二极管反向恢复时间对LLC变换器性能的研究

LLC谐振变换器的最大优点是利用自身的谐振特性同时实现主开关管与次级整流二极管的软开关。从变换器整流二极管反向恢复时间出发,介绍了一种延长谐振槽路三元件共同谐振时间的方法,使得变换器工作于第二谐振区域时,二极管在交替导通间隔期间得到充分反向恢复,以降低反向恢复损耗。根据该参数优化的方法制作了一台额定功率210 W的半桥LLC谐振变换器样机,并通过实验验证了理论分析的可行性。

二极管反向恢复时间的一种测定方法

通过对二极管反向恢复过程特性的研究 ,给出了反向恢复时间的测定方法 ,运用高性能等精度计数器实现了快速准确的测量 ,提高了测量精度。

二极管反向恢复时间多档测试技术

反向恢复时间Trr是衡量二极管等器件反向恢复特性最重要的参数。针对当前Trr测试仪无法同时满足不同的测试要求,且Trr测量下限大多为20 ns及以上的问题,研制了符合4种要求(分为4档)、数字化显示Trr值的测试装置。利用选择开关构建多档电路,组合不同的正向电流IF脉冲、反向电压UR脉冲加载于被测二极管DUT,产生反向恢复信号。设计发射极耦合逻辑电路形成电压比较器,将该信号变成宽度为Trr的脉冲;使用模/数转换器将其转换为Trr值并驱动发光二极管显示出来,二极管Trr的测量下限可达15 ns。采用本装置的4个档位分别测试了3种二极管,显示的Trr值与示波器的测量值基本吻合,验证了设计的可行性。不仅可以作为综合创新型教学设计案例,还能满足部分企业需求。

硅片预退火对二极管反向恢复时间的影响

本文研究了预退火对二极管反向恢复时间的影响．为获得满意的反向恢复时间，硅棒上不同部位的硅片需要不同的预退火温度．头、中、尾部的硅片最佳预退火温度分别为600℃、700℃、800℃，这是因为不同部位的硅片中主导少子寿命的因素不同．

高压二极管的反向恢复时间测试系统

通过对二极管的反向恢复过程及相关应用的研究,指出二极管反向恢复时间测试的必要性,综合比较了三种现有的反向恢复时间的测试方法的优缺点,提出并设计了一个测量范围更广、更实用、精度更高、成本也较低的高压二极管反向恢复时间测试系统。该文对设计方案进行了误差分析,根据仪器在工厂的运行情况及示波器结果显示的比较,证明方案可行且误差较小。

MPS快恢复二极管反向恢复时间的研究

基于现代电力电子技术的发展要求,与主功率开关器件并联起箝位或缓冲作用的快速二极管应具有低的正向导通损耗与超快超软的恢复特性。论述了MPS快恢复二极管的反向恢复原理,利用TCAD仿真软件对快恢复二极管的反向恢复时间参数进行了仿真设计。实验在外延硅片上利用外延层与村底过渡区域的高浓度梯度特性结合电子辐照技术,制作出了反向恢复时间为45 ns的外延功率快速软恢复二极管;同时,通过在硅片背面引入深层的n型掺杂缓冲层,在单晶硅片上制作出了具有较短反向恢复时间(55 ns)和良好软度因子的单晶功率快速软恢复二极管。

基于微处理机的二极管反向恢复时间测试系统

本文讨论了一个以TRR波形发生器、高速取样电路、微处理机系统等构成的二极管反向恢复时间(TRR)测试系统并相应作了误差分析.

关于如何正确测量二极管反向恢复时间的探讨

1 引言二极管的反向恢复时间(t_(rr))是反映二极管开关速度的一个重要参数。目前,电视机和电话机等许多领域都广泛使用了开关二极管和快恢复整流二极管,我国公玻壳封装开关二极管年需求量就达三亿支以上,为了提高整机质量。

