Cr对Ni_3Al合金化效应的赝势平面波方法

基于第一性原理赝势平面波方法研究了Cr加入Ni-Al合金后对Ni3Al几何和电子结构的影响,计算了不同强化相的晶胞总能量、形成热、结合能、费米能级下的成键电子数以及态密度、电荷密度,从不同角度出发,研究了不同强化相的稳定性。计算结果表明Ni-Al合金中添加Cr,Cr优先置换Al位且析出的新强化相较原强化相Ni3Al更为稳定,原因在于含Cr的新强化相在低能级处强烈成键,提高了其稳定性,其中Ni6Cr2最为稳定,但只在590℃下稳定存在,Ni5AlCr2、Ni6AlCr、Ni4Al2Cr2、Ni5Al2Cr稳定性依次降低。

电负性、原子赝势半径与稀土永磁材料

对于稀土永磁材料,定义了稀土元素与其他元素之间的加权平均电负性差P和加权平均原子赝势半径差Q;计算了1∶5型RE Co永磁材料、2∶17型RE Co永磁材料、Nd Fe B系列以及双相纳米晶复合材料等具有较好磁性能的稀土永磁材料的P和Q值点;计算结果表明,这些P和Q值点基本上分布在一段特定的区域内。

相对论赝势的从头计算法研究铀酰离子电子结构

用相对论赝势的从头算法研究了铀酰离子的几何构型和电子结构．得到了与实验数据较 一致的键长、健角和ＩＲ振动频率．铀氧间以 Ｕ５ｆ与 Ｏ２ｐ相互作用为主，Ｕ６ｄ与 Ｏ２ｐ间的健合较小； 同时， Ｕ６ｐ Ｕ７ｓ、 Ｕ６ｄ和 Ｕｓｄ杂化轨道与 Ｏ２ｓ间也有强的相互作用．不同自旋多重度时对铀酰离子总 能量计算结果表明，ＵＯ_２^(２＋)的基态为~1∑_g^+的可能性更大。

Cu合金化Mg_2Ni氢化物能量与电子结构的赝势平面波计算

采用基于密度泛函理论的第一原理赝势平面波方法,计算了Cu合金化前后Mg2Ni相及其氢化物的能量与电子结构。负合金形成热的计算结果表明:Cu合金化Mg2Ni形成Mg2Ni(Ⅱ)''1-xCux(x=1/3)的相结构稳定性最高,两个Cu原子最易占据Ni(Ⅱ)的(0,0.5,0.16667)与(0.5,0,0.5)位置;进一步对其氢化物的解氢反应热进行计算,发现Cu合金化后,氢化物体系解氢反应热与合金化前相比,明显降低,表明Cu合金化Mg2Ni氢化物的解氢能力增强;电子态密度(DOS)与电子密度的计算结果发现:Mg2Ni(Ⅱ)''1-xCux(x=1/3)相结构最稳定的主要原因在于:Cu合金化后氢化物在费米能级处的成键电子数N(EF)与其它结构相比最少;而Cu合金化Mg2Ni氢化物解氢能力增强的主要原因在于:Cu合金化削弱了氢化物中Mg-Ni和Ni-H间的成键作用以及相应原子在低能级区成键电子数的减少。

由N-E-V分布及赝势法研究有弱相互作用的费米子气体

采用赝势法及完全开放系统的统计分布(N-E-V分布)求出了有弱相互作用的费米气体的热力学函数,计算结果对用赝势法及正则分布的计算的结果给出了一些修正;并由N-E-V分布计算了广延量的相对涨落,得出广延量的相对涨落正比于1,而不是其他分布的1/槡N.

赝势平面波计算铀及铀化合物结构研究

构建了铀的“Vanderbilt”型USPP,能够以相对较小的计算量完成铀金属结构全优化.计算验证表明,超软赝势平面波方法对于金属铀的计算结果与全电子计算结果接近,能正确反映对铀的低温下低对称结构特点.对简单的NaCl以及CaF2结构的铀氧化物、碳化物以及氮化物晶体参数的计算结果与实验值相差不到3%.对非整数计量比UO2+x(0<x<0.25)计算的体积变化趋势与实验一致.采用所构建的赝势可以对U2C3、U2N3等复杂大晶胞结构化合物进行全优化,晶格常数相差小于3%,原子坐标相差小于5%.

M_2As^-和M_2Br^+(M=Cu,Ag,Au)的赝势从头算研究

使用赝势在HF和MP2水平上计算了M2 As-和M2 Br+(M =Cu ,Ag ,Au)的平均几何和振动频率。计算的结果表明 ,这些化合物呈弯曲结构 (C2v)。在MP2水平上研究了电子相关对这些化合物的几何结构的修正 ,键角减少 10°到 2 0°。在MP2 ,MP3,MP4,CCSD ,和CCSD (T)水平上还较详细地研究了电子相关对Au2 As-的几何结构的修正。通过对这些化合物稳定性的研究 ,预言了Au2 As-的成键可能性。

基于密度泛函理论的第一性原理赝势法

第一性原理计算方法有着半经验方法不可比拟的优势,基于密度泛函理论第一性原理赝势法已经成为现代材料计算和设计的重要基础和核心技术。本文对基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法进行了扼要分析。

