溅射工艺时间对不同靶材溅射速率的影响

为了研究溅射工艺时间对不同靶材溅射速率的影响,以铜、铝、二氧化硅、氧化锌4种靶材为研究对象,获得不同溅射工艺时间下沉积薄膜厚度。根据靶材的导热情况和溅射时腔内的温度变化建立数学模型,采用Matlab软件模拟出靶材表面温度随溅射工艺时间的变化。结果表明,随着溅射工艺时间的延长,铜、铝等金属靶材的溅射速率几乎没有改变,而氧化锌和二氧化硅等靶材出现“溅射失重”现象,原因可能与靶材的导热性能和键能有关。

TiO_2薄膜溅射工艺参数对其光催化性能的影响

利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2 薄膜光催化剂 ,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响。采用动态反应系统 ,紫外光源为TUV ,降解对象为 0 0 2mmol/L亚甲基蓝溶液。结果发现 :Ar/O2 混合反应溅射在O2 分压大于 9%之后亦可制备出光催化能力与纯O2 溅射相近的TiO2 薄膜。TiO2 薄膜厚度是影响其光催化降解能力的最敏感因素 ,80 0nm以下TiO2 薄膜降解能力基本与厚度成正比。TiO2 薄膜在黑暗环境下长期放置 ,光催化性能会出现一定下降 。

直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。

磁控溅射靶源设计及溅射工艺研究

设计制作了方便实用的圆形直流平面磁控溅射靶源；用ＣＴ—５型高斯计测量铝靶面上的磁场分布，给出靶电压和靶电流随溅射氩气压（３．０×１０－１～９．０×１０－１Ｐａ）的变化曲线和３种不同气压（１．０，０．６，０．２Ｐａ）下的伏安特性曲线；在玻璃基体上制备了高纯铝、铜和钛膜．结果表明，该靶源可得到最佳磁场分布，且结构简单、更换靶材方便、溅射电压和气压低、成膜速度快、基体温升低．

RF磁控溅射工艺对TiNi_(1-x)Cu_x合金薄膜组织形貌的影响

采用RF磁控溅射技术制备了TiNi(1-x)Cux合金薄膜,利用扫描电镜、电子能谱仪和XRD技术分析研究了RF磁控溅射工艺对TiNi(1-x)Cux合金薄膜组织形貌的影响规律.结果表明:在基片不加热的条件下溅射薄膜组织结构为非晶,并呈柱状形貌垂直于基片生长;经650～720℃,3 min退火处理后,薄膜均发生晶化转变;在他它条件相同的情况下,溅射功率和工作气压对薄膜组织形貌有很大影响;薄膜的柱状单胞直径、薄膜厚度和生长速度均随溅射功率的增长而增长,但当溅射功率一定时,工作气压增加使柱状单胞直径、薄膜厚度和薄膜的生长速率显著减小;RF磁控溅射过程中,沉积原子的活性及其沉积速率是影响薄膜组织形貌的主要原因.

磁控溅射工艺对纳米Ti膜形貌的影响

实验研究了磁控溅射工艺的溅射功率及溅射时间对纳米金属Ti膜的厚度影响,并对薄膜形貌作了简单探讨。结果表明,在其它工艺参数恒定时,金属Ti膜厚度与溅射时间呈正比例关系;金属Ti膜厚度随溅射功率的提高而增大;长时间溅射后的纳米金属Ti膜表面平整,主要源于薄膜进入连续生长阶段,出现晶粒合并的现象。

溅射工艺对BST薄膜取向行为的影响

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上沉积了Ba0．65Sr0．35TiO3薄膜。借助XRD、AFM和SEM研究了衬底温度、退火温度、溅射气压等不同的溅射参数对Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜的晶化行为和显微结构的影响。在室温下沉积并未经退火处理的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜是无定形态，在较高温度下沉积的薄膜晶化相对较好；随着在氧气气氛中退火温度的升高，X射线衍射峰的半峰宽变窄，衍射峰强度增强；在0．37～1．2Pa气压下沉积的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜有（110）和（200）主衍射峰，且其强度随溅射气压的增加而增强；当溅射气压继续升到3．9Pa，（110）和（200）衍射峰明显增强，说明Ba0．65Sro．35Ti03薄膜具有（110）＋（200）择优取向。AFM和SEM结果显示薄膜晶粒细小均匀、结构致密、表面平整，且无裂纹、无孔洞。分析结果显示优化工艺参数制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜是用以制备非致冷红外探测器的优质材料。

溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了GdTbFeCo非晶垂直磁化膜,研究了溅射工艺对GdTbFeCo薄膜磁光性能的影响。测量结果表明,基片与靶间距为72mm,溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力为477.6kA/m,克尔角为0.413°。

磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索

在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺。结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关。

射频溅射工艺对WSx薄膜摩擦性能的影响

采用射频溅射法以3Cr13马氏体不锈钢为基片制备了硫化钨薄膜。通过物相分析和表面形貌观察,以及测定微区化学成分、结合力和摩擦因数,研究了溅射功率、工作压力和沉积时间等溅射工艺条件对薄膜摩擦性能的影响。结果表明通过射频溅射法可获得非晶态WSx薄膜,薄膜的S/W比一般小于2,并受溅射工艺影响较为明显,随溅射功率的升高逐渐降低,随溅射时间的延长明显升高。薄膜结合力受溅射工艺影响并不显著。通过射频溅射所获得薄膜的摩擦因数在一定范围内与其硫钨比成反比。

溅射工艺参数对TiAlSiN涂层硬度及膜基结合力的影响

近年来超硬涂层的出现,为高速切削、干式切削的高质量刀具的发展,提供了契机。本文开展了磁控溅射法制备TiAlSiN涂层的工艺研究,在不同工艺下,获得了厚度2.0-4.0μm的TiAlSiN涂层,运用纳米压入硬度测试仪、划痕仪和洛氏硬度计等对涂层性能进行表征,研究了制备工艺参数对涂层硬度、膜基结合力的影响规律。结果表明：随着氮氩比、沉积温度和基体负偏压的增大,纳米硬度和弹性模量都是先升高后降低。靶基距为8 cm、温度为100℃、氮氩比为1/3、靶电流为1.5 A、基体负偏压为-100 V时涂层的平均纳米硬度超过40 GPa,达到了超硬水平;涂层与高速钢基体的膜基结合力随着靶基距的加大而降低,随着磁控电流的增大而增大;在沉积温度和基体负偏压由低到高变化时,涂层结合力变化趋势一致,都是先升高后降低。

X荧光光谱在溅射工艺研究中的应用

本文结合X荧光光谱讨论半导体材料镍欧姆接触电极的溅射工艺,形成的工艺流程短、效率高,方便获得更好的欧姆接触。

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 。

磁控溅射工艺控制模式比较

对各种磁控溅射的工艺参数控制技术进行比较 ,分析各自的特色 。

溅射工艺对ITO膜性能的影响

采用磁控反应溅射技术在玻璃表面上淀积大面积掺锡氧化铟薄膜(英文缩写为ITO),成功的应用到各种除冰霜用挡风电热玻璃、液晶显示透明电极和场致发光器件等。本文主要讨论不同的靶材比例、溅射电压、氧分压、基片温度、膜层厚度等工艺参数对ITO膜特性的影响。

EL薄膜的溅射工艺

本文介绍了采用分立型复合溅射靶制造 EL 薄膜的工艺。用这种方法可严格控制 EL 薄膜的化学计量及掺杂含量,并使掺杂物在薄膜里呈梯度分布。

用溅射工艺镀可钢化低辐射膜玻璃的探索

1概述 离线溅射镀Low—E玻璃具有较高的可见光透过率和很低的热辐射率，其热辐射率比在线镀膜的Low—E玻璃更低，保温隔热性能更好。在镀膜后进行高温热处理方面，溅射镀Low—E玻璃性能处于劣势。探索可钢化热弯的Low—E玻璃一直是离线溅射镀膜玻璃行业的迫切要求。

溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究

采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。

7A04铝合金表面磁控溅射制备硬质膜工艺

为提高铝合金表面硬质涂层质量,对7A04铝合金固溶处理后两种不同时效工艺进行对比,确定了适合磁控溅射方法制备硬质膜的热处理工艺。在确定镀膜时间后,通过对溅射功率的改变,探索出最适合镀膜的工艺。实验结果表明:固溶时间相同时,采用分级时效的热处理工艺比采用任何单级时效的热处理工艺都要适合限制镀膜时间和温度的磁控溅射方法。得到力学性能良好的硬质膜最佳镀膜工艺为:470℃×60min水淬+120℃×3h功率210W×5h。