铜丝结扎法治疗下颌第二恒磨牙异位萌出1例

第二恒磨牙异位萌出若未得到及时治疗,会导致相邻的第一磨牙牙体组织吸收、牙齿早失、咀嚼效率下降及其他严重的错𬌗畸形。及时发现和处理第二恒磨牙异位萌出,对预防青少年错𬌗畸形、建立正常咬合关系具有重要的意义。然而,目前针对下颌第二恒磨牙异位萌出的病例报告比较少见,大多治疗方法主要为手术及正畸的方式,且缺乏长期的随访。本文报道1例采用铜丝结扎法治疗下颌第二恒磨牙异位萌出,使恒牙顺利萌出并建立正常咬合。术后观察5年,咬合稳定,牙根发育、牙髓活力及牙周状况正常。本文为近中倾斜度不大且已经部分萌出的阻生年轻下颌第二恒磨牙提供一种治疗周期短、简便及微创的临床思路。

铜丝“灭”火

大家都知道水、沙土、二氧化碳可以灭火,那么你听说过铜丝灭火吗?今天我们就用铜丝制作一个“迷你灭火器”吧。实验材料蜡烛、点火器(打火机)、铜丝,如图1。1.将点燃的蜡烛立在桌面上。2.用铜丝绕成一个内径比蜡烛直径稍小的线圈,线圈较密但留有一定的空隙。将铜丝圈罩在蜡烛火焰周围,注意不要碰到烛芯。等待一段时间,便可看到火焰慢慢变小,然后“熄灭”了,如图2。

铝焊盘镀钯铜丝多焊球脱焊失效的电化学评价

研究铝焊盘的镀钯铜丝(PCC)焊点的多焊球脱焊(MLB)失效过程,对提高产品的可靠性至关重要。利用电化学方法测定了在不同氯离子浓度、pH值和铜暴露面积等条件下电极的腐蚀电流,以表征铝及其金属间化合物(IMC)的腐蚀速率。结果表明,氯离子可以改变阳极极化率,从而影响腐蚀电流;pH值的变化可以改变阴极极化率,从而影响腐蚀电流。钯作为铜丝的保护层,在镀层分布不均或参数选择不当的条件下,与暴露的铜表面形成腐蚀电偶,导致铝及其IMC成为牺牲阳极并被腐蚀。

键合铜丝的研究及应用现状

目前,键合铜丝因其价格低廉、具有优良的材料性能等特点正逐渐替代键合金丝广泛应用于电子封装领域。本文对当前市场上应用的金丝、铜丝、银丝及铝丝性能特点进行了分析对比,探讨了以键合铜丝替代传统键合丝材料的优势;简要介绍了铜丝材制备和键合过程的研究进展,并对键合铜丝的封装失效形式进行了简要分析;综述了微合金化对键合铜丝服役性能的影响规律及机理;最后从市场需求及理论研究方面分析了键合铜丝市场的发展趋势。

塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素,其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对NiPdAgAu预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象,研究其评价方法,并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中,对其进行高温、高湿预处理24 h,再进行96 h的高加速应力试验。结果表明,采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效,且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚,少数位于高电位引脚。

介质对铜丝电爆炸沉积能量的影响

铜丝在电爆炸过程中要经历固态、液态、气态和等离子体4种状态,而铜丝在电爆炸过程中吸收的能量全部来自于电流的焦耳热效应,爆炸时周围介质对爆炸过程有着显著的影响。为此对μs脉冲电压下空气和水介质中铜丝电爆炸进行了实验研究,利用自积分Rogowski线圈和电阻分压器分别测量铜丝电爆炸时的电流和电压。利用数学方法分别计算了铜丝熔融过程,液态以及汽化过程中沉积的能量。通过实验和计算,分析了空气和水介质对铜丝电爆炸的发展和各个过程中沉积能量的影响,得出介质密度是影响铜丝电爆炸过程沉积能量的重要因素。铜丝在水介质与空气介质中的电爆炸过程有着显著区别,水中铜丝电爆炸各过程的沉积能量较高,尤其在汽化开始之后更加显著。

铜丝水中电爆炸能量沉积特性

对μs脉冲电压作用下铜丝水中电爆炸的能量沉积过程进行了实验研究,利用自积分Rogowski线圈和电阻分压器分别测量铜丝电爆炸时的电流和电压。利用测量电压波形确定了熔融起始、熔融结束、汽化起始和击穿时刻点,将铜丝电爆炸划分成熔融、液态和汽化3个阶段。通过数学方法计算了3个阶段和击穿前的沉积总能量。通过实验和计算,分析了电路参数,包括放电电压和回路电感,以及铜丝特性,包括铜丝长度和直径,对铜丝电爆炸过程中3个阶段和击穿前沉积总能量的影响。结果表明:在μs脉冲电压作用下,放电电压、回路电感、铜丝长度和直径对熔融阶段能量沉积影响较小,但对液态和汽化阶段能量沉积影响较大,通过调节电路参数提高电流上升速率,可以显著提高汽化和击穿前的沉积能量。

