膜分离技术在半导体废水处理领域的应用研究进展

在半导体产品制备过程中不可避免的会产生大量废水,传统处理方法存在成本高、处理效果不佳、易产生新污染等缺点.膜分离技术作为一种新兴技术,具有高效节能、环境友好、结构紧凑等优势,在半导体废水处理领域展现出了广阔的应用前景.本文对半导体废水的种类、特点进行了简要的介绍,综述了基于膜分离技术的工艺在半导体废水处理中的研究进展,并对其发展前景进行了分析和展望.

面向半导体废水回用处理的MBR-RO组合工艺可行性

半导体废水水质复杂,污染物种类繁多,经过初级物化处理后,仍含大量悬浮物、有机物和无机盐,亟待有效处理并回用。本工作采用MBR-RO中试装置深度处理半导体废水,考察该工艺实现废水回用的可行性。试验结果表明,MBR-RO系统表现出良好的污染物去除效果和运行稳定性,可以耐受废水水质波动的范围大。MBR运行稳定,膜的渗透性易于恢复,维护性清洗周期较长(大于16 d)。MBR出水已检测不到SS,其SDI15和COD的平均值分别为2.3和10.6 mg/L,水质满足RO进水设计要求。采用HCl调节RO进水pH,同时投加阻垢剂MAS208A有助于减缓RO膜污染。RO出水水质优良,电导率为26～142μS/cm,TOC质量浓度小于0.2 mg/L,符合生产回用水要求,表明MBR-RO组合工艺实现半导体废水回用是可行的。

MBR-RO组合工艺处理半导体废水中RO膜的污染特性研究

采用反渗透(RO)深度处理经膜生物反应器(MBR)预处理后的半导体废水。为获得RO长期运行的膜污染特性和清洗对策,处理过程不添加阻垢剂且不采用化学清洗从而加速RO膜污染。膜污染分析表明,RO膜表面污染层的主体物质为疏松堆积的片状无机结垢,未发现明显的微生物群落或有机污染形成的凝胶层。污染层的主要成分为难溶盐BaSO4,其次为SrSO4以及Ca、Si、Al、Mg、Fe和Zn等形成的沉积物,其中Ba、Sr、Ca、Mg和Zn在RO膜元件进口端的含量明显大于出口端。化学清洗结果表明,先采用HCl再采用EDTA-4Na的组合清洗方法,可有效去除RO膜表面的污染层,清洗后RO膜通量可恢复至初始值。

UF-RO工艺回用处理半导体废水

半导体制造过程中产生的晶背研磨废水具有有机物浓度低,悬浮物含量高的特点,针对某半导体厂的晶背研磨废水和反洗废水,设计采用UF-RO工艺处理。工程应用表明:在晶背研磨废水TOC质量浓度为0.5~5.0 mg/L,浊度为80~100 NTU,SiO2质量浓度为2~4 mg/L,反洗废水TOC质量浓度为1.5~3.0 mg/L,浊度为4~8 NTU时,处理出水TOC质量浓度低于1 mg/L,浊度低于0.1 mg/L,SiO2质量浓度低于1 mg/L,完全可以回用至超纯水预处理系统。

浙江某半导体废水处理工程实例

本文介绍了浙江某企业半导体废水处理的工程设计及运行情况。其设计处理总水量达到5000 m3/d,设计出水指标执行《污水综合排放标准》(GB8978-1996)三级标准及项目所在地块接管排污标准。系统稳定运行至今,自动化程度高,操作运行简便,吨水成本为2.87 元,较经济合理。

UF-RO工艺回用处理半导体废水分析

伴随着社会经济的发展,半导体行业也迎来了极大的发展机遇,但半导体制造工艺复杂,往往需要消耗大量水资源。基于此,本文对回用处理半导体废水的难点及重要性进行探讨,重点分析UF-RO工艺回用处理半导体废水方法,以供参考。

高效去除光伏半导体废水中镍铬离子的方法探究

光伏半导体行业在现代科技和能源领域占据着重要地位,但在其生产过程中产生的废水中含有大量有害重金属离子,尤其是镍和铬,如果没有采取有效的处理措施而直接进行排放,将会对环境和人类健康造成严重威胁。本文对光伏半导体废水中镍铬离子的来源和特性进行了一定论述,在此基础上,进一步探讨了高效去除废水中镍铬离子的方法,进而为高效去除光伏半导体废水中的镍铬离子提供一定的技术参考。

