微孔塑料挤出成型中的成核密度及成核时间

利用有限差分法推导出气体 /聚合物熔体体系在微孔塑料连续挤出成型过程中口模中的成核密度和成核时间的迭代计算公式 。

电化学法预处理硅基片提高金刚石成核密度的研究

通过用电化学法预先沉积一层碳膜的方法，利用热丝化学汽相沉积法使金刚石在光滑硅片上的成核密度达到１０７ｃｍ－２左右，与未镀碳膜相比提高了近３个数量级。文中还分析了可能的原因。

CVD法生长金刚石薄膜中基片表面形貌对成核密度的影响

本文首次提出用分形理论研究CVD方法生长金刚石薄膜中基片表面形貌对成核密度的影响,发现:成核密度n与基片表面分形维数D之间存在一定关系;在D介于2～3时,n有峰值存存。

衬底表面处理对燃烧焰法沉积金刚石膜成核密度的影响

研究了衬底表面不同处理对燃烧焰法沉积金刚石成核密度的影响，发现用硬微粉（金刚石，碳化硅）对衬底的刻划，能明显地提高成核密度，在衬底表面涂覆机械泵油或先沉积薄类金刚石层也能显著提高成核密度。成核密度的提高有利于生长出连续金刚石膜。

关于滴状冷凝成核密度和热交换系数的研究

根据成核密度的理论关系式,模拟了不同温差条件下冷凝表面的液滴生长过程,结果显示:液滴尺寸分布具有分形特征,分形维数随着温差的增大而增大;冷凝表面的热交换系数随着温差的增大也相应增大,模拟结果与实验结果相符.

直流辉光化学气相沉积金刚石的成核密度研究

利用直流辉光等离子体化学气相沉积金刚石的装置,研究了衬底材料以及表面状态对金刚石薄膜成核密度的影响,结果表明金刚石薄膜的成核密度与衬底材料的结合能、晶格常数、对碳的吸附能力及其表面状态有着密切的关系,具有较高结合能和对碳具有较强吸附能力的衬底材料有利于金刚石薄膜的成核。

基片表面处理对金刚石成核密度影响的研究

为了研究基片的表面状态对金刚石成核密度的影响，采用了抛光清洁的基片、对样品划痕、基片加热脱附等不同的表面处理方法，对样品表面进行预处理，得到了不同表面处理条件下的金刚石成核密度。尝试了在低真空（10－1Pa量级）条件下，去除表面的氧化硅及吸附活性的含碳原子，以提高金刚石的成被密度，得到了较理想的结果，成核密度为109／cm2。

提高MCVD金刚石薄膜成核密度的有效方法

本文比较先在硅衬底上沉积无定形金刚石膜，然后再沉积金刚石膜，和直接在硅衬底上沉积金刚石膜的结果，前者成核密度大大提高，最后分析了提高成核密度的原因。

成核密度模型对弧形表面CHF的影响

反应堆发生严重事故时,必须及时对反应堆压力容器(RPV)下封头进行外部冷却以降低下封头损毁可能性,事故期间下封头具有很高的热流分布,在实施外部冷却时可能出现由于过冷沸腾导致的气泡聚集而产生换热恶化从而烧毁。本研究利用ANSYS Fluent软件进行RPV外部冷却的临界热流密度(CHF)数值计算,并通过实验对比发现Basu Warrier和Dhir研究的成核密度模型可以很好地应用于球形表面CHF计算。通过对比球形和椭球形下封头CHF,认为椭球形下封头的CHF特性与球形结构完全不同,并不能用球形结构的实验和计算结果去推测椭球形结构的数值和变化规律。

有机磷类成核剂作用下聚丙烯结晶行为及其力学性能

研究了含有不同含量成核剂的聚丙烯的结晶行为对其力学性能的影响。结果表明 ,当成核剂含量从 0增至 0 .8% (质量 )时 ,树脂的拉伸强度和弯曲强度提高了 15 % ,弯曲模量增加了 35 % ,结晶温度提高了 10℃ ,由非线性 Volterra积分方程得到的成核密度提高了 10 6倍 ,而且成核聚丙烯的成核密度与其材料的力学性能之间存在着线性关系 ,即随着成核密度的增大 。

功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响

在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化.

