磁热效应及磁制冷材料的选择依据

从热力学基本理论出发,解释了磁制冷材料的磁热效应,并推导出等温熵变ΔSm和绝热温变ΔTad的基本公式,为选择合适的磁制冷材料提供了理论依据。

Mn_(2-x)Fe_xP_(1-y)Ge_y(x=0.8、0.9,y=0.2、0.24、0.26)磁制冷材料的制备工艺及磁热性能研究

利用机械合金化和放电等离子烧结技术制备了Mn2-x Fex P1-y Gey(x=0.8、0.9,y=0.2、0.24、0.26)磁制冷材料。采用XRD、中子衍射及SEM分析手段,系统研究了该系列材料的成相与球磨时间、烧结温度、烧结压力和保温时间的关系。分析了烧结样品的相结构和显微组织,发现随着烧结温度的升高杂质相逐渐减少,形成了稳定的该系列磁制冷材料的制备工艺。对不同组分Mn2-x Fex P1-y Gey合金的相变过程和磁热性能进行了分析,其中Mn1.2Fe0.8P0.74Ge0.26的居里温度为277.4K接近于室温区间,滞后为3K、熵变为21.5J/(kg·K),是一种较理想的磁制冷工质材料。

半导体热电制冷材料的研究进展

热电制冷是一种直接利用电一热转换达到制冷目的的固体制冷技术。介绍了近年来关于热电材料的实验研究和理论研究的国内外现状,以及目前材料研究存在的问题,介绍了各种材料的研究进展及热电制冷的应用状况。

室温磁制冷材料研究现状及发展前景

对室温磁制冷材料的研究现状进行了概述,重点介绍了Gd-Si-Ge系合金,Heusler合金Ni-Mn-Ga和NaZn13型化合物LaT13(T=过渡族掺少量其他金属)及MnFePAs系过渡金属基化合物,对室温磁制冷材料的研究现状及材料与磁制冷技术的发展前景进行了分析。

磁制冷材料研究进展

综述了磁制冷机理及几种磁制冷材料的研究进展,特别对具有热弹性马氏体相变的Heusler型铁磁性材料以及快速凝固技术在磁制冷材料制备中的应用予以关注,并指出该技术发展的关键在于寻找室温附近具有宽工作区间、易制备、低成本且在永久磁铁磁场下具有大磁熵变的材料。

磁制冷材料表面保护膜附着性能的研究

利用直流磁控溅射技术在Gd基体上分别镀不锈钢和Ti。用扫描电镜(SEM)、能谱仪、XPS对薄膜表征,用引拉法测定了薄膜的附着强度。结果表明:采用溅射法在Gd基体上镀膜表面质量好,膜基界面结合良好,附着强度大(15MPa)。

钙钛矿锰氧化物磁制冷材料的研究

简要叙述了磁卡效应的基本原理、钙铁矿化合物的晶体结构,对比了不同A、B位离子不同比例取代的钙钛矿化合物的磁熵变,并对其机理做了简要分析。

室温磁制冷材料Gd与Cu的真空扩散焊工艺

针对室温磁制冷材料Gd本身导热系数低特点，提出了采用真空扩散焊方法改善（甜导热性能的成型工艺方案，在温度为550～620℃，压强为12-20Mpa，保温时间为30～120min条件下，实现了钆和铜异种材料连接，并比较了在钆基体上溅射一层铜薄膜和不溅射薄膜两种条件下的工艺性能。结果表明，溅射对钆基体无明显的影响，同时铜的加入对钆的磁性能影响很小，可忽略不计，本丁艺方案切实可行。

几种磁制冷材料的室温磁热效应

用高频悬浮炉(冷坩埚)熔炼了Gd5Si2Ge2、Gd4Sb1.5Bi1.5、Gd3Al2、Mn5Ge3等金属化合物.在磁场H=1.3T下,用XHY磁热效应测量仪直接测量它们的绝热温变△Tad,得到了这几种材料的居里点,并和金属Gd进行了比较.

