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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe/Cd_(1-y)Mn_yTe超晶格的光调制反射谱的研究
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作者 李海涛 李晓莅 +7 位作者 陈唏 刘继周 陈辰嘉 王学忠 韩一龙 林春 凌震 王迅 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期129-134,共6页
本文报道用分子束外延(MBE)技术生长的Cd1-xMnxTe/Cd1-yMnyTe超晶格样品在80K下的光调制反射谱实验结果。观测到11H、22H、33H和11L等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应,对子能级结... 本文报道用分子束外延(MBE)技术生长的Cd1-xMnxTe/Cd1-yMnyTe超晶格样品在80K下的光调制反射谱实验结果。观测到11H、22H、33H和11L等激子跃迁结构。计及晶格失配导致的应力效应,对子能级结构进行了理论计算。实验结果与理论计算符合较好。 展开更多
关键词 稀磁半导体 超晶格 光调制反射谱 MBE DMS
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微机在光调制反射谱实验中的应用
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作者 李海涛 陈辰嘉 《数据采集与处理》 CSCD 1998年第a10期103-107,共5页
介绍了计算机在光调制反射谱实验中的应用。在自动控制系统中使用GPIB接口连接锁相放大器和直流万用表,用8255和8253芯片控制单色仪的步进电机。软件采用Windows图形界面,极大地提高了易用性。实验结果显示,自动... 介绍了计算机在光调制反射谱实验中的应用。在自动控制系统中使用GPIB接口连接锁相放大器和直流万用表,用8255和8253芯片控制单色仪的步进电机。软件采用Windows图形界面,极大地提高了易用性。实验结果显示,自动控制系统精度高并且使用方便 。 展开更多
关键词 反射 光调制反射谱 实验 微机
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GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱
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作者 梁晓甘 江德生 +3 位作者 边历峰 潘钟 李联合 吴荣汉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1281-1285,共5页
研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发... 研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 . 展开更多
关键词 GaInNAs/GaAs量子阱 致发 光调制反射谱 氮化物 半导体 镓铟氮砷化合物
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光调制反射谱用于研究MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs外延膜
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作者 池坚刚 赵文琴 李爱珍 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期107-112,共6页
本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱研究MBE外延膜具有一定的优越性。
关键词 光调制反射谱 外延膜 分子束外延
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In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究
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作者 陈辰嘉 高蔚 +2 位作者 米立志 黄德平 瞿明 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 1995年第4期305-309,共5页
对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确... 对In(0.2)Ga(0.8)As/GaAs应变多量子阱在77K下的光调制反射谱(PR)和热调制反射谱(TR)进行了实验研究.对PR结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁,并与理论计算结果作了比较.实验对比确认PR中11H、13H等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质.而11L、31H、22H等跃迁结构为阶间耦合态,对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性. 展开更多
关键词 应变多量子阱 光调制反射谱 调制反射
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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究 被引量:3
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作者 金鹏 李成明 +7 位作者 张子旸 孟宪权 徐波 刘峰奇 王占国 李乙钢 张存洲 潘士宏 《微纳电子技术》 CAS 2003年第3期11-13,32,共4页
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能... 利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InCaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡。利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.83)P_(0.17)与In_(0.758)Ga_(0.242)As_(0.525)P_(0.475)四元合金应变界面的导带不连续性。 展开更多
关键词 应变层 InGaAsP量子阱激 调制 Franz-Keldysh振荡 光调制反射谱
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As表面单量子阱原位光调制反射光谱研究 被引量:3
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作者 缪中林 陈平平 +5 位作者 陆卫 徐文兰 李志锋 蔡炜颖 史国良 沈学础 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期111-115,共5页