半导体制造园区废水重金属污染治理研究

在半导体制造过程中产生的废水因含多种重金属污染物而处理难度大、成本高。本文深入研讨了集成物理、化学和生物技术的多级处理系统于半导体废水治理的具体应用成效,结果显示引入低成本吸附材料与功能微生物显著提高了重金属去除效率,大幅降低化学药剂使用量和整体运行成本,此集成处理策略有效降低废水重金属含量,提升环境和经济效益,为半导体废水治理提供可持续发展技术路径,具备广泛推广应用潜力。 。

半导体行业废水处理工程实例与效果分析

半导体行业废水水质复杂,携带大量重金属、有毒氰化物、氟化物、氮、磷等污染物,同时具有可生化性差、C/N低的特点,难以直接采用生物方法处理。某高新技术产业园区污水处理厂采用“格栅+曝气沉砂池+高效沉淀池+改良型A^(2)/O+MBR+接触消毒池”的处理工艺,探究了该工艺实际运行5个月期间的进出水水质变化情况。运行结果表明,该处理工艺对进水中污染物均具有较好的去除效果,运行期间出水悬浮物、COD、NH_(4)^(+)-N、TN、TP和氟化物等污染物分别维持在4、26、1、8、0.1、1.5 mg/L以下,始终满足《城镇污水处理厂污染物排放标准》(GB 18918—2002)一级A类标准。此外,水处理电费约0.536元/m^(3),药剂费用约0.220元/m^(3),直接运行成本约0.756元/m^(3)。

半导体行业废水处理与再生技术探讨

随着中国半导体行业的高速发展,该行业的生产过程中纯水使用量和废水排放量不断增加。本文对半导体行业废水的特性和主要废水类型进行了系统梳理,对各种废水处理方法及其优缺点进行了总结,并探讨了废水再生工艺和其中的膜污堵机制及解决措施。最后,本文展望了半导体行业废水处理和再生方面的未来发展。

华东地区某半导体回用系统反渗透膜污染分析

以某半导体再生水厂的不同品牌4组RO膜为研究对象,分别从宏观角度和微观角度两方面对膜污染进行全面系统的分析。研究发现:四组膜的受污染程度不同,4组膜受污染程度从重到轻依次是:RO-D2、RO-D1、RO-T1、RO-T2,其中RO-D2产水量、脱盐率均为最低,其脱盐率为58.46%,是其他3支膜的66%左右;通过EDS元素分析污染的主要元素为:C、O、Br、Si、S、A1等;结合FTIR分析推断主要污染物质为脂肪胺类物质和无机胶体类物质。

新型工艺处理半导体行业废水工程实例

半导体行业作为芯片的唯一来源,生产制造过程中废水的处理问题日益加剧,特别是多种废水处理工艺。以江苏无锡某新建6寸、12寸半导体生产制造及GaAs封测项目为例进行工艺研究,针对其系统含氟废水、氨氮废水、有机废水、酸碱废水和重金属废水等采用加药化混沉淀法、短程硝化+新型厌氧氨氧化、混凝沉淀法等工艺使其出水满足排放标准。旨在为半导体行业混合废水处理提供参考,以供同行之间学习交流。

半导体行业废水的反渗透膜污堵机制与控制策略

半导体行业是我国大力发展的高精尖产业,废水产生量大、再生处理难度高.半导体行业废水再生处理过程中,反渗透(reverse osmosis,RO)是重要的污染物去除单元,但面临的膜污堵问题严重影响了其效率与经济性.本文梳理了半导体行业废水的种类与典型污染物,总结了半导体行业废水导致反渗透膜污堵的主要机制及控制手段,提出了针对半导体行业废水特点的膜污堵控制策略.半导体生产的不同工序会产生多种废水,包括含氟废水、含磷废水、含氨废水、重金属废水、有机废水与酸碱废水等.废水中污染物种类多且可生化性普遍较差.通常,不同种类废水分类经分质收集后,进行相应的预处理,之后部分合流处理并进入RO系统.半导体行业废水中的金属离子或氟离子易在反渗透膜面形成无机结垢,表面活性剂易形成有机污堵.反渗透膜污堵可通过预处理、膜清洗与运行条件调控等手段进行控制,如超滤、EDTA清洗剂与pH调节等,但大部分现有手段对半导体行业废水造成的污堵控制能力有限.建议未来开发针对关键污染物的预处理技术与定制化的膜清洗方案;并结合半导体生产工序,提出针对污染物关键相互作用关系的废水收集与再生处理整体策略.

