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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
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作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多
关键词 驱动放大器 宽带射频 SIGE工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片
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作者 徐伟 赵子润 +1 位作者 刘会东 李远鹏 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期575-579,588,共6页
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、... 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。 展开更多
关键词 双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器
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一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块
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作者 陈兴 张超 +1 位作者 陈东博 赵永志 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第6期569-574,共6页
基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建... 基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建模,保证低损耗输出,采用导热垫加微流道散热板达到了良好的散热效果,实现模块高功率输出;对模块的微波垂直互连结构和散热进行建模和仿真。测试结果表明,在14~18 GHz内发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于21 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为14.0 mm×14.0 mm×3.3 mm。该模块在兼顾高集成度的同时性能指标得到了进一步提升。 展开更多
关键词 硅基微电子机械系统(MEMS) 收发(T/R)模块 三维集成 高功率 散热设计
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低损耗太赫兹波导腔体传输结构与互联接口设计技术
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作者 张博 张勇 《空间电子技术》 2024年第4期77-85,共9页
文章介绍了降低太赫兹波导传输和互联损耗的方法及实验结果。当前,矩形波导多采用金属分块技术制作,且H面剖分波导损耗明显高于E面剖分波导损耗。为了抑制H面波导的电磁泄漏和辐射损耗,降低整体的传输损耗,在波导剖分表面添加了电磁带... 文章介绍了降低太赫兹波导传输和互联损耗的方法及实验结果。当前,矩形波导多采用金属分块技术制作,且H面剖分波导损耗明显高于E面剖分波导损耗。为了抑制H面波导的电磁泄漏和辐射损耗,降低整体的传输损耗,在波导剖分表面添加了电磁带隙结构或扼流槽结构。采用传统的数控铣削和金属分块技术制备了一些波导样品,包括常规的矩形波导、带隙波导和扼流波导,并在170GHz~260GHz频段进行了测量和损耗对比。实验结果表明,在太赫兹频率下,波导分裂带来的不连续间隙使常规的H面波导损耗高达0.074dB/mm;带隙波导的损耗为0.017dB/mm,但加工耗时且价格昂贵;扼流波导的损耗为0.025dB/mm,成本和性能适中。此外,还设计制备了基于零形扼流槽的波导法兰,用于无接触低损耗太赫兹波导互联应用。相比常规波导法兰,基于文章设计的法兰互联性能稳定,改善效果显著。 展开更多
关键词 低损耗H面波导 矩形波导 太赫兹 波导扼流 波导互联
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宽带射频限幅器的设计
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作者 魏庆发 刘磊 +1 位作者 王正斌 张军马 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第8期84-88,共5页
文中首先根据器件手册完善了所用PIN管的spice模型,保证仿真结果的准确性;接着,分析了宽带射频(RF)限幅器中PIN二极管在高于、低于渡越频率的频段时工作状态的不同,并给出了对应功耗的计算方法,以保证功耗的精确性;然后,根据滤波器原理... 文中首先根据器件手册完善了所用PIN管的spice模型,保证仿真结果的准确性;接着,分析了宽带射频(RF)限幅器中PIN二极管在高于、低于渡越频率的频段时工作状态的不同,并给出了对应功耗的计算方法,以保证功耗的精确性;然后,根据滤波器原理用三对反向并联的PIN管设计了一款宽带RF限幅器;最后,根据高、低频段功耗的不同给出了该限幅器的输入功率上限。实测结果表明,在3 MHz~3 GHz的宽频带范围内,其回波损耗大于24 dB,插入损耗小于1.6 dB。该宽带RF限幅器可将30 dBm的连续波信号限制在15 dBm以内,结构简单,价格低廉,易于与其他电路集成,可用于通信设备和测量设备的输入保护。 展开更多
关键词 限幅器 宽带 PIN二极管 功耗