室温磁制冷材料的成型工艺研究

由于室温磁制冷材料在磁制冷机工作中存在许多问题,致使磁制冷机工作频率不高,制冷功率低。针对不同形状、不同种类的磁制冷材料本身导热系数低和金属间化合物的特点,分析比较了几种成型工艺方法,提出了一种新的成型工艺方案。

磁制冷材料绝热温变测试数据自动控制分析系统

磁制冷是目前全球公认取代氟利昂的最佳制冷方式。具有循环效率高、节能、运动部件少、无污染等优点而更富有竞争力,被誉为绿色制冷技术。评价一种磁性制冷材料的性能好坏,对其进行绝热温变测试是很重要的一步。以前采用的温变测试手段主要以人工将材料放入磁场中,手工记录为主的测试方式,其缺点失不能准确的控制试样进出磁场的速度和停留时间,造成误差较大。笔者针对这一问题,对该测试系统进行了改进,采用VB6.0编程,利用计算机对整个测试系统进行控制和分析并同时对数据信号进行记录分析,大大提高了测量的精度和可靠度,系统误差小于3%。本文着重阐述了笔者对绝热温变测试系统的改造方案,分析了改造后系统测试的精确度及自动化程度,并分析了误差来源及系统需进一步完善的地方。

磁热效应及磁制冷材料的研究现状

阐述了磁热效应的基本理论及测量方法。对各种测量方法的精度作出了分析。介绍了具有大的磁热效应并具有作为磁制冷工质的材料研究的进展 。

半导体制冷材料的发展

从二元固溶体、三元固溶体、Ｂｉ－Ｓｂ合金、Ａｇ１－ｘＣｕ（ｘ）ＴｉＴｅ和ＹＢａＣｕＯ超导材料五个方面，较全面地介绍了现今性能较好的半导体制冷器材料的情况，并简单总结了提高材料优值系数的方法。

室温磁制冷材料的研究进展

室温磁制冷材料的研究是室温磁制冷的关键因素,本文简述了磁制冷技术的发展前景以及基本原理,重点介绍了近年来室温磁制冷材料的研究进展。

低温磁制冷材料的研究进展及应用

文章主要介绍工作温区在~80K以下的低温磁制冷材料的研究进展,以及典型的低温磁制冷材料在空间探测和氢液化等方面的应用现状.

磁制冷材料在不同温度下的M-H曲线测量方法及设备的研究

为了选择合适的磁制冷材料 ,得到材料的磁热效应 ,即 Δ S- T曲线 ,必须测出材料在不同温度下的 M- H曲线。我们采用脉冲磁场的方式提供测试所需的高磁场 ,自行研制了符合测试精度要求的 M- H曲线测试装置 ,测试了金属 Gd的 - 5 0℃～ 5 0℃之间的每隔 10℃的不同温度下的 M- H曲线。

磁制冷材料钆硅锗系合金中的杂质元素的ICP-AES分析方法的研究

研究建立了ICP-AES同时测定磁制冷材料钆硅锗系合金中Mo,Mn,Al,V,Ni,Cu,Ga,Fe,Ca(含量范围为质量分数0.1%～1%)9种杂质元素的分析方法。方法的检出限为0.003～0.1μg.ml-1,测定下限为0.02～0.5μg.ml-1,回收率在94%～108%,对于杂质质量分数为0.1%,0.5%,1.0%的样品,其RSD分别为0.40%～2.6%,0.52%～1.1%,0.67%～1.3%,结果表明该方法的精密度和准确度均满足微量分析的要求。

(Gd_(1-x)R_x)_5Si_4(R=Dy、Ho)磁制冷材料的晶体结构以及居里温度研究

为了探索室温附近温度范围内的磁制冷材料 ,作者研究了 (Gd1 xDyx) 5Si4(x =0 1、0 2、0 3、0 3 5 )和 (Gd1 xHox) 5Si4(x =0 0 5、0 15、0 2 5 )系列合金的晶体结构、居里温度。结果发现 :该系列合金仍保持Gd5Si4的Ge4Sm4正交型结构 ;随着x量的增加 ,样品的晶格常数逐渐减小 ,居里温度TC在 3 40K～ 2 60K连续可调 ,并呈线性减小趋势 ;改变R的含量可以得到单一的居里温度值 。

稀土室温磁制冷材料Gd_3Al_2系列合金研究现状

针对室温磁制冷材料的研究现状,设计了以Gd3Al2合金为基础,通过加入Gd、Mn、Si和Zn等合金元素形成Gd3Al2系列合金,寻找合适的低磁场下的室温磁制冷材料。

磁制冷材料的研究现状

室温磁制冷技术相对于现有的气体压缩式制冷具有环保及高效节能的优势,磁制冷材料是磁制冷的关键技术之一。因此,研究高效的磁制冷材料成为该项技术的关键。本文对目前国内外磁制冷材料的研究现状进行了概述。