合成电子衍射花样的计算机模拟及应用

开发了用于计算和绘制ｆｃｃ基体与孪晶及ｆｃｃ基体与密排六方。马氏体（ｈｃｐ）之间两相合成电子衍射花样的计算机程序．利用该程序模拟了ＭＰ１５９合金大量低指数基体取向合成电子衍射花样模拟结果表明，能准确区分李晶和ｈｃｐ相的可靠基体取向为（０１１），（５２１）和（４１１），其中以（０１１）取向为最佳根据可靠某作取向，利用透射电子显微镜研究ＴＭＰ１５９合金冷变形组织中的相组成结果表明，固溶状态下的ｆｃｃ单相组织在冷变形时形成的呈网络分布的片状组织为含有高密度堆垛层错的形变孪晶；除了一些分布在堆垛层错中的ｈＣＰ单元外。

高碳钢马氏体中孪晶亚结构的电子衍射花样特征

用电子衍射方法研究了高碳钢中的马氏体孪晶的结构 ,发现孪晶片厚度的最小值约为 0 7nm ,而非一般文献所认为的 5nm ;同一马氏体晶粒中具有相同孪生面的孪晶 ,尽管其具有相同的电子衍射谱 (EDP) 。

TiNi合金B2相选区电子衍射花样中的漫散射条纹

用高压透射电镜研究了Ti-54wt%Ni形状记忆合金B2相的选区电子衍射花样中的漫散射条纹。动态加热观察表明漫散射条纹与B2相的晶格的不稳定性有关。倾斜样品观察表明漫散射条纹来自穿过基本倒易阵点的倒易壁。对不同晶带轴的衍射花样中的漫散射条纹的分析表明,花样中的漫散射条纹通常有三个方向,条纹互相交叉形成网络,每根条纹都由几段组成。提出漫散射条纹是由穿过基本倒易阵点且位于{112}倒易平面上的尺度有限的倒易壁形成的。用波矢位于{112}倒易平面上的横向声学声子波对电子的散射,讨论了倒易壁的形成和分布以及花样中的漫散射条纹的长度。

单晶选区电子衍射花样标定用微机程序的编制

简评了单晶ＳＡＤＰ标定方法及现状。介绍了一种可分析七种晶系１４种布喇菲点阵微机程序的编制原理、所用的公式和数据、程序框图以及程序的特点和使用情况。

Carine软件在电子衍射花样标定中的应用及拓展

在研究了Carine软件应用的同时,对软件进行了分析与评价,并在Carine软件对单晶电子衍射花样进行标定的基础上,提出了一种新的对复杂电子衍射花样标定的方法。对此方法进行了验证,发现和传统的手工法相比:简单,方便,也易操作。

Carine法孪晶电子衍射花样的标定

论述了孪晶电子衍射斑点的形成原理,并对孪晶电子衍射花样的标定方法进行了分析,总结出各种标定方法的优点和不足,并采用了Carine法对孪晶衍射花样进行了标定。

复杂电子衍射花样标定的简单方法——Carine法

复杂电子衍射花样在确定晶体的结构中得到了厂泛的应用,但对其标定过程较复杂。本文提出了一种简便方法,即借助干Carine软件在单晶衍射花样标定的基础上对复杂电子衍射花样进行了标定,简便易操作。

变体电子衍射花样的普适研究方法(英文)

在固态相变中，当析出相的晶系与基体不同时将产生多种变体，由此导致变体电子衍射花样和相结构分析的困难。本文发展了一种变体电子衍射花样的普适研究方法，预测了Ｉｎｃｏｎｅｌ７１８合金中γ″相变体电子衍射花样的特征，并与Ｑｕｉｓｔ等人的工作进行了比较。

ZnO衍射花样180°不唯一性的消除

晶体电子衍射花样涉及到界面、位错等缺陷的晶体学性质测定时,需要设法消除180°不唯一性这一问题.应用Tecnai G^2 F20场发射透射电镜精密的倾斜样品台使晶体做有系统的倾转,观察衍射花样的变化并加以分析,从而消除了ZnO粉末单晶花样的180°不唯一性.

