基于LTPS制程工艺的LCD/OLED显示用玻璃基板发展综述

随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成为目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品所用LTPS制程工艺种类与特点,以及LTPS制程工艺对玻璃基板的理化性能要求,其中,玻璃基板耐热性、热膨胀系数、紫外透过率、弹性模量是十分关键的技术指标;论述了溢流法生产工艺和浮法生产工艺所生产的LTPS玻璃基板的优势与劣势;总结了美国和日本开发满足LTPS制程工艺的玻璃基板产品状况;讲述了我国尚未形成技术和产业突破,亟须加大对LTPS制程工艺的玻璃基板的研发投入和产业探索的现状。

基于LTPS制程工艺的LCD/OLED显示用玻璃基板发展综述

随着显示行业高端消费品的发展要求,LTPS成了目前显示领域炙手可热的先进技术,但是由于国外技术封锁,国内全部依赖进口,因而我们必须自主研发,提升综合竞争力。本文基于平板显示最新发展动态和研发热点,综述了高分辨率LCD/OLED显示产品所用LTPS制程工艺种类与特点,以及LTPS制程工艺对玻璃基板的理化性能要求,其中玻璃基板耐热性、热膨胀系数、紫外透过率、弹性模量是十分关键的技术指标;论述了溢流法生产工艺和浮法生产工艺所生产LTPS玻璃基板优势与劣势;总结了美国和日本开发满足LTPS制程工艺的玻璃基板产品状况;讲述了我国尚未形成技术和产业突破,亟须加大对LTPS制程工艺的玻璃基板的研发投入和产业探索的现状。

45nm远不是极限！了解神秘的处理器制程工艺

“1965年，我为《电子学》撰写文章。那时我预见到．我们将制造出更复杂的电路从而降低电器的成本一根据我的推算，10年之后．一块集成电路板里包含的电子元件会从当时的60个增加到6万多个，那是个大胆的推断。1975年．我又对它做了修正，把每一年翻一番的目标改为每两年翻一番。”——戈登·摩尔（Gordon Moore）

SMT制程工艺对Sn-37Pb/Cu焊接界面影响

采用扫描电镜(SEM)研究了表面贴装技术制程工艺,包括锡膏黏度、锡膏模板厚度、传送带速度、恒温区保温时间、印刷电路板烘烤处理等对Sn-37Pb/Cu焊接界面层的影响。结果显示,SMT制程工艺并不影响焊接界面金属间化合物层的组成,IMCs主要成分为Cu6Sn5 相,但影响了IMCs层的形态与厚度,其中传送带速度影响了Cu6Sn5 相的平均直径,而恒温区保温时间则对IMCs层的形态与厚度影响最大。

英特尔开始研发7纳米和5纳米制程工艺

英特尔首席执行官保罗·欧德宁（PaulOtellini）日前表示，英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外，英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。欧德宁表示：“我们的研发已非常深入，面向未来10年。”他透露，英特尔对7纳米和5纳米制程技术的研究仍在按原定时间和目标稳步推进。

各大半导体巨头制程工艺发展近况解读

目前全球主要集成电路的制造厂家的制程已经发展到纳米(nm)级别,全球各大半导体巨头制程工艺在竞争中发展。毫无疑问,Intel是半导体工业的技术霸主,是先进制程技术的带头人。AMD是曾经的追随者,与格罗方德合作后又转向三星。台积电在GPU领域有崇高地位,能否再创辉煌,业界拭目以待。三星14nm Fin FET的规模化量产,使得三星成为全球半导体领域的新霸主。制程工艺的极限将推动集成电路制造技术产生革命性创新。

Credo推出基于台积电5 nm及4 nm先进制程工艺的全系列112G SerDes IP产品

Credo Technology正式宣布推出其基于台积电5 nm及4 nm制程工艺的112G PAM4 SerDes IP全系列产品,该系列能够全面覆盖客户在高性能计算、交换芯片、人工智能、机器学习、安全及光通信等领域的广泛需求,包括:超长距(LR+)、长距(LR)、中距(MR)、超极短距(XSR+)以及极短距(XSR).