用动态膜技术回收半导体加工中的含硅废水

应用动态膜技术回收半导体厂晶片切割废水,研究了动态膜的形成条件及其水处理效果.通过恒压过滤形成动态膜：恒压过滤压差5 kPa,曝气强度10 L/min,过滤高浓度（TS=1 800 mg/L）含硅废水,形成了均匀而阻力较小的动态膜;之后在一定的过滤运行条件下,研究膜过滤低浓度晶片切割废水的运行周期和水处理效果：要处理的废水TS（总固形物）=40mg/L,恒速过滤滤速为0.6 m/d,曝气量为15 L/min.结果表明：该动态膜可保护基膜不被污染,维持较长的过滤周期,稳定运行时间达260-360 h.膜过滤单元中的TS（总固形物）可被浓缩达到1 200 mg/L.动态膜对原水浊度、TS的去除效果很好,产水水质稳定,浊度为0.14NTU,TS几乎为0,SDI15为0.5,电导率为12μS/cm,满足反渗透深度处理的进水要求.当压力上升至14 kPa时,排出浓缩液、用产水冲刷清洗基膜表面的滤饼层,以回收高纯硅,同时基膜经过擦洗后通量可以完全恢复.

台湾某半导体企业的废水处理工程实例

根据半导体工业废水的特点,将其分为无机(氟系)废水、有机废水、酸碱废水三部分,分别采用化学混凝、MBBR反应池、中和等方式进行处理,处理后合流排出。简述了各构筑物的设备配置、设计参数等,该工程采用全过程计算机控制,自动化程度高,处理效果较好。

半导体行业含氟废水处理应用研究

针对半导体行业产生的含氟废水,采用混凝沉淀和活性氧化铝组合工艺,对该生产废水进行处理,首先通过混凝沉淀去除大部分污染物,然后利用活性氧化铝吸附剩余的污染物。工程实践表明:系统维持相对稳定的情况下,出水水质指标达到了《污水综合排放标准》(GB 8978-1996)一级标准。

半导体工业废水污染特征因子初探

指出了集成电路和印制电路板是半导体工业的主要组成部分,而在生产过程中会大量使用氢氟酸,使得虽经过处理后的生产废水中氟离子浓度仍较高,达到7mg/L左右;通过将半导体企业排放废水与生活污水、地下水及地表水中氟离子浓度进行比较,提出了以氟离子浓度作为半导体工业废水的污染特征因子,并结合不同雨污混接类型污染特征因子,依据物料和水量守恒得出不同混接类型的近似混接水量比例计算公式,以期为后续的雨污混接溯源和雨污改造工程提供借鉴。

半导体生产废水处理及回用技术介绍

半导体生产废水主要来自车间的镀槽、清洗水等,废水中含有的主要污染物有:Ag、Cu、Ni、COD、SS、CN、酸碱等。文章以东莞柏狮赛格精密电子有限公司产生的废水为例,介绍了半导体生产废水处理及回用技术,处理后出水各项指标均可稳定达到国家和广东省以及排放标准,废水利用率达到了50%。

锰催化还原工艺处理高浓度含双氧水废水工程实践

随着半导体制造先进制程的推进,废水中双氧水的浓度不断上升,造成了总排放口COD偏高。采用锰催化还原工艺处理高浓度含双氧水废水,工程实践表明:在进水双氧水浓度达到3 000mg/L以上时,将pH调至10.5~11.5,控制锰砂塔流速7~8m/s,反应3min,双氧水的去除率可以达到99%以上,总排放口COD由355mg/L降至150mg/L。