紫光对设施草莓朱砂叶螨种群的控制作用

朱砂叶螨是草莓上重要害虫,非化学控制是草莓绿色生产的重要手段。为探讨紫光对朱砂叶螨的驱避作用,利用计算机模拟RGB值与虚拟光波长的关系,筛选对朱砂叶螨有驱避作用的最佳光波长。采用波长410 nm的紫光照射草莓植株,设置照射时段00:00-06:00、06:00-12:00、12:00-18:00和18:00-24:004个处理和不同光照时间,研究不同照射时段和光照时间对朱砂叶螨的驱避作用及对发育历期的影响,以无紫光照射为对照。在设施草莓植株上放置紫色灯带,每天18:00-24:00开灯,每7 d调查1次草莓上朱砂叶螨虫量,计算校正虫口减退率。结果表明:朱砂叶螨对波长410 nm光的选择率最低(3.89%)。每天18:00-24:00时段紫光照射对草莓朱砂叶螨的驱避作用最强,校正虫口减退率显著高于其他时段。紫光对盆栽草莓朱砂叶螨有较好的驱避作用,紫光照射7 d后朱砂叶螨校正虫口减退率达69.33%,不同叶位的校正虫口减退率之间无显著差异。紫光照射草莓叶片8 d后,朱砂叶螨发育历期较对照延长28.01%。紫光对设施草莓上朱砂叶螨有较好的驱避作用,对照草莓上朱砂叶螨数量是紫光照射的2.38倍,其校正虫口减退率与光照时间呈显著正相关。综上,紫光对草莓朱砂叶螨有较强的驱避作用,并能延长朱砂叶螨的发育历期,每天18:00-24:00使用紫光照射对设施草莓上朱砂叶螨有较好的控制作用。

紫光展锐V620芯片全面支持5G R16宽带物联网特性

2024年2月26日,紫光展锐推出业界首款全面支持5G R16宽带物联网特性的芯片平台——V620。该芯片基于紫光展锐第二代5G通信技术平台,具备强劲的性能和全面的网络覆盖,可广泛应用于5G FWA、5G手持终端、5G模组、笔记本电脑、网关等多种形态的终端设备,在全球范围内为宽带接入、电力、能源和高端制造等行业领域带来出色的5G连接。

紫光展锐携手移远通信推出5G模组新品,多种场景大有可为

近日,紫光展锐联合移远通信推出搭载展锐P7885的全新5G智能模组——SG530C-CN。该模组拥有出色的算力和连接能力,并在多媒体性能与成本效益层面呈现较高水平,将广泛应用于智慧零售、娱乐/直播、手持终端、工业AI等相关应用场景。高性能低功耗,满足各种场景所需P7885是紫光展锐首款5G行业方案平台,面向垂直行业的5G应用与智能化升级需求,采用6nm EUV先进工艺、八核1+3+4三丛集CPU架构,集成Arm MaliG57四核GPU,运行频率850MHz,NPU算力达到8 TOPS。

紫光同芯亮相TRUSTECH,发布全球首个为智能POS定制的eSIM解决方案

TRUSTECH 2023在法国巴黎盛大开幕。业界领先的半导体解决方案提供商—紫光同芯惊艳亮相,展示其在身份识别、电信、金融支付领域的科技成果。身份识别领域,紫光同芯展示了符合国际ICAO标准且具备全球最高安全等级的证件芯片解决方案(海员证、因公护照)。电信领域,标准SIM、SWP-SIM、基于SWP-SIM的数字车钥匙、eSIM可穿戴设备等产品及终端应用悉数亮相。支付领域,从金融IC卡、可视卡、指纹卡、数字人民币硬钱包等芯片应用产品,到适用于POS、网络身份认证、物联网SE、生物识别等领域的安全专用MCU芯片,紫光创新支付技术备受关注。