ARM与中芯国际针对移动与消费应用扩展28纳米制程工艺IP合作

为高性能系统级芯片设计提供创新IP支持，ARM与中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际共同宣布，双方针对ARMArtisan物理IP签订合作协议，为中芯国际的28纳米poly SiON（PS）制程工艺提供高性能、高密度、低功耗的系统级芯片（SoC）设计支持。基于这项合作，中芯国际与ARM将为广大的消费应用提供全面的物理IP平台与先进制程工艺技术。这些应用均针对快速成长的智能手机、平板电脑、无线设备、以及智能家居等市场。

ARM与中芯国际扩展28nm制程工艺IP合作

ARM与中芯国际近日共同宣布，双方针对ARMArtisan物理IP签订合作协议，为中芯国际的28nmpolySiON（PS）制程工艺提供高性能、高密度、低功耗的系统级芯片（SoC）设计支持。

中芯国际计划2011年推出32纳米制程工艺

中芯国际公司近日透露，该公司计划于2011年内推出32纳米制程，有可能采取与IBM的技术转移与合作方式，但未披露详细情况。中芯国际还重申其2008年第三季度营收目标维持不变，预期将增长5％～8％。

“英特尔精尖制造日”解读全球晶体管密度最高的制程工艺

'英特尔精尖制造日'展示10纳米制程、FPGA技术进展及业内首款面向数据中心的64层3D NAND产品'英特尔精尖制造日'活动展示了英特尔制程工艺的多项重要进展,包括:英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节,英特尔首款10纳米FPGA的计划,并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。

美国实现1nm制程工艺 突破半导体工艺极限

美国能源部（DOE）下属布鲁克海文国家实验室的研究人员采用电子束印刷工艺，成功制造出了尺寸仅1nm的印刷设备，创造了新的世界纪录。

礼品盒打样制程工艺分析与控制(一)

礼品包装盒作为商品包装中的一类,除了具有商品包装的基本功能,还有着传递商品信息、促进商品销售的作用。现今,精美礼盒包装已成为日用品、化妆品、食品、酒类及电子产品领域的主流,它以多彩的魅力、个性化的风格,得到更多消费者的青睐。本文就礼品盒的制程打样工艺、过程控制作简要叙述,以供同行分享。

礼品盒打样制程工艺分析与控制(二)

二、制作工艺与控制1.模切工艺模切与半穿模切工艺是礼品盒制作中应用最多的一种工艺,一般操作为正模切,反成型。其优点是,流程操作简单易控制,特别适合自动设备的流水线生产。缺点是灰板成型后,外角线处会有一个缺口,裱糊后角呈半圆形状,操作时如有碰撞,会有凹陷问题出现,影响整体美观。

礼品盒打样制程工艺分析与控制(三)

7.胶水涂布方式与控制胶水使用与涂布是裱糊过程不可缺少的环节。在裱糊前，首先对胶水的技术指标进行测量，白乳胶的黏度要达到2100CPS，固含量在35%以上。涂布量为（31±2）g/m2。动物蛋白胶完全溶解、搅拌均匀后，使用手持折光仪检测，浓度控制在（55±5）%。涂布量还应根据包料材质确定标准值，一般控制在（33±2）g/m2。当然，季节的替换造成温湿度发生变化，胶水的技术指标及开放时间也应进行调整。

集成电路工艺制程虚拟仿真实验设计

高校普遍存在难以建造完整的集成电路工艺线,导致工艺实验难以有效开展,在一些特殊情况(如突发疫情)下,原本建立的校企、校校合作方式开展的工艺实验难以实施等问题。针对存在的问题,以在功率集成电路中广泛应用的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件为例,开展集成电路工艺制程虚拟仿真实验设计。基于半导体工艺计算机辅助设计(Sentaurus TCAD)虚拟仿真平台,完成LDMOS器件的结构设计、工艺设计、性能测试等实验环节,涵盖了集成电路从硅片选型到芯片成型的全流程工艺。

涂胶显影工艺对线宽均匀性的影响

随着半导体制造设备的升级、新技术的研发、新材料的引入以及先进制程的控制,“摩尔定律”在集成电路制造领域依旧具有旺盛的生命力。然而,制程工艺的不断提升对半导体制造设备的要求也越来越高。随着CD(Critical Dimension)的不断减小及其均匀性要求的提高,对光刻工艺相关设备的要求也不断提高,着重阐述影响CD均匀性的涂胶显影设备的相关工艺。

英特尔最新芯片路线图曝光:开始研发7nm和5nm制程工艺

北京时间5月17日消息,据国外媒体报道,英特尔对7 nm和5 nm制程技术研发路线图已经敲定。今年四月,英特尔刚推出采用22 nm制程的Ivy Bridge芯片。但现在该公司已经开始展望制程工艺未来的新进步。事实上,英特尔对于10 nm,7 nm以及5nm的制程研发路线图已经敲定。同时,该公司目前计划在美国及爱尔兰的工厂中部署14 nm制程生产线。14 nm制程仍处于研发阶段。

蓝色巨人突破芯片制程工艺>IBM发布全球首款2纳米芯片。

不久前,IBM成为全球首家推出2纳米节点芯片的公司。该公司表示,与目前的7纳米芯片相比,这款新的芯片能够在耗电量相同的情况下将计算性能提高45%,亦即在维持相同计算性能的情况下使耗电量减少75%。可以这样理解,采用2纳米技术,IBM可以在一块指甲大小的芯片上放置500亿个晶体管。