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
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作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
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射频集成微系统技术的发展与典型应用
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作者 杨进 张君直 +2 位作者 朱健 韩磊 孙斌 《上海航天(中英文)》 CSCD 2024年第4期102-112,共11页
摩尔定律已经逐渐放缓,并越来越逼近其物理极限,但未来的射频系统仍然朝着更高集成度、更高性能、更高工作频率等方向发展,射频集成微系统技术是实现射频系统微型化的核心技术之一。本文首先对射频微系统的发展和现状进行了介绍,重点分... 摩尔定律已经逐渐放缓,并越来越逼近其物理极限,但未来的射频系统仍然朝着更高集成度、更高性能、更高工作频率等方向发展,射频集成微系统技术是实现射频系统微型化的核心技术之一。本文首先对射频微系统的发展和现状进行了介绍,重点分析了美国国防高级研究计划局(DARPA)的微系统发展历程和经典项目,接着对射频微系统的技术路线和解决方案进行了梳理和总结,随后通过一系列典型应用案例,展现了最新的射频集成微系统技术,最后提出了射频集成微系统技术的进一步发展思路。 展开更多
关键词 摩尔定律 射频(RF) 集成 微系统 解决方案
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应用于收发链路多模块级联的优化设计方法
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作者 余秋实 郭润楠 +7 位作者 陈昊 庄园 梁云 闫昱君 吴霞 葛逢春 王维波 陶洪琪 《电子技术应用》 2024年第5期77-83,共7页
为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及... 为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及设计流程进行了简要分析,并通过加工一款采用优化设计方案的4通道X/Ku波段的射频收发芯片,验证了该设计方案的可实现性与有效性。在8 GHz~18 GHz频带范围内,该芯片与基于端口驻波设计体系的原芯片相比,收发链路增益分别为6.5 dB和14 dB,提升了超过2 dB。发射链路输出功率21 dBm,发射效率为15.7%,分别提升了1 dB和9%。接收链路噪声系数为8.72 dB,降低了1.2 dB。收发链路最大移相均方根误差为5.12°和5.25°,分别下降了3.17°和1.75°。 展开更多
关键词 多模块级联 X/Ku波段 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 相控阵收发芯片
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一款基于GaAs工艺的超宽带混频多功能芯片 被引量:1
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作者 张斌 汪柏康 +2 位作者 张沁枫 孙文俊 秦战明 《电子设计工程》 2024年第16期49-53,共5页
针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴... 针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴伦构成,本振驱动放大器采用单电源两级自偏式负反馈共源结构。多功能芯片射频(RF)带宽为8~20 GHz,本振(LO)带宽为8~20 GHz,中频(IF)带宽为0.01~5 GHz。在本振驱动功率为-3 dBm时,芯片变频损耗典型值为8.0 dB,本振/射频隔离度典型值为25 dB,本振/中频隔离度典型值为45 dB,射频/中频隔离度典型值为45 dB,输入为1 dB功率压缩点典型值为12 dBm,驱动放大器功耗为+5 V/50 mA,芯片尺寸仅为2.2 mm×1.15 mm×0.1 mm。该混频多功能芯片的实测结果与仿真结果对比吻合,电特性优良,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 混频器 驱动放大器 砷化镓 超宽带 巴伦
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面向功放-整流一体化设计的逆F类功率放大器
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作者 李昊东 邓雨轩 +1 位作者 郭朝阳 张浩 《空间电子技术》 2024年第3期72-78,共7页
针对微波无线功率传输对于高功率处理能力的高效整流器需求,提出一种基于高效率功率放大器的功放-整流一体化设计思路。文章首先使用型号为CG2H40010F的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),通过谐波控制、负载牵引等方法,设计出一款工... 针对微波无线功率传输对于高功率处理能力的高效整流器需求,提出一种基于高效率功率放大器的功放-整流一体化设计思路。文章首先使用型号为CG2H40010F的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),通过谐波控制、负载牵引等方法,设计出一款工作在2.45GHz逆F类高效率功率放大器。在高效率功率放大器的基础上基于时间反转对偶理论,通过改变逆F类功率放大器电流方向,同时结合耦合器和移相器实现了高功率容量整流电路的设计。仿真结果表明,在2.45GHz工作频率下,功率放大器的输入功率为28dBm时,功率附加效率达到76%,输出功率40dBm;整流电路的输入功率为41dBm时,RF-DC转换效率可达到79%,整流最佳效率大于80%,显示了整流器的高功率处理能力。引入了两个单刀双掷开关实现功率放大器和整流器的功能切换,文章对核心电路功率放大器进行了实物测试,测试结果与仿真重合较好,验证了功放-整流一体化设计的可行性。 展开更多