紫光展锐推出首颗卫星通信SoC芯片V8821,加速终端设备直连卫星

近日,针对卫星通信发展新趋势,紫光展锐推出首颗卫星通信SoC芯片V8821。目前,紫光展锐基于V8821已率先与中国电信、中国移动、中兴通讯、vivo、移远通信、是德科技、鹏鹄物宇、佰才邦等企业完成了5G非地面网络(Non-Terrestrial Network,NTN)数据传输、短消息、通话、位置共享等多种功能和性能测试。

紫光展锐5G芯片全球首发R17 NR广播端到端业务演示

在中国广电集团的统一指导下,紫光展锐联合中兴通讯等行业伙伴,全面实现了基于3GPP R17标准的5G NR广播,这意味着未来搭载紫光展锐5G芯片的手机将具备接收5G广播的能力,进一步助力5G NR广播产业链生态成熟和商用部署。此次紫光展锐参与了业界首次产业链全链条——包括中国广电集团、中兴通讯核心网及无线接入网、紫光展锐手机参考样机等联合构建的5G NR广播700MHz频段端到端业务网络。

紫光 两面出击

威海紫光不是已经和嗨逛全球合作开拓市场,为何又冒出一个全新的“共享APP”?2023年4月13日,威海紫光在河北省秦皇岛市举行了以“助农紫光,行走健康”为主题的千人招商活动,提出了“威海紫光26载,风华正茂,聚力前行”,并正式宣布开启紫光新零售模式。此后,威海紫光在河北邯郸、廊坊、山东邹平等地举行了数百人规模的会议,宣介新零售,在市场上显得瞩目。

紫光同芯亮相TRUSTECH,发布全球首个为智能POS定制的eSIM解决方案

TRUSTECH 2023在法国巴黎盛大开幕。业界领先的半导体解决方案提供商—紫光同芯惊艳亮相,展示其在身份识别、电信、金融支付领域的科技成果。身份识别领域,紫光同芯展示了符合国际ICAO标准且具备全球最高安全等级的证件芯片解决方案(海员证、因公护照)。电信领域,标准SIM、SWP-SIM、基于SWP-SIM的数字车钥匙、eSIM可穿戴设备等产品及终端应用悉数亮相。支付领域,从金融IC卡、可视卡、指纹卡、数字人民币硬钱包等芯片应用产品,到适用于POS、网络身份认证、物联网SE、生物识别等领域的安全专用MCU芯片,紫光创新支付技术备受关注。

紫光园:坚持便民利民为民 积极发展社区餐饮

紫光园老号成立于1912年(民国元年),经历了公私合营、承包经营和自主经营的发展历程,沿承至今已有百余年历史。公司于1984年5月正式注册成立,作为京城历史悠久、极具特色的餐饮企业,主营清真北京菜、京味小吃、清真早餐等多种业态。

内蒙古紫光30000吨/年YC-216及配套原料项目变更环境影响评价公告

7月18日,内蒙古紫光化工有限责任公司拟对《内蒙古紫光化工有限责任公司30000吨/年YC-216及配套原料项目变更》环境影响评价公众参与第一次公告,建设项目为内蒙古紫光化工有限责任公司30000吨/年YC-216及配套原料项目变更,建设地点位于阿拉善高新技术产业开发区内蒙古紫光化工有限责任公司厂区内。

紫光国微:第二代面向人工智能、机器视觉等领域的SoPC已启动研发

近日,紫光国微表示,其大规模FPGA已经顺利实现量产发货,中小规模FPGA产品型号谱系完整,在视频图像和工业控制市场领域的应用快速增长。同时,紫光国微表示,第一代可编程片上系统(System-on-a-Programmable-Chip,SoPC)系列产品研发进展顺利,产品内嵌丰富资源,拥有多个子系列产品分支,可应用于嵌入式终端、工控、图像视频、通信等领域。第二代面向人工智能、机器视觉等领域的SoPC,也已经启动研发。

