光软钎焊技术在微电子焊接和封装方面具有重要的应用价值。阐述了激光软钎焊的原理,简要介绍了CO2激光、YAG激光及半导体激光软钎焊系统各自的工艺特点,分析了各种激光软钎焊方法的不足及需要进一步研究解决的问题,并对激光软钎焊的发展趋势进行了分析预测。特别是解决了激光软钎焊的激光实时监控、焊点缺陷实时检测、焊接智能化等技术问题后,将会得到更为广泛的应用。

波峰焊工艺及常见问题分析

波峰焊接作为一种焊接技术为社会的发展作出了极大的贡献。本文主要就波峰焊基本工艺流程、工艺参数的设置以及常见问题分析三大方面进行了分析与探讨。

PCB上焊点信息自动获取及焊接路径优化

本文实现了自动从PCB的CAD磁盘文件中获取焊点位置、类型信息,为实现表面组装激光软钎焊的过程自动化确立了必要的条件。同时还给出了焊点路径优化的一种方案。

激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究

本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２μｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳ－ＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。

用近贴式软X射线光刻术研究DCPA光刻胶的曝光性能

采用软Ｘ射线近贴式光刻术，对ＤＣＰＡ光刻胶的曝光性能进行了系统研究，得到了一些新的实验结果。

基于数字微镜的高质量精缩投影光刻系统的研制

文章详细介绍了数字微镜系统总体设计,并进行了实验验证。数字微镜如果结合高质量的高倍精缩投影光学系统,完全可实现亚微米级衍射微光学元件的制作。最后对系统特点和系统误差进行了总结。

HEMT－HBT单片集成技术

简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。

金属和超导引线信号传输理论及性能对比分析

对金属和超导引线的信号传输理论作了较详细的研究，重点、讨论了两种引线的功率衰减和信号传输相速的频率特性，并对两种引线的传输性能尤其是高频信号的传输性能进行了对比．

掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理

比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。