瑞萨推出新的DDR5内存芯片

最新的瑞萨DDR5芯片能提高服务器和客户端的传输速度。在DDR5上,瑞萨公司已经宣布了两款新的DDR5 DIMM芯片,用于在新兴应用中提高服务器和客户端性能。目前,在冯诺依曼架构限制下,DDR4似乎已经到达了极限,为了解决内存墙问题,需要内存尽快升级。

内存芯片封装技术的发展

本文主介绍了国际上内存芯片封装技术的现状以及未来的发展等。

内存芯片封装技术的发展

本文主要介绍了国际上内存芯片封装技术的现状以及未来的发展等。

Copker——无需访问内存芯片的公钥密码算法实现

冷启动攻击（Cold-Boot Attack）是影响范围极大的物理攻击。具基本原理是,由于数据延迟消失效应,在断电之后,内存芯片上的数据仍然会存在一段时间;在低温下,甚至能够达到数小时。

三星打破图形内存芯片速度记录

三星公司日前宣布已经开发出业界最快的每秒运算2．0Gb的90纳米512M图形双数据率动态随机存储器GDDR-3.与图形卡上的DDR-Ⅱ内存不同的是，GDDR-3和即将发布的JEDEC DDR-Ⅲ标准并不相关.这种内存同样使用了内部终结器，使其更好地适应今日图形运算的需要．新推出的2．OGb高速图形解决方案比常规的1.2Gb设备的速度要快70％，可以应用在高质量图形、PC中的高速动画、工作站以及高端游戏机之中．

三星已开始量产8Gb LPDDR4内存芯片

[导读]三星已经为智能机铺平了走向更大容量内存的道路，因为该公司开始量产8Gb低功耗DDR4（简称LPDDR4）移动DRAM芯片了。

韩国研究出塑料内存芯片制造新技术

韩国光州科学技术院日前宣布，该院学者研究成功了一种制造塑料内存芯片元l件的新技术，打开了大批量制造塑料内存的通路。新内存性能同集成电路内存相1近，但是制造成本只有原来的1／10，而且具有许多令人振奋的新特性。

美光将利用IBM3D制程制造首颗商用内存芯片

近日，IBM表示促使美光（Micron）的混合式记忆体立方体（Hybrid Memory Cube）在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。

三星全球最快内存芯片投产将用于GaIaXyS47

三星宣布推出了世界上最快的嵌入式NAND芯片，并表示将用于下一代移动产品。

透明柔性3D内存芯片制成显示屏

据麻省理工新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧，可以像纸一样折叠，而且可以耐受1000华氏度的温度，是厨房烤箱最高温度的两倍，而且可以耐受其他有害条件，有助于开发下一代内存，可与闪存竞争，用于明天的随身碟，手机和电脑。

三星开发出全球最小DRAM内存芯片速度提升10％

三星电子日前宣布，公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。

电脑内存芯片生产成本近4年来首次上升

市场研究公司iSuppli近日表示，由于尔必达公司和南亚科技股份有限公司生产费用出现增长，电脑内存芯片的生产成本近4年来首次上升。

内存芯片封装技术的发展

一、前言如今的计算机以百兆为单位高速运转,让我们不得不感叹 CPU 技术的成熟和完善。如同微处理器一样,内存条的技术也在不断地更新。与 CPU 一样,在内存制造工艺流程上的最后一步也是最关键一步就是内存的封装技术。采用不同封装技术的内存条,在性能上会存在较大差距。从DIP、TSOP 到 BGA,再到,CSP,不断发展的封装技术使得内存向着高频、高速的目标不断迈进。

三星DDR4内存芯片2012年投产速度提升一倍

三星电子称已经开发出了一种新的计算机内存模块，读写数据的速度是上一代内存芯片的一倍。三星将在2012年开始使用30纳米级的技术生产这种新的DDR4 DRAM内存模块。

英飞凌推出第二品牌Aeneon内存芯片

根据英飞凌科技台湾分公司透露，该公司刚推出了一种品牌名为“Aenoen”的内存模组，专门针对所谓的“白牌”PC(white—box PC，即无品牌PC)市场。

拟巩固市场地位三星量产30纳米级DRAM内存芯片

据韩国联合通讯社7月21日报道，三星电子成功研发出世界首款30纳米级2千兆字节DDR3 DRAM内存芯片，并已从本月开始进入批量生产。