基于不同Cu-CHA催化剂方案的NH_(3)-SCR性能及氨存储特性研究

为研究选择性催化还原(SCR)催化剂涂层硅铝比(SAR)、负载量、载体目数及氨/氮氧化物的物质的量比(ANR)对瞬态NO_(x)转化率及氨存储特性的影响,采用离子交换法制备SAR为12、22的Cu-CHA涂层,结合140、160 g/L负载量,62、93个孔/cm^(2)目数载体制备出4种涂覆式催化剂。通过NH_(3)-TPD/H_(2)-TPR表征材料发现,SAR为12的涂层具备更多活性Cu^(2+)和更多酸性位点。采用固定床反应器和发动机台架分别研究SCR瞬态单点性能和工况排放。单点性能研究发现,各方案低温NO_(x)反应速率由高到低的顺序依次为12-160-93、12-160-62、12-140-62、22-160-62,12-160-93方案下180、200、250℃单点平均反应速率分别可达2.24×10^(-6)、4.37×10^(-6)、1.48×10^(-5)mol/s;低SAR、高负载量、高载体目数方案都会提升单点瞬态NO_(x)转化率,降低瞬态氨存储量,提升ANR可同时提升瞬态NO_(x)转化率和瞬态氨存储量。各方案下工况NO_(x)排放与低温单点性能一致,但是高负载方案增加了变化工况下NH_(3)泄漏量,与单点NH_(3)泄漏趋势相反。

基于反应动力学模型的SCR催化剂氨存储特性研究

建立NH3在选择性催化还原(selective catalytic reduction,SCR)催化剂上的单活性位和双活性位吸附脱附反应动力学模型。通过粉末状SCR催化剂的NH3吸附脱附试验对模型参数进行辨识。试验结果表明:双活性位反应动力学模型能更好地描述NH3在SCR催化剂上的吸附脱附过程。在双活性位反应动力学模型的基础上,研究了温度和入口NH3浓度对SCR催化剂氨存储量的影响。仿真结果表明:温度越高,SCR催化剂氨存储量越少;入口NH3浓度越高,弱吸附位的氨存储量越高而强吸附位的氨存储量基本保持不变。

针对Flash存储特性的航天器大容量固态存储技术

航天任务对存储系统要求极高,商用领域基于Flash的固态硬盘使用FTL技术照搬传统磁盘管理技术,对Flash存储特性利用不足,无法满足需求。本文基于3Dplus公司的Flash存储模块,采用FPGA直接管理存储介质的方法,结合航天任务需求,针对Flash存储特性提出并行总线、流水线操作技术和坏块管理等航天应用措施,介绍一种实际应用于航天任务的大容量固态存储系统,容量128 Gbits,吞吐率可达500 Mbps。最后讨论了民用Flash存储系统的发展对航天应用的启示。

Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究

这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间提高了 3～ 5个量级 ,有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾 ,使器件的性能得到明显改善。

一种新型光致聚合物的全息存储特性研究

通过记录非倾斜光栅和设计不同的实验，详细讨论了一种光致聚合物的全息存储特性，结果表明该材料具有较高的灵敏度、衍射效率和动态范围；实验测得厚度为60μm的该材料半角宽度为0.5度，无明显的布拉格偏移；还给出了不同读出光强度情况下衍射效率的变化。最后在样品中存储了一幅256×256像元数的数据页面，再现的图像具有相当高的信嗓比，适合于做高密度数字全息存储材料。

氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 .

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2

MR/PVA薄膜的SP和PP偏振存储特性的比较

用两正交偏振光 (SP)和两 P偏振光 (PP)作为记录光 (λ=5 32 nm) ,记录光的功率均为 5 m W,用 He- Ne激光器 6 32 .8nm红光作为读出光 ,分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜 (MR/ PVA)样品的光栅生长曲线 .发现用两 P偏振光作为记录光时 ,光栅生长曲线分为快、慢 2个过程 ;两正交偏振光作为记录光时 ,光栅生长曲线只有一个过程 ,前者的慢过程和后者过程的响应时间近于相同 .