缩短HER整流二极管反向恢复时间的实验研究

采用扩铂工艺制造二极管能够有效地减小开关二极管的反向恢复时间，提高其开关速度。通过实验数据分析，确定了最佳铂扩散温度，提高了ＨＥＲ整流二极管管芯的成品率。

关于缩短大电流开关二极管反向恢复时间的研究

通过长期的工作实践 ,阐述了适当条件下的金扩散对缩短反向恢复时间 ,提高二极管2CK2 8开关速度 ,满足了反向恢复时间 ,改善了二极管的反向特性。

功率二极管反向恢复时间测量

本文提出了一种测量功率二极管么向恢复时间的方法,并给出了具体的实现电路。文章指出,利用自饱和电感限制功率二极管的反向恢复峰值电流是必须的。

PiN二极管反向恢复机理研究

对PiN二极管反向恢复过程进行了分步分析，推导出了反向恢复过程中四个阶段的时间计算公式，并在一定简化近似的基础上得出了反向恢复时间的计算公式，利用该公式分析了影响反向恢复特性的主要因素及实现快速软恢复的条件。

PiN二极管反向恢复机理研究

本文对PiN二极管反向恢复过程进行了分步分析，推导出了反向恢复过程中四个阶段的时间计算公式，并在一定简化近似的基础上得出了反向恢复时间的计算公式，利用该公式分析了影响反向恢复特性的主要因素及实现快速软恢复的条件。

什么是整流二极管的反向恢复电流

从维修的角度来讲，二极管的测试比较简单，但有些也会形成软故障，有的整流二极管用电表测量很好，但实际应用中严重发热，这种情况就有可能是反向恢复时间过长的原因。实际的二极管存在反向恢复电流。为减小电源的体积，现在的开关电源工作频率越来越高，反向恢复时间不可忽视。那么究竟什么是二极管的反向恢复时间呢？

PIN快恢复二极管掺铂工艺改进

研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度的铂扩散源,研究铂扩散温度T、扩散时间t、表面扩散源浓度对反向恢复时间T_(rr)和正向压降U F的变化,并分析正向压降U F与反向恢复时间T_(rr)的关系.结果表明,以300 r/min速率旋涂氯铂酸异丙醇溶液,能得到表面质量浓度为21.9%的铂扩散源,满足快恢复二极管掺铂工艺要求,相比于蒸发镀膜可节省约70%的铂;以920℃炉温铂扩散60 min,测得二极管的T_(rr)≤50 ns,U_(F)≤1.25 V,获得T_(rr)、U_(F)之间良好的折衷.

铂扩散工艺对硅快恢复二极管特性的影响

采用直拉单晶硅片代替成本较高的外延硅片,采取铂扩散的方法引入复合中心,从而控制少子寿命以减少快恢复二极管的反向恢复时间.通过大量实验研究了铂扩散二极管的特性,表明在扩散时间一定的条件下,随着铂扩散温度的升高,反向恢复时间TRR呈线性下降趋势;并且相同扩散温度条件下,电阻率越小的样品TRR值越小.随着铂扩散时间的增加,TRR值逐渐减小.分析了TRR以及正向压降VF的温度特性,表明随着工作温度的升高,TRR呈上升趋势,而VF随温度的升高而下降.

高压功率快恢复二极管的寿命控制研究

利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射效率结构的高压功率快恢复二极管中实现了更好的综合性能的优化。测试结果表明,此类快恢复二极管具有反向恢复时间短、软度大、反向漏电低的优良特性,在国际上处于领先水平。

铂扩散快恢复二极管特性的研究

描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的。通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性。得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500ns,VF控制在0.9～1.3V。不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片。分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因。

铂、金掺杂对快恢复二极管性能的影响

本文介绍了各类寿命控制技术,重点阐述了铂、金掺杂的特点。通过对试验结果的讨论,分析了扩铂、扩金方法对反向恢复时间t_(rr)、正向压降V_F以及反向漏电流I_R等参数的影响,最终确认在高可靠性产品中扩铂是二者中的优选方法。

掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响

简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF以及反向电流IR的影响。实验采用掺Au扩散温度在900℃以上,观察随着扩Au温度升高trr变小、而IR和VF随之增大,通过实验着重讨论了这三个电参数的相互制约关系。同时指出,选择Si片时,衬底电阻率范围不易过宽,避免由于衬底电阻率Rs差值较大对Si片与Si片之间的电参数工艺控制指数的影响。