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LED蓝宝石衬底抛光表面原子台阶形貌及其周期性研究 被引量:11
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作者 周艳 潘国顺 +3 位作者 史晓磊 龚桦 邹春莉 汤皎宁 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期100-106,共7页
LED蓝宝石衬底的表面质量会极大影响到后续外延质量,进而影响到LED器件性能。蓝宝石研磨片经Al2O3磨粒粗抛液、SiO2磨粒精抛液下进行化学机械抛光(CMP),最终表面经原子力显微镜(AFM)所测表面粗糙度达到0.101nm,获得亚纳米级粗糙度超光... LED蓝宝石衬底的表面质量会极大影响到后续外延质量,进而影响到LED器件性能。蓝宝石研磨片经Al2O3磨粒粗抛液、SiO2磨粒精抛液下进行化学机械抛光(CMP),最终表面经原子力显微镜(AFM)所测表面粗糙度达到0.101nm,获得亚纳米级粗糙度超光滑表面,并呈现出原子台阶形貌。同时,通过使用Zygo表面形貌仪、AFM观察蓝宝石从研磨片经Al2O3粗抛液、SiO2精抛液抛光后的表面变化,阐述蓝宝石表面原子台阶形貌的形成原因,提出蓝宝石原子级超光滑表面形成的CMP去除机理。通过控制蓝宝石抛光中的工艺条件,获得a-a型、a-b型两种不同周期规律性的台阶形貌表面,并探讨不同周期规律性台阶形貌的形成机理。 展开更多
关键词 化学机械抛光 蓝宝石 原子台阶形貌
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离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究
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作者 张建民 王国瑞 《陕西师大学报(自然科学版)》 CSCD 1991年第1期89-90,共2页
1 离子束蚀刻实验 1.1 样品制备取机械抛光的N型单晶硅片(1,1,1)作蚀刻样品,均匀涂上厚度为1μm的OMR-83光刻胶,利用集成电路制版技术,用曝光方法将光刻胶刻出宽度分别为15μm,10μm,5μm,长为2mm的长槽。
关键词 离子束 蚀刻 硅片 沟槽台阶形貌
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基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究 被引量:3
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作者 李赟 赵志飞 +2 位作者 陆东赛 朱志明 李忠辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2699-2704,共6页
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三... 采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。 展开更多
关键词 SIC衬底 外延 台阶形貌 均匀性 正交实验
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KDP晶体中包裹体形成机制的探讨 被引量:12
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作者 刁立臣 黄炳荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期631-635,共5页
本文介绍了包裹体对KDP晶体质量的影响,并从两个方面探讨了KDP晶体生长过程中包裹体的形成机制。通过分析KDP晶体表面原子结构研究了不同杂质的吸附情况以及杂质对生长台阶的阻碍作用,通过分析晶体生长过程中流体动力学和质量输运条件... 本文介绍了包裹体对KDP晶体质量的影响,并从两个方面探讨了KDP晶体生长过程中包裹体的形成机制。通过分析KDP晶体表面原子结构研究了不同杂质的吸附情况以及杂质对生长台阶的阻碍作用,通过分析晶体生长过程中流体动力学和质量输运条件的变化研究了旋转晶体的流体切应力和表面过饱和度,结果表明吸附杂质对生长台阶的阻碍和表面过饱和度的不均匀造成了生长台阶的弯曲和宏观台阶的形成,导致生长台阶形貌的不稳定是包裹体形成的重要原因。 展开更多
关键词 KDP晶体 包裹体 杂质吸附 台阶形貌 稳定性
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4°偏轴SiC衬底外延工艺研究 被引量:1
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作者 李赟 尹志军 +2 位作者 朱志明 赵志飞 陆东赛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期68-71,共4页
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓... 4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600~1 700V SBD器件的研制。 展开更多
关键词 同质外延 衬底偏角 台阶形貌 肖特基二极管
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Effect of Cu element on morphology of TiB2 particles in TiB2/Al-Cu composites 被引量:4
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作者 Jing SUN Xu-qin WANG +2 位作者 Yan CHEN Fei WANG Hao-wei WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期1148-1156,共9页
In order to explore the influence of Cu element on the morphology evolution of the in-situ TiB2 particles, the10 wt.% TiB2 reinforced Al-5 wt.%Cu based composite was prepared by mixed salt casting. The morphology char... In order to explore the influence of Cu element on the morphology evolution of the in-situ TiB2 particles, the10 wt.% TiB2 reinforced Al-5 wt.%Cu based composite was prepared by mixed salt casting. The morphology characterization and transformation of TiB2 reinforcements caused by Cu element were investigated by multi-scale microstructure characterization and statistics techniques. In the case of controlled casting, 5 wt.% Cu addition was found to transform the TiB2 particle morphology from hexagonal plate with sharp edges and corners to hexagonal or tetragonal prism with chamfered edges and corners with the distinguishing growth steps both on the top surface and the side surface. The TiB2 growth in Al-Cu matrix followed the rules: nano-scaled spherical nuclei-polyhedron grains-chamfered hexagonal particles-hexagonal plates-chamfered particles with obvious growth steps. The adsorption energy of Cu on different crystal surfaces of TiB2 was caculated to reveal the influence mechanism and the results indicated that Cu was preferentially adsorbed on the(10-11)TiB2 crystal planes, devoting to the small aspect ratio of TiB2. 展开更多
关键词 shape control preferential adsorption TiB2 morphology 2D-nucleation growth step
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