铜丝热电极的制作、表征及其应用

以微铜丝作为电极材料运用于热丝电极的制作,利用铜丝受热时的电阻变化对其加热时的温度进行了表征.并将铜丝热电极作为葡萄糖非酶传感器运用于葡萄糖的直接氧化检测.用微分脉冲伏安法检测得到了线性的葡萄糖浓度的工作曲线.研究发现葡萄糖在铜丝热电极加热至90℃时,葡萄糖的检出峰面积相对于20℃的条件下会增加50多倍;且最低检测限能达到0.5μmol/L,相对于20℃条件下的10μmol/L,检测下限有了很大的降低.即使加热至90℃的高温时,铜丝热电极对葡萄糖依然保持很好的检测,从而解决了酶传感器在40℃以上的酶失活问题.

水中铜丝电爆炸放电通道模型及仿真

为研究水中金属丝电爆炸放电过程,基于比作用量模型和无量纲相似参数模型,提出了能够准确描述水中金属丝电爆炸的物理模型。该模型考虑了金属丝汽化时对外做功和辐射、热传等能量损耗,对比作用量模型进行了改进;并在此基础上,考虑了金属蒸汽击穿前的加热过程与击穿后的等离子体放电过程。结果表明:欠阻尼振荡条件下,计算得到的放电电流和电压的峰值与实验数据的相对误差分别为5.4%和3.1%;临界阻尼时,该误差分别为11.3%和8.7%;因此该模型计算结果与实验数据相符,优于无量纲相似参数模型。

细径铜丝超声键合焊点高温存储可靠性分析

对塑封后的20μm细径铜丝超声键合焊点进行了高温存储可靠性研究.采用SEM观察了老化后键合焊点界面微观组织及金属间化合物,采用EDS对反应物的成分进行了分析.结果表明,200℃老化9天或250℃老化9 h,键合焊点界面生成了大量Cu-Al金属间化合物,并出现可见的微裂纹和Kirkendall孔洞;250℃老化16 h后,环氧塑封料中微量的Sb元素与铜球焊点发生反应,生成以Cu3Sb为主的反应物;当老化时间超过49 h,铜丝破碎,铜键合焊点产生严重腐蚀.250℃老化超过24 h或300℃老化超过4 h会发生银迁移现象.

含铜宫内节育器铜丝和+铜套在模拟宫腔液中的腐蚀

背景:含铜宫内节育器有较好的避孕效果是铜在宫腔内腐蚀而释放出铜离子的结果,因而铜的腐蚀行为直接关系到含铜宫内节育器能否安全、有效、长期使用。目的:观察宫内节育器铜管与铜丝在模拟宫腔液中浸泡后的腐蚀形貌。设计、时间及地点:体外观察实验,于2008-10/12在中国药品生物制品检定所与北京科技大学电镜室完成。材料:实验使用天津医疗器械厂生产的健美牌宫内节育器,型号为TCu380A和TCu220C。方法:分别将相同表面积的含铜宫内节育器铜丝及铜套浸在模拟宫腔液中,定期换液。取未浸泡前,浸泡10,30,60d的样品,用扫描电镜观察表面形貌。主要观察指标:样品表面形貌。结果:未浸泡铜丝上有拉痕,腐蚀反应的产物沉积在铜丝表面,从而TCu380A开始浸泡阶段暴释效应明显;而铜套的腐蚀过程出现许多蚀坑,蚀坑刚出现时,增大铜表面积,随后腐蚀反应的产物沉积在表面,从而TCu220C的铜离子的释放速率开始时增加,后期下降。结论:含铜宫内节育器的铜套与铜丝浸泡在模拟宫腔液中的初期,腐蚀形貌存在明显差异。铜丝表面为均一的、密集的小的蚀坑,而铜套表面为分布不规则的大的蚀坑。

