瞬时过电流脱扣器整定值应躲过被保护回路的最大可能尖峰电流

1）选型原则：①按正常工作条件选择，包括频率、电压、工作制和保护特性等。②按短路工作条件选择，即断路器的额定短路通断能力应满足短路条件下短时耐受电流及分断能力的要求。③使用环境条件等选择，包括粉尘、腐蚀、爆炸与火灾危险、温度、湿度、海拔及盐雾等环境场所。对于一般的配电回路应选用配电型低压断路器，电动机回路应选用电动机保护型。

基于阶梯齿的开关磁阻电机尖峰电流削弱方法

开关磁阻电机(SRM)结构简单、可靠性高,已应用在一些低速驱动场合,但开关磁阻电机的双凸极结构及磁路高饱和,带来了较大换相尖峰电流问题。为削弱换相尖峰电流和降低驱动系统容量,提出定子阶梯齿结构,通过较窄的一级齿保证输出转矩,较宽的二级齿降低磁极饱和程度。首先,研究阶梯齿结构对降低铁心磁通密度饱和程度的可行性;然后,利用有限元软件分析阶梯齿尺寸对输出转矩和换相尖峰电流的影响;最后,基于工程问题,提出带极靴结构阶梯齿开关磁阻电机的设计方法。仿真结果表明,阶梯齿结构可以提高电机抗饱和能力,有效削弱换相尖峰电流。

斩波电路的尖峰电流分析

分析了斩波电路的开关换流过程，讨论了（ＧＴＲ）开通时尖峰电流的产生机理，并根据建立的电路模型求出了尖峰电流的解析表达式，最后提出了限制尖峰电流的措施及新见解．

可驱动大功率IGBT的高尖峰电流栅极驱动光电耦合器

对电机驱动、不间断系统、开关电源、高强度灯管镇流器和感应加热等电压转换应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）的栅极必须以稳定的开关驱动电压推动，并需要相对较高的电流水平，以便在导通和关断状态间快速切换，这个高电流主要用来进行栅源极以及栅漏极电容的快速充放电。

抑制图腾柱PFC电流过零尖峰控制方法的研究

针对工作在CCM模式下的图腾柱拓扑PFC在电压过零点处电流的畸变问题,在详细阐述图腾柱PFC的工作原理及过零电流尖峰产生原因的基础上,提出一种改进型的过零控制方式,在输入电压过零时刻前后插入死区为低频开关管反向恢复提供时间。在死区时段后对高频开关管施加渐进占空比信号,以完成对低频桥臂的寄生电容上电压释放,并降低过零电流尖峰。控制策略采用基于占空比前馈平均电流控制原理的双闭环控制,提高电流对电压的动态响应能力。基于上述方法,搭建了一台交流输入电压220 V,直流输出电压400 V,满载2 kW的实验样机并进行实验研究。实验结果表明,样机峰值效率可达98.3%,满载时功率因数高达0.99。

基于扩展卡尔曼滤波的过采样电流奇异点抑制策略

传统永磁同步电机(PMSM)矢量控制策略的电流环动态响应较慢,研究人员往往采用过采样方法以加以改进。然而在实际工作中的驱动器开关管换相时刻,因电路杂散参数等因素容易产生高频电流脉冲,过采样容易引入这些电流奇异点进而极大影响PMSM的控制精度和系统的正常工作。针对这一问题,本文提出一种基于扩展卡尔曼滤波(EKF)的PMSM尖峰电流噪声滤除方法,并对传统EKF方法中噪声协方差矩阵的选取策略进行改进,根据检测到的电流噪声自适应改变EKF算法中的协方差矩阵项以滤除偶然脉冲干扰。仿真和实验结果表明,所提方法对于高频尖峰噪声的滤除具有较好的效果,同时拥有较强的参数鲁棒性,可以满足实际系统的需要。

基于SiC的图腾柱无桥PFC电路过零点电流尖峰研究

虽然基于SiC的图腾柱无桥功率因素校正(PFC)电路性能优,但仍存在固有的过零点电流尖峰的问题。为抑制过零点电流尖峰,在深入分析图腾柱无桥PFC电路过零点电流尖峰基础上,提出在过零点附近过渡区间插入基于数字控制的新电流尖峰抑制电路。新控制策略包含在过零点前插入实现快切换桥臂开关管软启动的控制,和过零点后采用增强PI控制器的控制。为实现平滑软启动,进一步提出基于实时电流闭环PI反馈的软启动策略。新控制策略电路模态少,控制简单有效,实现容易。

