文章利用实验结果分析了 5 4 HC0 4的阈值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系 ,对若干种加速实验方法进行了比较 ,认为 1 0 ke V X射线源可以作为对 MOS器件进行快速的加速实验性能测试的辐照源。从环境安全考虑 ,1 0 ke V X射线源...文章利用实验结果分析了 5 4 HC0 4的阈值电压在不同剂量率下随总剂量的变化关系 ,对若干种加速实验方法进行了比较 ,认为 1 0 ke V X射线源可以作为对 MOS器件进行快速的加速实验性能测试的辐照源。从环境安全考虑 ,1 0 ke V X射线源易于屏蔽 ,可以用于硅片级的参数测试 ,且花费远远小于封装后的器件在60 Co源上的性能测试 。展开更多