Mg空位缺陷对MgH_2解氢性能影响的赝势平面波法研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,考察了Mg空位缺陷对MgH2体系解氢性能的影响及微观机理。结果表明:Mg空位缺陷的出现使MgH2晶胞发生收缩,晶格产生畸变,且极大地降低了体系的结构稳定性,显著提高了体系的解氢动力学;电子结构分析表明:Mg空位缺陷改善MgH2体系解氢性能的微观机理在于体系在费米能级以下成键电子数的减少以及费米能级附近能隙的变窄。

（CdS）_n分子簇电子结构性质的赝势从头算研究

本文运用赝势从头计算法对（ＣｄＳ）ｎ分子簇电子结构进行了精确的量子化学计算研究，计算结果表明：随着ＣｄＳ个数的增加，ＣｄＳ单元之间的相互作用增强，ＣｄＳ之间共价键成份减少，离子键成份增加。

BX_(3)NH_(3)(X=H、F、Cl、Br、I)的相对论赝势ab initio研究Ⅱ.

本文应用相对论赝势ab.initio优化了BX_3NH_3(X=H、F、Cl、Br、I)系列配合物的分子构型.分析了该系列配合物的电子结构及成键性质.结果表明在N原子和B原子之间发生了电荷转移,形成了主要定域在N原子上的σ配键,配键强度依次增强.与此顺序相反,配合物的稳定性顺序为BF_3NH_3>BCl_3NH_3>BBr_3NH_3≈BI_3NH_3.

BX_4^-(X=H,F,Cl,Br,I)的相对论赝势从头算研究(Ⅲ)

本文应用相对论赝势ab initio的方法,系统地研究了三卤化硼与卤素负离子反应生成的四卤化硼负离子的几何结构,并预测了BX_4^-(X=cl,Br,I)的键长。计算了该系列的稳定化能,得出稳定性顺序为BH_4^->>BF_4^->>BCl_4^->BBr_4^->BI_4^-。分析其电子结构得出,该系列分子的成键主要通过硼和卤素的σ轨道作用。

卤代甲烷的赝势从头算研究 Ⅱ.二卤代甲烷的化学键和电离势

本文应用相对论赝势ab initio方法对CH_2X_2(X=F,Cl,Br,Ⅰ)系列分子电子结构的变化规律进行了系统地研究,并根据Koopmans定理重新指定了光电子能谱.

卤代甲烷的赝势从头算研究——1.CH_3X(X=F,Cl,Br,I)的化学键和电离势

我们使用相对论赝势从头计算方法系统地研究了CH_3X(X=F,Cl,Br,I)系列分子的电子结构及其变化规律,并根据Koopmans定理指定了光电子能谱。

ⅤA族元素甲基化合物的赝势从头算研究

使用相对论赝势从头算方法研究了XMe_3(X=N,P,As,Sb,Bi)系列分子的Koopmans电离能,孤对电子轨道特征及电子结构,并将某些分子轨道能与相应X的原子轨道能进行了线性关联.

高T_c超导体中的低维库仑关联与负值库仑赝势

电子—电子的强关联有可能导致负值库仑赝势,提出了准低维电子气的一种处理方案,用等离激元机制计算了不同维度下的库仑赝势。

ⅣA族甲基化合物的赝势从头算研究

本文用相对论等效势从头算(PS-HONDO)方法计算了ⅣA族甲基化合物Me_4M(M=C,Si,Ge,Sn,Pb)的Koopmans电离能,并研究了它们的电子结构。计算电离能与实验值基本相符。并根据其电子结构讨论和解释了Me_4M的光电子能谱特征。

赝势对金刚石声子结构影响的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了赝势对金刚石晶体声子谱的影响。研究结果表明:采用不同的赝势,晶格常数、声子谱频率均有差别,且频率越高,差别越大。表明计算材料的与声子谱相关的硬度以及热导等性质时,要选择合适的赝势。

短周期超晶格能带的赝势法计算

目的研究短周期（ＧａＡｓ）ｎ（ＡｌＡｓ）ｎ超晶格能带，通过能带了解超晶格红外光吸收性质．方法用赝势法计算超晶格能带，比较不同（ＧａＡｓ）ｎ（ＡｌＡｓ）ｎ超晶格能隙随ｎ变化的关系．结果计算表明ｎ≤５时（ＧａＡｓ）ｍ（ＡｌＡｓ）ｎ为间接能隙半导体以及能带间存在大量微带和带间交叉．结论超晶格可以用来作红外波吸收材料；相同的赝势形状因子在不同能带计算方法下给出的结果有较大差异．

超软赝势方法对V/TiO_2薄膜电子态密度的计算

根据密度泛函理论和"总体能量—平面波"超软赝势方法计算了V3+和V4+掺杂金红石矿相纳米TiO2的能带结构和电子态密度,分析了V3+和V4+掺杂对W/TiO2晶体电子结构和光学吸收带边的影响.还对V3+和V4+掺杂的TiO2电子态密度进行了比较分析.