紫光同芯常务副总裁邹重人用“芯”点亮数智安全生活

2001年,一个来自清华大学微电子研究所的团队,带着国家第二代居民身份证芯片研发任务在中关村成立了一家芯片公司,从此成为创业“大潮”中的一员。在此后20多年的发展历程中,这家公司先后承担了第二代居民身份证芯片、2008年北京奥运会电子门票芯片、大容量高安全双界面金融卡芯片等多个国家重大产业化芯片项目,在科研领域屡获佳绩。这家公司就是全球领先的安全芯片企业——紫光同芯。“我们正处在一个最好的时代,一个不断实现和超越梦想的时代。”紫光同芯常务副总裁邹重人在接受通信世界全媒体记者采访时讲道。

新型紫光放电管的研制

新型紫光放电管是由N2 气和Cs组成的一个放电器件。本文叙述了这种紫光放电管的制备、放电特性和辐射光谱特性并对N2

聚乙烯紫光膜在日光温室蔬菜生产中应用效果的研究

在日光温室生产上选用透光、保温、耐用、防尘防雾效果好的透明覆盖物,是实现节能、高效生产的重要途径。本文针对紫光膜的透光性、保温性等进行研究,旨在为聚乙烯紫光膜在蔬菜生产上推广应用提供理论依据。

MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED

利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。

紫光激发提高ZnO基半导体气敏传感器的敏感性能

以激光-感应复合加热法制备的纳米ZnO粉末为气敏基料，制作厚膜型的管状气敏元件，采用紫光（波长为370～395nm）激发，对无水乙醇进行了静态配气法的气敏性能测试。结果表明在紫光激发下，ZnO基半导体气敏传感器在较低的工作温度条件下对无水乙醇具有较好的气敏性能，而且随着紫光光强的增大，气敏性能提高。

量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响

采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片。对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片。

紫光激发对ZnO纳米线氨气气敏性能的影响

分析了ZnO基气体传感器在应用中存在灵敏度低、响应和恢复时间长的问题.以物理热蒸发法制备的ZnO纳米线为气敏基料,制作成旁热式气敏元件.采用紫光（波长为370～395 nm）激发,用静态配气法对浓度为100 mL/m^3的氨气进行了气敏性能的测试.ZnO纳米线气敏元件对氨气检测的灵敏度提高了353%,响应时间和恢复时间分别缩短了4 s和1 s.

紫光激发提高Ag修饰的ZnO纳米线的气敏特性(英文)

为了提高ZnO纳米线的酒敏特性,利用紫光激发经浸渍法获得Ag修饰的ZnO纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)对修饰后的ZnO纳米线进行了晶体结构和形貌的表征.结果表明其晶体结构中既有六方纤锌矿结构的ZnO,又有面心立方的Ag.三维网络结构的ZnO纳米线的表面被一层致密的具有高孔隙率的Ag颗粒覆盖,使得ZnO纳米线具有更高的比表面积.纯ZnO纳米线和Ag修饰的ZnO纳米线都用作气敏基料,根据它们在酒精蒸气中紫光照射和无紫光照射条件下电阻的变化来测定它们的气敏特性.结果显示紫光照射下经质量分数为6%AgNO3修饰的ZnO纳米线对酒精蒸气的最大灵敏度由75.8提高到175.77.此过程中光催化氧化-还原反应起到了重要作用.

锌膜退火氧化制备ZnO薄膜的单一紫光发射性能

通过锌膜在金属锌熔点以上的温度退火氧化的方法制备ZnO薄膜,研究了氧气压力对ZnO薄膜发光性能的影响。ZnO薄膜的室温光致发光谱是由发光中心在413nm^424nm处的单一紫光组成。随着氧气压力的增加,紫光的强度增加并且发光中心由424nm偏移到413nm。在低氧气压力下(50 Pa^500Pa),紫光的发射归因于电子从价带到锌间隙原子(Zni)之间的跃迁。在高氧气压力下(5000Pa^23000Pa),锌间隙原子(Zni)和锌空位(VZn)缺陷都和紫光发射有关。