用分子束外延 (MBE)方法生长了两种典型阱宽 (5nm和 10nm)的表面单量子阱 ,表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚 .以原位光调制光谱 (PR)作为测量手段 ,明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空... 用分子束外延 (MBE)方法生长了两种典型阱宽 (5nm和 10nm)的表面单量子阱 ,表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚 .以原位光调制光谱 (PR)作为测量手段 ,明确观察到表面量子阱中空穴子带到电子子带的光跃迁以及真空势垒对于不同阱宽表面量子阱中的受限电子态的束缚作用 ,并且看到了 10nm表面量子阱激发态的跃迁峰 .采用有效质量近似理论对实验结果作了较好的解释 . 展开更多
关键词 表面量子阱 原位光调制反射谱 分子束外延 砷化镓 半导体
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新的电调制反射谱技术及其应用 被引量:1
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作者 蔡加法 陈主荣 吴正云 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期969-972,共4页
提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏... 提出一种微接触电调制反射谱(LCER)测试方法,该方示与无接触电调制反射(CER)谱相比较,可极大降低调制电压。给出了自制的详细样品架结构,测量了InGaAs/GaAs量子阱样品,并与光调制反射谱(PR)相比较,结果证实了此方法的可行性和高光谱灵敏度,表明样品与电极的轻微接触既对测量结果没有明显的影响,又可简化测试条件,降低对测量环境的要求,是研究半导体材料和微结构一种方便而又有效的方法。 展开更多
关键词 微接触电调制反射(LCER) 光调制反射谱(PR) 量子阱
原文传递
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究 被引量:1
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作者 张晓丹 赵杰 +1 位作者 王永晨 金鹏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快... 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。 展开更多
关键词 无杂质空位诱导无序 光调制反射谱 铟镓砷磷化合物 磷化铟 多量子阱结构 单片集成电器件
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Photo-Corrosion of CdSe Film Electrode by Electrochemical Modulation Reflectance Spectrum
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作者 单忠强 田建华 +1 位作者 刘义平 田文娟 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2004年第4期255-258,共4页
The photo-corrosion of electrodeposited polycrystalline CdSe electrode was inhibited effectively by coating a thin layer of the conductive polyaniline (PAN) film. The relation between the performance and internal ba... The photo-corrosion of electrodeposited polycrystalline CdSe electrode was inhibited effectively by coating a thin layer of the conductive polyaniline (PAN) film. The relation between the performance and internal band structure of such film-covered PAN/CdSe electrode was studied by the electrochemical modulation reflectance spectrum (EMRS). EMRS of both CdSe and PAN/CdSe electrodes in K4Fe(CN)6/K3Fe(CN)6 solution exhibited typical France-Keidysh oscillations, by which the values of the energy gap and flat band potential were determined. The EMRS results indicated that the energy band structure of CdSe electrode was not changed after coated with PAN film, so that the photoelectrochemical characteristic of PAN/CdSe electrode was rather similar to that of CdSe electrode. 展开更多
关键词 CdSe electrode polyaniline (PAN)/CdSe electrode photo-corrosion electrochemical modulation reflectance spactrum (EMRS)
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光学测量与仪器
11
《电子科技文摘》 1999年第6期126-126,共1页
9908271微机在光调制反射谱实验中的应用[刊]/李海涛//数据采集与处理.—1998,13(增刊).—101~107(V)介绍了计算机在光调制反射谱实验室中的应用。在自动控制系统中使用 GPIB 接口连接锁相放大器和直流万用表,用8255和8253芯片控制单... 9908271微机在光调制反射谱实验中的应用[刊]/李海涛//数据采集与处理.—1998,13(增刊).—101~107(V)介绍了计算机在光调制反射谱实验室中的应用。在自动控制系统中使用 GPIB 接口连接锁相放大器和直流万用表,用8255和8253芯片控制单色仪的步进电机。软件采用 Windows 图形界面,极大地提高了易用性。实验结果显示,自动控制系统精度高并且使用方便。 展开更多
关键词 自动控制系统 光调制反射谱 数据采集与处理 学测量 步进电机 锁相放大器 图形界面 精度高 芯片控制 单色仪
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半导体技术
12
《中国无线电电子学文摘》 1995年第6期44-56,共13页
关键词 半导体技术 应变多量子阱 半导体超晶格 光调制反射谱 结构参数 中国科学院 RAMAN 实验研究 适当设计 调制反射
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