不同衬底材料上金刚石薄膜成核特点的研究

研究了金刚石薄膜在 Ｗ Ｃ６ ％ Ｃｏ 硬质合金、金属 Ｗ 和单晶 Ｓｉ 片上的成核特点。实验结果表明，金刚石薄膜在上述衬底材料上的成核特点和成核机制不同。用于衬底研磨预处理的金刚石微粉粒度对金刚石在单晶 Ｓｉ 片上的成核密度有较大影响，而对在 Ｗ Ｃ６ ％ Ｃｏ 硬质合金和金属 Ｗ 上的成核密度没有太大影响。

基于金属诱导结晶生长多晶Ge薄膜的成核机理与动力学特征

研究低温下利用金属Al对非晶Ge薄膜进行层交换结晶生长多晶Ge薄膜的动力学过程。实验观察到Ge原子从非晶Ge层穿过中间很薄的GeO_x界面层后,大量地迁移到金属Al层的表面,并对多晶Ge薄膜中Ge成核区域的面密度进行了测量,对GeO_x界面层进行偏置电压处理以控制Ge成核区域的面密度。根据实验观察的各种结果并运用JMAK的相迁移理论解释了Ge成核区域的二维生长过程以及成核机理。应用Ge成核区域的动力学方程得到Ge岛的成核率随时间呈指数衰减的变化趋势。随着生长时间的增加,Ge成核区域从恒定生长速率的线性生长方式转变为表面扩散限制生长方式。这两种生长机制的转折点取决于Ge岛成核的位置密度和退火温度。掌握低温下层交换结晶的生长动力学理论对生长大颗粒的多晶Ge薄膜是非常重要的。

金刚石粉悬浮液超声预处理促进金刚石成核特性研究

本工作发展了一种金刚石粉悬浮液超声预处理方法，有效地促进了各种衬底材料特别是绝缘材料上金刚石膜的成核，大大提高成核密度，使硅和石英玻璃上金刚石晶粒密度分别达到1010和109cm－2，并使成核的孕育期缩短到5分钟，获得了连续的超薄金刚石膜。本文同时提出了这种预处理方法促进成核的机理。

用AFM研究Cu在Si基上沉积成核的演化过程

室温下,利用磁控溅射在P型Si(100)衬底上沉积了Cu膜。利用原子力显微镜(AFM)对较短沉积时间内制备的样品形貌进行了观测,研究了磁控溅射沉积Cu膜时Cu在Si衬底上沉积成核的演化过程。随着沉积的进行,Si基表面的成核密度随着时间的增加而增大;核长大增高为岛状,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成连续膜。在溅射到15 s时,发现奇异现象。

冲击相变成核与生长过程对波剖面影响的研究

凝聚物质在冲击波作用下的相变多属一阶相变，本质上是一系列的成核与生长过程。这一过程对物质微细观结构及波剖面的演化起着决定性的作用。尽管冲击相变的研究已有50余年历史，但对于这一极快而复杂的现象背后的新相成核与生长过程的认识仍然非常有限。例如，样品内部的成核密度和分布如何？相边界的传播速度与加载条件的关系？成核与生长过程如何影响应力波的传播？由于缺乏合适的研究手段，这些问题很少得到研究。在实验方面，x射线衍射可以测量冲击相变中原子的运动，但不能观测成核与生长过程；在理论方面，分子动力学可以模拟这一过程，但仅限于很小的尺度。

河南桐柏老湾花岗岩岩浆动力学与成矿

基于岩浆岩岩石学、流体动力学、热力学研究 ,本文计算了河南桐柏老湾花岗岩岩浆过程的上升速度、冷凝速度及岩浆熔体的密度、粘度、含水量等物理参数 ,探讨了熔体中晶体的成核密度和生长速度以及岩浆对流形式等动力学行为 ,并分析了它们与成矿作用的联系。研究表明 ,老湾花岗岩岩浆含水量为 4.76 % ,在侵位的温度和压力下是饱和的 ,较高的水含量有利于矿化。老湾花岗岩熔体上升较快而冷却缓慢 ,晶体成核密度和生长速度较低 ,以挥发分为迁移形式的成分对流是熔体中成矿物质迁移、富集的主要方式。

辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响

在热丝化学气相沉积金刚石系统中 ,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体 ,对衬底施加正负偏压形成电子促进 ,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响。结果表明 ,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下 ,等离子体可明显增强金刚石的生长 ,其生长速率约为纯热丝法的三倍 ;而正偏压对等离子体辅助沉积金刚石不仅没有增强形核作用 ,而且抑制金刚石的生长 ;电子促进法可以显著提高金刚石的成核密度 ,但并不能提高金刚石生长速率。

加氮对直流电弧等离子体喷射金刚石膜生长、形貌和质量的影响

利用直流等离子体喷射化学气相沉积法制备掺氮的金刚石厚膜。本文研究了在甲烷 /氩气 /氢气中加入氮气对金刚石膜生长、形貌和质量的影响。反应气体的比例由质量流量计控制 ,在固定氢气 (5 0 0 0sccm)、氩气(30 0 0sccm)、甲烷 (10 0sccm)流量的情况下改变氮气的流量 ,即反应气体中氮原子和碳原子的变化比例 (N/C比 )范围是从 0 .0 6到 0 .6 8。同时金刚石膜在固定的腔体压力 (4kPa)和衬底温度 (80 0℃ )下生长。金刚石膜用扫描电镜(SEM)、拉曼谱和X射线衍射表征。结果表明 ,氮气在反应气体中的大量加入对直流等离子体喷射制备金刚石膜的形貌、生长速率、晶体取向、成核密度等有非常显著的影响。