Zn:Ce:Mn:LiNbO_3晶体的存储特性

分别在 Ce∶Mn∶ Li Nb O3中掺入浓度为 3mol%和 7mol%的 Zn O,采用 Czochralski方法生长的 Zn∶Ce∶ Mn∶ L i Nb O3晶体 ,测量其抗光损伤能力、指数增益系数、衍射效率。

铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制

铁电薄膜存储器具有开关速度快，工作电压低，存储密度高，工作温度范围大，耐辐射和非挥发性等优点。因此对铁电薄膜存储器(FRAM)的开发和研究引起了世界范围的关注。铁电薄膜具有记忆特性是因为铁电体上有电滞回线，因此，直接测试铁电薄膜双向极化后剩余极化的差别。是其它性能测试不能替代的。我们研究设计了铁电薄膜存储器存储特性测试仪，用于铁电薄膜的主要性能指标的检测。实际应用表明，该仪器能够对铁电薄膜存储器进行各种“读／写”操作。利用它对Au／BIT／PLZT／BIT／n-Si铁电薄膜进行性能测试，发现其具有记忆特性和非挥发性。这些实验结果证明了．我们设计的铁电薄膜存储器存储性能测试仪对铁电薄膜存储器的研究是具有实际意义的工具。

MNOS晶体管的存储特性及其测量方法

本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.

纳米晶存储特性的研究

常温下硅纳米晶构成的 MOSFET 存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在 ULSI 中有重要的应用前景。它是当前 ULSI 研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道。本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展。

基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。

研制出一种具有优异存储特性的碳纳米管基铁电场效应晶体管

碳纳米管独特的结构和电学性质为其电子器件应用提供了巨大潜力。物理所／北京凝聚态物理国家实验室博士生符汪洋、32程师许智、研究员白雪冬和王恩哥与微加32实验室研究员顾长志合作。研制成功了以外延铁电薄膜为栅介质的单壁碳纳米管场效应晶体管。开发出一种基于碳纳米管的铁电场效应晶体管存储器件单元。

牧草作物种子存储特性研究进展

牧草作物种子的存储研究是当今世界上畜牧业较为发达国家的重点问题,其中美国、加拿大、澳大利亚等畜牧业大国将牧草作物种子的存储研究作为发展畜牧业的重要方向。牧草作物种子对于畜牧业的可持续、高效率发展至关重要,针对牧草作物种子进行发芽率试验的方法也多种多样,但是较经典且应用较为广泛的是种子发芽电导法及经典发芽法两种。牧草作物种子寿命的长短,受到了内部和外部一系列因素的影响,因此对牧草作物种子最适保存方法的研究,不仅可以大大提高牧草作物种子的生命力,而且对其保存期的延长也大有裨益。基于牧草作物种子研究领域常见的经典发芽法及种子发芽电导法,对20种牧草作物种子的活力及生命力进行较为精准的测定,从而深入探讨这些牧草作物种子的活力及生命力潜在的变化规律,以期能够通过试验找出不同种子存储的最适方法,为牧草作物种子资源质量的提高和寻找牧草作物种子最适存储方法提供有效的科学依据。

基于LabVIEW编程的存储特性测试系统设计

LabVIEW作为一种图形化程序语言,可以为通信及测试提供便捷明了的操作环境。本文以提高存储器件电导特性测试的效率为目的,基于LabVIEW编程,设计了一套便捷、高效的电导特性测试系统,可同时实现电流-电压(I-V)、电阻-时间(R-t)、电阻-测试次数(R-N)等特征曲线测试。所有测试数据均能以图像的形式实时显示,便于及时的数据处理及测试更改。同时,利用LabVIEW编写的程序,测试者可在电脑测试界面进行自变量为电压或电流的自动化切换及相关参数的更改和选择,由此节省了手动更改按键操作的时间,提高了测试的效率和准确性。

EO－PVA有机染料薄膜的存储特性研究

制备并研究了染料掺杂ＥＯ—ＰＶＡ有机材料膜片的存储性能．用氩离子单线激光作光源，获得了良好的实时和长时存储图像信息．最低存储功率密度可小于０．２Ｗ／ｃｍ２。分析了该材料的存储机理，确定了最佳存储参数。

Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性

采用脉冲激光沉积方法 (PLD)制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 .铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别约为 1 5 μC/cm2 和 48kV/cm ;1 0 9次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降 1 0 %和增加 1 2 % ;观察到源于铁电极化的C V和I V特性回线 ;电流密度 + 4V电压下为 6 .7× 1 0 -8A/cm2 ;在 + 2V的读电压下 ,读“1”和读“0”电流有 0 .0 5 μA的明显差别 ;保持时间达 30min以上 .

TeO_x和Ag-In-Sb-Te-O薄膜动态存储特性的测试

采用真空蒸镀法制备了以TeOx 薄膜为记录层的可录光盘 ,采用溅射法制备了以Ag In Sb Te O为记录层的可擦重写光盘 ,并测试了这两种光盘在波长为 5 14 .5nm的动态存储特性。实验结果表明 ,可录光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 3 0dB ,波长 780nm时达到 41dB ;可擦重写光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 2 5dB ,波长 780nm时达到 3 8dB。对光盘载噪比偏低的可能原因及改进方法进行了讨论。光盘动态存储性能测试证明了这两种薄膜可用作蓝绿光波段高密度光存储介质。