负反馈放大电路电流中尖峰噪声过滤方法研究

配电系统负反馈放大电路的电流中存在大量尖峰噪声,造成电流瞬间增大,导致配电系统中的电气设备受到损毁而无法正常运行。利用传统算法进行负反馈放电电路电流中尖峰噪声过滤,无法避免由于配电系统对于电流较强的随机性导致尖峰噪声难以过滤的缺陷,从而降低了负反馈放电电路电流中尖峰噪声过滤的准确性。为此,提出一种基于校验滤波算法的负反馈放电电路电流中尖峰噪声过滤方法。详细阐述了根据检验滤波算法进行负反馈放电电路电流中尖峰噪声过滤原理,并将该原理应用到配电系统中电气设备的运行过程中。实验表明,该方法提高了负反馈放大电路电流中尖峰噪声过滤的准确性,保证了配电系统的正常运行。

核仪表系统中间量程闪发尖峰电流问题分析与处理

红沿河核电厂1号机组首次启动过程中,核仪表系统(RPN)中间量程通道闪发异常电流导致反应堆停堆。通过对中间量程通道工作原理分析和现场故障排查,并进行模拟实验,确定故障根源为中间量程通道的量程切换处理过程存在缺陷,制定并实施了基于参数优化的解决方案。

论尖峰电压、电流对开关电源的干扰和抑制措施

开关电源具有体积小、重量轻、效率高等优点,在数字电路中应用广泛,但其高频开关会引起电压及电流的变化,这些变化会产生大量电磁干扰,影响电子设备正常运行。本文主要介绍了电源线干扰及抑制、尖峰电压及电流对开关电源的干扰及抑制措施。

大功率BUCK变换器电压电流尖峰的分析及抑制措施

在大功率Buck变换器中电路工作于高频开关状态 ,由于实际线路的寄生参数和器件的非理想特性的影响 ,开关器件两端会出现过高的电压和电流尖峰 ,严重地降低了电路的可靠性。本文详细分析了两种尖峰产生的原因和危害 ,有针对性地提出了几种RCL缓冲电路 ,并给出了电路各参数的分析和设计方法。仿真和使用结果证明了该缓冲电路具有良好的软开关效果 ,对于主开关管的电压尖峰和电流尖峰具有较强的抑制作用。

反激变换器功率场效应管开通电流尖峰分析

反激变换器功率场效应管开通瞬间存在较大的电流尖峰,不仅产生电磁干扰,增加开关管的电流应力,而且当采用峰值电流控制方式时,可能导致开关管误动作。通过建立包括电路和变压器杂散分布参数的模型深入分析了电流尖峰的影响因素,提出相应的抑制措施,并进行了实验验证。

一种负载适应的电流尖峰限制型功率管开通方法

在传统驱动电路中,固定的驱动参数使开关损耗无法得到优化,针对这个问题提出一种负载适应的功率管开通方法,功率管的开通速度可随负载的变化而自适应的调整,以一个常见的平均电流控制型Boost电路为例,阐述所提出方法的控制原理,详细分析恒流驱动下功率管的开通特性及开通损耗。以LT3086为核心设计驱动电路,设计的原则是小电流下(轻载)功率管的开通电流尖峰不大于额定电流下功率管的开通电流尖峰。最后建立了一台功率为1 kW/200 V输入/400 V输出的Boost实验样机,实验验证了所提出方法的有效性,结果表明轻载下变换器的效率比传统驱动的方法可提高0.9%以上。

反激变换器中电流尖峰产生的机理与解决措施

基于减小DC/DC变换器中电流取样信号前端电流尖峰的幅度和宽度,保证电流环闭环控制稳定性的目的,以反激变换器为例,通过分析主电路的工作状态,剖析了电流尖峰产生的机理,揭示了与电流尖峰幅度和宽度有关的吸收电路参数和器件参数,通过仿真设计一款反激变换器,给出工程设计吸收电路参数、整流管参数和RC滤波参数的方法。在产品设计中,应用该方法,可以获得干净的电流斜坡信号,实现电流环闭环电路的稳定。