粗TiCl4铜丝塔除钒废水沉淀泥浆综合回收工艺

介绍了一种粗TiCl4铜丝塔除钒废水沉淀泥浆综合回收新工艺。该工艺由沉淀泥浆自氧化、碱洗脱氯、脱氯渣一次酸浸生产硫酸铜、一次酸浸渣苏打焙烧提钒和提钒渣二次酸浸5个主要工序组成。实验结果表明，粗TiCl4铜丝塔除钒废水沉淀泥浆在空气中能自氧化。沉淀泥浆在空气中堆放1个月，接近90％的金属铜变成CuCl2·2H2O，Cu2Cl（OH）3和Cu2（OH）3Cl：这些铜的氯氧化合物在碱性溶液中容易转化成Cu（OH）2；在控制液固比4：1，pH值为11，温度为80℃的条件下搅拌1h，转化率达96％。当酸浸液的pH值为2．0-2．5时，Fe、V、Ti等杂质留在渣中，浸出液蒸发浓缩至密度为1．38g／cm^3，冷却结晶得到的硫酸铜产品符合国标GB437—93的质量要求。酸浸渣按化学计量的2．5倍加苏打后在700℃焙烧3h，焙烧后按液固比3：1加水在70℃搅拌1h浸钒，水浸液按化学计量的3倍加氯化铵沉淀偏钒酸铵，偏钒酸铵在550℃热解2h得到纯度为98．61％的V2O5。提钒渣再经二次酸浸。整个工艺过程铜和钒的总回收率分别达到98．63％和95．65％。

绝缘铜丝微型电阻焊过程中的动态电阻分析

为研究绝缘铜丝微型电阻焊过程中的动态电阻变化规律,构建了动态电阻测试系统,该测试系统由PC机、数据采集卡、数字触发电路和电流传感器等部分组成.通过动态电阻测量、贴合面组织状态观察和能谱分析得出了动态电阻的变化规律.结果表明,绝缘铜丝微型电阻焊的动态电阻是一条单调下降的曲线,动态电阻依次表现为膜电阻消失、收缩电阻减小和体积电阻增加,最终动态电阻达到平衡状态,呈现近似水平的变化规律.由于贴合面无金属液相和熔核生成,收缩电阻不会消失.发生飞溅现象时,动态电阻曲线会出现一个陡变的波峰,这一特性可作为焊接质量监控的依据和手段.

铜丝引线键合技术的发展

铜丝引线键合有望取代金丝引线键合,在集成电路封装中获得大规模应用。论文从键合工艺、接头强度评估、键合机理以及最新的研究手段等方面简述了近年来铜丝引线键合技术的发展情况,讨论了现有研究的成果和不足,指出了未来铜丝引线键合技术的研究发展方向,对铜丝在集成电路封装中的大规模应用以及半导体集成电路工业在国内高水平和快速发展具有重要的意义。

粗TiCl4铜丝塔除钒废水的净化新工艺

采用铜钒化合物共沉淀技术处理铜丝塔除钒废水，回收其中的铜和钒，并考察废水中Cu和V沉淀效果的各种影响因素。结果表明：常温搅拌加NaOH将铜丝塔除钒废水的pH值调至3．0-4．0后，加入H202可将其中的V^4＋氧化成V^5＋，再补加Cu^2＋使Cu与V的摩尔比增大到7．5-8．5，然后再加碱中和pH值至7．5-8．5，继续搅拌20min后过滤；滤液中Cu和v的浓度均小于2．0mg／L，达到国家污水综合排放标准；滤渣中含Cu45％-60％、V11％～15％，具有很高的综合回收价值。

芯片封装中铜丝键合技术的研究进展

铜线具有优良的机械、电、热性能,用其代替金线可以缩小焊接间距、提高芯片频率和可靠性。介绍了引线键合工艺的概念、基本形式和工艺参数;针对铜丝易氧化的特性指出,焊接时必须采用特殊的防氧化工艺,以改善其焊接性能;最后对铜丝键合可靠性及主要失效模式进行了分析。

铜丝球焊技术研究进展

在微电子器件封装第一级互连技术中,丝球焊技术占据着重要地位.随着封装技术的不断发展以及铜芯片技术的逐步应用,铜丝球焊技术开始部分替代金丝球焊应用在一些分立器件、大功率器件等电子元器件的封装中,并在精密封装领域得到推广和应用.本文主要对近年来铜丝球焊技术的相关研究进行了综述,介绍了铜丝球焊技术的发展现状.

铜丝电爆炸的光谱分析

通过搭建脉冲成形网络放电模块和光谱测试系统，利用Andor SR750光谱仪测量了铜丝电爆炸等离子体在400-500nm范围内的发射光谱。根据热力学平衡理论，采用双谱线相对强度法计算了等离子体的激发温度，并研究了激发温度随时间变化的特性。研究结果表明，铜丝电爆炸产生的稳态等离子体的激发温度约为5400K。在脉冲放电前期，激发温度变化较大；在放电后期，激发温度较稳定；整个脉冲时间内激发温度差约达800K。