关键词 无线功率传输 时间反转对偶理论 逆F类功率放大器 高功率容量整流电路 功放-整流一体化
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330 GHz集成化T/R组件的设计与实现
11
作者 凌清岚 姚常飞 张炎 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期79-84,共6页
针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号... 针对某机载雷达收发组件小型化的应用要求,基于混合微波集成电路技术设计了一种330 GHz集成化收发组件。收发组件主要由本振链路、发射链路以及接收链路三个模块构成。本振链路输入信号经倍频、滤波、放大、功分后发射,并完成回波信号的低噪声接收。该组件采用收发一体化、单级四次倍频的设计思想,通过简化电路拓扑结构实现高集成度、高输出功率的指标要求。所设计的收发组件整体尺寸为65 mm×38 mm×19 mm。实测后得出该收发组件在329 GHz~341 GHz频率范围内,倍频发射功率为2 mW~5 mW,接收机变频损耗为11 dB~13 dB,模块功耗为10.38 W。该组件具备良好的射频性能,并成功应用于某机载雷达系统中。 展开更多
关键词 太赫兹 收发组件 集成化 四倍频器 混频器
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应用于WiFi6的新型高线性度功率放大器设计
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作者 姚凤薇 焦凌彬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期93-98,共6页
针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改... 针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改进,有效降低了射频系统的功耗。针对各次谐波分量产生的影响,对输出匹配网络进行了优化。仿真结果表明:该射频功率放大器芯片小信号增益达到了32.6 dB;在中心频率5.5 GHz时1 dB压缩点功率为30.4 dBm,功率附加效率超过27.9%;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-40 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.4 dB;5.5 GHz时1 dB压缩点功率为29.06 dBm;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-30 dBc。当输出功率为20 dBm时,二次三次谐波抑制到-30 dBc和-45 dBc。 展开更多
关键词 砷化镓异质结双极型晶体管 偏置电路 功率检测电路 匹配网络 高线性度
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基于先进工艺技术的机电控制SiP电路的设计与测试
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作者 许文运 张明 郑利华 《电子技术应用》 2024年第11期105-108,共4页
机电控制系统包含多款芯片,其小型化、轻量化的需求日益迫切,系统级封装(System in Package)技术作为一种先进封装手段能够将多款不同类型的芯片集成于更小的空间中。基于系统级封装技术,并结合TSV与FanOUT技术设计了一款机电控制SiP电... 机电控制系统包含多款芯片,其小型化、轻量化的需求日益迫切,系统级封装(System in Package)技术作为一种先进封装手段能够将多款不同类型的芯片集成于更小的空间中。基于系统级封装技术,并结合TSV与FanOUT技术设计了一款机电控制SiP电路,该电路包括顶层DSP信号控制单元和底层FPGA信号处理单元,两者通过PoP(Package on Package)形式堆叠构成SiP电路,相比于常规分立器件所搭建的机电控制系统,该SiP体积缩小70%以上,重量减轻80%以上。针对该款SiP电路设计了相应的测试系统,且对内部的ADC及DAC等芯片提出了一种回环测试的方法,能够提高测试效率。测试结果表明,该电路满足设计要求,在机电控制领域具有一定的应用前景。 展开更多
关键词 机电控制 系统级封装 POP 高集成
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基于Schottky二极管和Hammer-Head滤波器0.67THz二次谐波混频器 被引量:12
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作者 蒋均 何月 +4 位作者 王成 刘杰 田遥岭 张健 邓贤进 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期418-424,共7页
通过测量肖特基二极管的I-V和C-V曲线,建立等效电路模型.利用三维电磁场和谐波平衡仿真工具分别进行三维结构仿真和电路宽带匹配,最终实现混合集成方式的0.67THz谐波混频器设计.测试结果表明:混频器中心频率为0.685 THz,射频3 dB带宽为... 通过测量肖特基二极管的I-V和C-V曲线,建立等效电路模型.利用三维电磁场和谐波平衡仿真工具分别进行三维结构仿真和电路宽带匹配,最终实现混合集成方式的0.67THz谐波混频器设计.测试结果表明:混频器中心频率为0.685 THz,射频3 dB带宽为47 GHz,双边带变频损耗13.1~16 dB,在685 GHz双边带噪声温度最低值为11500 K. 展开更多