变体电子衍射花样的研究方法

在固态相变中,析出相通常与基体具有一定的晶体学取向关系.当析出相所属的晶系与基体不同时,将产生在同一取向关系下的不同变体.多种变体的出现必然导致复合电子衍射花样和相结构分析的困难.本文发展一种研究上述变体电子衍射的通用方法,并以Inconel718合金中的γ″相为例,详细说明了步骤.

多晶体电子衍射花样的标定

论述了多晶电子衍射斑点的形成原理,并对多晶电子衍射花样的标定方法进行了分析,总结出各种标定方法的优点和不足?并采用CAD法对多晶衍射花样进行了测量,计算与标定。

TEMlab1.0:基于Matlab的透射电镜衍射花样分析软件包

本文主要介绍了在Matlab环境下编写的用于透射电镜电子衍射花样分析的软件包。此软件包主要包括建立已知物相的结构数据库、已知物相花样的标定和模拟、未知物相布拉菲点阵的推导、孪晶花样的标定、取向关系分析、菊池线分析和找特征平行四边形等功能。满足了电子衍射花样分析时的多方面需求。

平面波倾斜入射时的夫琅和费衍射花样

在非近轴条件下 ,夫琅和费衍射花样的观察面是球面 ,平面上观察到的衍射花样是球面上衍射花样在平面上的投影 ,讨论了平面波倾斜入射在一维朗奇光栅上产生的衍射花样偏离直线的原因 ,实验结果和理论分析一致 .

Kossel-Möllenstedt衍射花样特征及薄晶体厚度测定

本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n_(1)取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n_(1)的确定方法,总结了Kossel-Möllenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si晶体(400)晶面K-M衍射花样的暗条纹位置预测图。结论如下:当n_(1)<真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为正;当n_(1)=真值时,拟合直线斜率为负;当n_(1)>真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为负,数据点较多时,远离衍射盘中心的数据会落在拟合直线的上方;如果n_(1)的取值偏大,会导致消光距离的分析结果偏小,同时试样厚度的分析结果偏大;加速电压的差异会影响K-M花样的衬度;K-M花样暗条纹之间的距离随着距离衍射盘中心距离的增大而逐渐减小;第一暗条纹距衍射盘中心的距离Δθ_(1)和第一暗条纹对应的n_(1)值均与消光距离ξ和试样厚度t有关。

任意个矩形孔所产生的夫琅和费衍射花样

本文从基尔霍夫衍射公式出发,根据菲涅耳以及夫琅和费近似条件,导出了夫琅和费衍射公式。然后按照“系统变换”的观点又将其转换为傅里叶变换的形式,由此而求出了任意个矩形孔所产生的夫琅和费衍射花样。

附录2 电子衍射花样实例

遵照伟大领袖毛主席“洋为中用”与“对外国的科学、技术和文化,不加分析地一概排斥,和前面所说的对外国东西不加分析地一概照搬,都不是马克思主义的态度,都对我们的事业不利”的教导,我们翻译了K.W.Andqews等著“电子衍射花样的解释”(新版本)这本书。本书论述了电子衍射几何学的基本问题,汇集了冶金方面常见晶系和物相的数据、图表,对工厂实验室的透射电镜工作者有一定参考价值。本书由我组集体翻译,由我所情报室同志参加校对。由于我们学习马列、毛主席著作不够,政治思想与业务水平低,书中谬误之处一定不少,恳切希望读者批评指正。承北京钢铁研究院六室大力支援本书的照相胶卷,在此表示深切的感谢。

衍射花样及其近似描述

导出了描述夫琅和费衍射的正确公式，讨论了菲涅耳衍射和夫琅和费衍射的物理意义、两者间的逻辑关系，以及倾斜因子ｋ（θ）对衍射花样的影响。指出一些傅里叶光学文献中的“菲涅耳衍射公式”和“夫琅和费衍射公式”均只能在观察距离ｚ不太小也不太大的近轴范围内近似成立，ｚ越大成立的角范围越小，当ｚ趋向于∞时，成立的角范围趋向于零。