宽输入反激式变换器电流尖峰的抑制方法

作为中小功率辅助电源的主要应用拓扑结构之一,反激式变换器的输入需满足宽范围和高电压的要求。但由于受变压器寄生参数的影响,反激式变换器存在一定的电流尖峰,在高输入电压情况下,该电流尖峰所导致的变换器损耗较大,影响整个装置的转换效率、功率密度和可靠性。因此,文章详细分析了反激式变换器电流尖峰产生的原因,从变压器绕组布局和绕组层间连接方式两方面提出了抑制开通电流尖峰的改进措施,并研制了输入电压范围为300 V^3000 V、85 W反激式变换器样机。实验结果表明,通过改进其变压器绕组布局可以将变换器效率提高7%;通过改变变压器绕组层间连接方式可以将变换器效率提高2%。

反激变换器电流尖峰分析

反激变换器工作在高频开关状态,其开关管在开通瞬间存在较大的电流尖峰,这不仅增加了开关管的电流应力,而且降低了电路的可靠性。通过建立等效电路模型进行仿真,详细分析了影响电流尖峰的几个重要因素,并提出了相应的抑制措施,为反激变换器的可靠性设计提供了参考。

反激变换器MOSFET开通电流尖峰的PSIM仿真研究

针对反激变换器在MOSFET开通时刻存在电流尖峰的事实,详细分析了变压器分布电容和箝位二极管结电容对电流尖峰的影响。最后在PSIM中建立了反激变换器的仿真模型,仿真结果证实:由于变压器的分布电容与箝位二极管的结电容都会在MOSFET开通时刻进行充电,从而产生较大的充电电流,最终体现为MOSFET的开通电流尖峰。

SiC MOSFET开通电流尖峰的分析及抑制

在桥式结构的电压源型变换器中,IGBT器件需要反并联二极管以保证续流。而碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于具有双向导通的能力,且内部寄生体二极管,所以无需外部增加反并联二极管。但是体二极管的反向恢复问题、导通压降过大问题将降低变换器效率。所以目前很多应用中仍然在SiC MOSFET外部反并联SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行续流。虽然SiC SBD无反向恢复电流,但是SBD的结电容会导致较大的主开关管开通电流尖峰。为了得到最优的续流方式,此处分析了SiC SBD续流、SiC MOSFET体二极管续流以及两者并联续流3种模式下开通电流尖峰的组成成分及各成分的产生原因。实验结果表明利用体二极管和SBD并联的方式效果最差。为了研究电流尖峰的变化规律,实验中改变直流侧电压和开关速度等外部条件,观察电流尖峰的变化。实验结果表明开关速度对电流尖峰的影响最大。最终,提出了3种抑制开通电流尖峰的方法。

Flash芯片电流“尖峰”现象的脉冲激光试验

利用皮秒脉冲激光单粒子效应试验装置研究了一款宇航级Flash芯片的电流“尖峰”(HCS)现象。利用激光准确定位的特点,确定电流“尖峰”是由芯片的电荷泵单元充放电引起的,不同的激光能量、入射位置会触发不同频率、相同幅值的电流“尖峰”现象,虽然电流“尖峰”发生的瞬间电流增大的现象与单粒子锁定效应表现一致,但机理完全不同。当激光能量足够高(对应于重离子LET值99.8 MeV·cm2/mg)时,在电荷泵的同一个敏感位置累积多次辐照不断触发芯片发生电流“尖峰”,芯片会因多次充放电而损坏。

论尖峰电压、电流对开关电源的干扰和抑制措施

开关电源现越来越广泛地应用于数字电路中,开关频率及速度也随之提高,这些引发电压及电流的变化,并伴随有大量电磁干扰的出现,这会严重干扰影响到电子设备的正常运行的,出现一些故障如死机、数据出错等等,对生产工作会造成较大损失,应采取措施抑制这种干扰影响的出现。本文将重点分析下尖峰电压、电流对开关电源的干扰以及对应的抑制措施。