关键词 0.67 THZ 谐波混频器 Y因子测试 肖特基二极管
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基片集成波导定向耦合器的仿真与实验研究 被引量:15
15
作者 李皓 陈安定 +3 位作者 洪伟 吴柯 崔铁军 陈继新 《微波学报》 CSCD 北大核心 2004年第4期54-56,63,共4页
基片集成波导 (SIW )是一种新型的高Q值、低损耗集成导波结构 ,易于设计和加工 ,可以广泛应用于微波毫米波集成电路中。由于与传统矩形波导的相似性 ,很多设计概念可以借用 ,比如波导功分器、滤波器、天线等。在本文中 ,我们用这种导波... 基片集成波导 (SIW )是一种新型的高Q值、低损耗集成导波结构 ,易于设计和加工 ,可以广泛应用于微波毫米波集成电路中。由于与传统矩形波导的相似性 ,很多设计概念可以借用 ,比如波导功分器、滤波器、天线等。在本文中 ,我们用这种导波结构实现了两种定向耦合器 ,其结构紧凑 ,实验结果与仿真结果吻合。 展开更多
关键词 矩形波导 定向耦合器 导波结构 功分器 天线 集成电路 Q值 仿真结果 紧凑 基片
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SiP模组自动点胶贴片技术
16
作者 李颖凡 周太富 +2 位作者 张艳辉 欧姗姗 胡志权 《电子工艺技术》 2024年第5期39-42,51,共5页
SiP模组的自动点胶贴片相比手动方式,存在胶量少、对位精度难以控制、芯片剪切强度低以及电性能指标下降等工艺难题。在进行大量的自动点胶贴片工艺试验分析基础上,通过正交试验方法实现工艺参数优化,归纳总结出一套有效的自动点胶贴片... SiP模组的自动点胶贴片相比手动方式,存在胶量少、对位精度难以控制、芯片剪切强度低以及电性能指标下降等工艺难题。在进行大量的自动点胶贴片工艺试验分析基础上,通过正交试验方法实现工艺参数优化,归纳总结出一套有效的自动点胶贴片工艺方案,成功应用于各类型平台上的毫米波相控阵SiP模组生产中,显著提升了产品的芯片贴装质量。 展开更多
关键词 SiP模组 自动点胶贴片 工艺参数优化
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基于肖特基势垒二极管三维电磁模型的220GHz三倍频器 被引量:9
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作者 张勇 卢秋全 +2 位作者 刘伟 李理 徐锐敏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期405-411,共7页
采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二... 采用阻性肖特基势垒二极管UMS DBES105a设计了一个太赫兹三倍频器.为了提高功率容量和倍频效率,该倍频器采用反向并联二极管对结构实现平衡式倍频.根据S参数测试曲线建立了该二极管的等效电路模型并提取了模型参数.由于在太赫兹频段二极管的封装影响到电路的场分布,将传统的二极管SPICE参数直接应用于太赫兹频段的电路设计存在一定缺陷,因此还建立了二极管的三维电磁模型.基于该模型研制出的220 GHz三倍频器最大输出功率为1.7 mW,最小倍频损耗为17.5 dB,在223.5 GHz^237 GHz输出频率范围内,倍频损耗小于22 dB. 展开更多
关键词 太赫兹 平衡式倍频 肖特基势垒二极管 谐波平衡法
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GaAs MMIC用无源元件的模型 被引量:8
18
作者 申华军 陈延湖 +5 位作者 严北平 杨威 葛霁 王显泰 刘新宇 吴德馨 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1872-1879,共8页
制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2... 制作了不同结构参数的GaAsMMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16·1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感. 展开更多
关键词 MMIC 矩形螺旋电感 MIM电容 薄膜电阻 多项式拟合公式
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微机电系统的研究与展望 被引量:14
19
作者 林忠华 胡国清 +1 位作者 刘文艳 张慧杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期71-75,共5页
微机电系统是面向21世纪的高新技术。文章对微机电系统产生的背景、组成特征、发展现 状及应用前景进行了全面分析。在此基础上,论述了MEMS未来发展的趋势。
关键词 微机电系统 硅微细加工 微传感器 微执行器
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一种新型的毫米波功率合成电路 被引量:18
20
作者 谢小强 林为干 徐锐敏 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期25-28,共4页
针对毫米波功率合成技术研究,吸取传统W ilk inson电桥的优点,提出了一种新型低损耗毫米波微带集成3dB电桥,其成本低、加工制作容易、在32GHz^37GHz,插损为0.2dB;以此3dB电桥为基础的Ka频段功率合成网络,在频率33~35GHz,合成效率达75%.
关键词 毫米波 功率合成 微带集成3dB电桥 效率
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