硅堆球面压装结构的可靠性分析

硅堆压装结构需要为半导体器件提供良好的机械和电气连接。文中分析一起半导体器件压接力发生偏移的原因,优化了一种硅堆球面压装结构。在此基础上,分别从硅堆结构强度仿真、压接力分布试验和整体电气性能测试三个方面,验证了优化后的球面压装结构的可靠性。通过显微观察器件失效形式并试验对比优化前后的两种硅堆结构,结果表明采用曲率更大的球面结构,硅堆在器件压接力均布性上更具优势,硅堆组件的可靠性也更高。

电热化学发射中硅堆故障试验分析

针对电热化学发射试验中脉冲电源发生的高压硅堆损坏,分析可能导致器件损坏的原因,通过机械振动冲击试验、脉冲放电仿真与试验、硅堆反向恢复特性测量等确定故障原因。研究结果表明:电热化学发射过程中的机械振动冲击不会造成硅堆损伤,故障由电感性质负载特性、串联元件的反向恢复特性不一致和脉冲电源非同步放电等因素共同造成,传输线电感分量偏大是故障发生的直接原因。研究结论对于高压硅堆在电热化学发射中的应用具有指导作用。

长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析

内部均压是高压硅堆研制的关键技术,而硅堆电压分布不均的现象在端部最为突出。以硅堆分布参数等效电路为基础,先采用解析方法分析硅堆内部电压分布规律和影响因素,针对硅堆端部电压分布尤其不均匀的特点,建立EMTP仿真模型,分析端部强制均压元件参数对硅堆电压分布不均匀系数的影响。提出采用非等值均压参数配置方法改善端部电压分布,并通过实验验证了这种非等值均压参数配置方法对改善高压硅堆电压分布不均匀度的效果。研究表明,这种端部均压方法能有效降低硅堆端部的分压,从而提高硅堆整体的反向耐压。

脉冲电源中高压硅堆保护的研究

阐述了导致高压硅堆损坏的原因,并对其导通前后的电路特征和过渡过程进行了分析。根据二阶系统特性,提出采用缓冲电阻的方法来抑制工作放电中出现的冲击电压和冲击电流,防止硅堆损坏。由于缓冲电阻增大了系统的阻尼比,因此有效地抑制了系统振荡,保护了硅堆。同时,仿真和实验验证了高压硅堆损坏原因分析的正确性。

快恢复硅堆在电热化学炮脉冲成形网络中的应用研究

该文对使用大功率高压硅堆的脉冲成形网络 (PFN)的放电特性进行实验和理论分析 ,讨论了影响PFN输出脉冲电流波形的因素 ,通过引进触发真空开关(TVS) ,设计、调试了储能 2MJ的多PFN模块电热化学炮 (ETCG)脉冲功率源。

高压多脉冲硅堆汇流结构

利用形成线并联的方法产生高压三脉冲,需要在形成线和加速腔负载间串联硅堆隔离网络,以隔离不同形成线间的相互影响,并将不同形成线先后产生的高压脉冲汇流成三脉冲串传输到加速腔。硅堆放置于封闭的油箱中,箱体结构的设计将直接影响汇流后三脉冲的波形品质和硅堆的使用寿命。通过对高压硅堆内部电势分布的模拟分析和实验验证,明确了影响硅堆使用寿命的主要原因;设计实验测量了汇流结构各部分对汇流脉冲前沿的影响程度,综合分析汇流结构对硅堆使用寿命的影响,明确了汇流结构的优化方向,并在此基础上确定了神龙二号三脉冲直线感应加速器硅堆汇流结构的最终设计。

轨道炮脉冲电源续流硅堆设计及实验现象分析

为了满足电磁轨道发射的要求,使总输出电流能叠加为设计的电流波形,进行了脉冲电源设计和脉冲放电波形调节技术的研究,设计了高压大功率续流硅堆装置.针对实验过程中出现的问题,从理论和实验的角度,分析了脉冲功率源系统产生问题的原因,提出改进方案,使发射试验得以顺利进行.

塑封高压硅堆成品管内部结构测试分析

针对塑封高压硅堆反向特性差的问题 ,采用“显微剖析”技术和“紫外荧光无损检测”(UVF)技术 ,对样管的内部结构及原材料进行测试分析 ,并与进口样管内部结构进行比较 ,找出了国产样管不足之处 。

高压硅堆在雷达发射机中的应用

较详细地介绍了高压硅堆在大功率电路中运用的成功经验和失败教训，列举了在高压整流电路、调制器内的充电电路、反峰电路、阻尼电路、高效率ｄｅ－Ｑ装置的回授电路和箝位限幅电路中运用高压硅堆的条件及工作状态的特点。

高压硅堆反向击穿特性自动测试系统

本文介绍了高压硅堆反向击穿特性的测试方法及其自动测试系统，并对测试过程中产生的误差进行了分析．

基于硅堆的猝发高压脉冲源初步实验研究

为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲,开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流,反向关断时间进行了实验研究;采用脉冲形成线产生矩形脉冲,利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲,以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明:硅堆在500 ns脉宽条件下,其电流过载至少736倍,关断时间约200 ns,硅堆的绝缘恢复时间决定产生脉冲的最高重复频率。

特种高压硅堆的结构设计

本文从特种高压硅堆的内部结构、外形整体结构的设计以及在检测应用中应注意的问题进行了阐述，并就应用领域方面提出了线索。

微波炉用高压硅堆的设计与工艺

介绍了微波炉用高压硅堆的结构设计、工艺及主要电参数的技术指标.

析塑封高压硅堆的国内外市场

塑封高压硅堆是集成电路无法替代的特种专用分立器体,是电子线路和电子设备的重要组成元器件之一。主要用于各种彩色、黑白电视机、计算机终端显示器、微波炉、汽车点火器、X射线仪、静电复印机以及部分民用军用高压整流电子仪器仪表。

脉冲功率源系统中隔离硅堆动态特性分析

在脉冲功率源系统中,隔离硅堆起着模块间隔离与保护的作用。分析隔离硅堆的动态特性有助于在硅堆出现故障时推测其原因。结合实验数据,利用软件仿真分析硅堆上电压与电流的曲线;并探究波形变化原因。结果表明,隔离硅堆内部存在电容效应,且结电容会使与后触发电容相连的二极管上出现较大反压,可能影响硅堆的正常使用。结电容值越大,二极管上电压的过渡过程越长,与后触发电容相连的二极管的反向电压过冲越高;对应的反向电流峰值越高,反向恢复时间越短。

特种高压硅堆的应用领域和电参数的设计测试

本文阐述了特种高压硅堆的主要应用领域，同时对其主要电参数的设计测试作了分析。

玻璃钝化高频高压硅堆的性能分析及提高措施

玻璃钝化高频高压硅堆(以下简称玻硅堆),它是电视机组件一体化回扫变压器不可缺少的器件,是电视机重要配件之一.玻硅堆性能好坏,对电视机的质量起着重要的影响.其性能概括可分为动态性能和静态性能两个方面.静态又可分为常温和高温静态性能;动态也可分为常温和高温动态性能.所谓静态性能,就是直接测量玻硅的参数,看是否符合规定要求;所谓动态性能,是模拟电视机使用情况。

高反压极小漏电流的微型硅堆SLD的研制

用于军品微光象增强器高倍压电源的微型硅堆,具有高反压V_r≥5000V,极小反向漏电流I_r≤0.005μA、高可靠、外型小等优良特性。因此,研制和生产有较大难度。本文主要介绍了该特种器件的设计、研制和主要工艺特点,并介绍了研制结果。