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1
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GaSb单晶的无泡沫熔融CZ生长 |
义仡
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《电子材料快报》
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1995 |
1
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2
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准晶体的结构与物理性质 |
一凡
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《电子材料快报》
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1998 |
1
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3
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金属有机分子束外延生长AlN |
青春
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《电子材料快报》
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1995 |
1
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4
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用钒作掺杂母源的GaAs MOVPE生长 |
义仡
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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5
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ZnTe的微波合成与生长 |
义仡
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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6
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简单N2气掺杂MBE法生长P型导电ZnSe和ZnSSe |
青春
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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7
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AlxGa1—xAs中注入Be的扩散与Al浓度及退火温度的关系 |
青春
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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8
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CZ法生长富Si Ge1—xSix合金体单晶 |
苏宇欢
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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9
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Ti^3＋：YAl3（BO3）4和Ti^3＋：GdAl3（BO3）4的单晶生长和光学特性 |
义仡
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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10
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掺（As,B）硅中的磷扩散 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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11
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LiMn2—xCuxO4中的离子占位与价态 |
郝建民
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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12
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MBE法在InP上生长AlPSb力GaPSb |
庶民
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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13
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n—型LEC—InP中VInH4浓度与补偿比的依赖关系 |
华庆恒
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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14
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用叔丁基磷作为碳的自动掺杂源MOMBE法生长掺碳InP |
褚连青
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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15
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GGG衬底上用LPE生长Y—Lu,In—Ga形成光波导 |
苏宇欢
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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16
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Gd5（Si,Ge）4晶体的表面结构 |
苏宇吹
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《电子材料快报》
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2000 |
0 |
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17
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在Ge衬底上MBE生长HgCdTe和CdTe（331）B |
青春
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《电子材料快报》
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1998 |
0 |
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18
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GaSb单晶中Te的偏析和溶质层中相关扩散系数 |
苏宇欢
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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19
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在Zn分压下从熔体中生长ZnSe晶体的晶格常数 |
毕叔和
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《电子材料快报》
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1999 |
0 |
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20
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低温掺磷碳化硅薄膜生长 |
未休
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《电子材料快报》
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1995 |
0 |
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