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ACT器件原理及应用
1
作者
陈民锋
《电子机械工程》
2002年第2期4-8,共5页
ACT器件的发明 ,产生了一种新型、高速的信号处理器 ,它可以直接用于RF领域 ,是一种完全可编程的模拟信号处理器 ,不需要A/D和D/A变换器。其处理信号速度非常高 ,每秒钟可完成 4 5亿次以上的相乘和累加操作运算。用它构成自适应滤波器...
ACT器件的发明 ,产生了一种新型、高速的信号处理器 ,它可以直接用于RF领域 ,是一种完全可编程的模拟信号处理器 ,不需要A/D和D/A变换器。其处理信号速度非常高 ,每秒钟可完成 4 5亿次以上的相乘和累加操作运算。用它构成自适应滤波器和均衡器 ,已经应用于商业和军事系统中。对ACT器件作了简单的介绍 。
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关键词
act器件
原理
应用
声表面波
声电荷转移
信号处理器
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职称材料
声电输运器件的沟道特性研究
被引量:
4
2
作者
邹英寅
凌明芳
陈抗生
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期42-48,共7页
为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对...
为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响.
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关键词
声电输运
器件
act器件
沟道特性
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职称材料
单片砷化镓声电输运器件
3
作者
邹英寅
凌明芳
陈抗生
《真空电子技术》
北大核心
1990年第2期33-36,共4页
砷化镓声电输运器件(Acoustic Charge Transport Device,简称ACT器件)是一种新型的高速信号处理器件,其工作原理是基于电荷耦合器件和声表面波器件原理的结合,并克服了它们的缺点。本文介绍了ACT器件的基本结构、工作原理和特点。
关键词
信号处理
砷化镓
声电输运
act器件
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职称材料
题名
ACT器件原理及应用
1
作者
陈民锋
机构
航天机电集团公司二院二十三所
出处
《电子机械工程》
2002年第2期4-8,共5页
文摘
ACT器件的发明 ,产生了一种新型、高速的信号处理器 ,它可以直接用于RF领域 ,是一种完全可编程的模拟信号处理器 ,不需要A/D和D/A变换器。其处理信号速度非常高 ,每秒钟可完成 4 5亿次以上的相乘和累加操作运算。用它构成自适应滤波器和均衡器 ,已经应用于商业和军事系统中。对ACT器件作了简单的介绍 。
关键词
act器件
原理
应用
声表面波
声电荷转移
信号处理器
Keywords
Surface acoustic wave(SAW)
SAW devices
Acoustic charge transport(
act
)
act
devices
分类号
TN911.7 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
声电输运器件的沟道特性研究
被引量:
4
2
作者
邹英寅
凌明芳
陈抗生
机构
浙江大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期42-48,共7页
基金
国家目然科学基金
机电部预研基金
文摘
为实现砷化镓声电输运,必须在外延层中建立电子输运沟道.本文对金属-n型外延层-半绝缘衬底结构的输运沟道给出耗尽分析的解析表达式,分析了外延层厚度、掺杂浓度、偏置电压等参数对输运沟道耗尽特性的影响,以及器件表面存在氧化层时对器件工作特性的影响.
关键词
声电输运
器件
act器件
沟道特性
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
单片砷化镓声电输运器件
3
作者
邹英寅
凌明芳
陈抗生
机构
浙江大学
出处
《真空电子技术》
北大核心
1990年第2期33-36,共4页
文摘
砷化镓声电输运器件(Acoustic Charge Transport Device,简称ACT器件)是一种新型的高速信号处理器件,其工作原理是基于电荷耦合器件和声表面波器件原理的结合,并克服了它们的缺点。本文介绍了ACT器件的基本结构、工作原理和特点。
关键词
信号处理
砷化镓
声电输运
act器件
分类号
TN911.7 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ACT器件原理及应用
陈民锋
《电子机械工程》
2002
0
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职称材料
2
声电输运器件的沟道特性研究
邹英寅
凌明芳
陈抗生
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
4
下载PDF
职称材料
3
单片砷化镓声电输运器件
邹英寅
凌明芳
陈抗生
《真空电子技术》
北大核心
1990
0
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职称材料
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