基于数值模拟的多圈QFN封装热疲劳可靠性试验设计方法

提出一种基于数值模拟的试验设计方法,研究材料属性和几何结构对多圈四边扁平无引脚(Quad flat no-lead,QFN)封装热疲劳寿命的影响,并进行最优因子的组合设计,以提升热疲劳可靠性。采用Anand黏塑性本构模型描述无铅钎料Sn3.0Ag0.5Cu的力学行为,建立三维有限元模型分析焊点在温度循环过程中的应力应变,采用Coffin-Manson寿命预测模型计算多圈QFN封装的热疲劳寿命。采用Taguchi试验设计(Design of experiment,DOE)方法建立L27(38)正交试验表进行最优因子的组合设计。采用有限元分析方法对最优因子组合设计结果进行验证。结果表明,印制电路板(Printed circuit board,PCB)的热膨胀系数、焊点的高度和塑封料的热膨胀系数对热疲劳寿命的影响最为显著;初始设计情况下多圈QFN封装的热疲劳寿命为767次;最优因子组合设计情况下的热疲劳寿命提高到4 165次,为初始设计情况下的5.43倍。

热像仪对QFN封装表面发射率环境透射率的标定

使用红外热像仪对未切割分离的QFN封装在40~200℃进行了塑封料面、铜面和"缝"表面发射率的标定,并分别利用上述三面对实验环境的空气透射率进行了标定。结果表明:直接计算法和直接调节法可以很好地应用于塑封料发射率标定,直接计算法可以应用在"缝"处、铜面发射率标定。塑封料发射率标定结果在0.97左右;"缝"处发射率标定值随着温度升高由0.17~0.35呈线性递增趋势变化;铜面发射率标定值随温度升高出现先稳定后增大趋势。塑封料面、铜及"缝"处对空气透射率标定值在100%左右,上下波动不超过2%。该实验结果可为红外热像仪测定QFN的使用温度及切割分离时的温度提供相应参数。

QFN封装元件组装及质量控制工艺

QFN封装由于具有良好的电和热性能、体积小、质量轻,在电子产品中被越来越广泛的推广和应用,针对QFN封装元件PCB焊盘设计、焊膏印刷网板开孔设计、贴装工艺、焊接工艺及返修工艺进行了阐述。

QFN封装元件组装工艺技术的研究

QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引线封装)是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。本文介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。

QFN封装元件组装工艺技术的研究

介绍了方形扁平无引脚封装(QuadFaltNo-leadPackage,QFN)的特点、分类、工艺要点和返修。

QFN封装元件组装工艺技术研究

QFN(Quad Flat No-lead Package,方形扁平无引脚封装)是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央有暴露的焊盘,该焊盘将被焊接到PCB的散热焊盘上,这使得QFN具有极佳的电热性能。因为QFN封装尺寸较小,所以有许多专门的焊接注意事项,这里中介绍了QFN的特点、分类。

多目标优化方法在叠层QFN封装结构优化中的应用

文章采用响应曲面法试验设计与有限元仿真相结合的方法对叠层QFN封装器件在热循环条件下进行仿真分析,通过优化结构参数来降低叠层QFN封装在热循环条件下的Von Mises应力和封装翘曲。使用多目标优化设计方法中的统一目标法来综合考虑Von Mises应力和封装翘曲。应用遗传算法对评价函数在约束条件下进行搜索最优解,得出叠层QFN封装结构优化的方案,以提高封装的可靠性。

QFN封装元件的板级组装和可靠性研究

近两年来，QFN封装(Quad flat No—lead方形扁平无引脚封装)由于其良好的电和热性能，得到了快速的推广和应用。采用微型引线框架的QFN封装称为MLF封装(Micro Lead Frame——微引线框架)。全球最大微电子制造商之一的Amkor公司，已经销售MLF封装的IC超过1亿只。因此人们迫切希望了解有关QFN的焊盘设计、装配工艺以及板级可靠性设计和工艺等方面的技术问题。由于QFN封装没有焊球，元件与PCB的电气连接是通过印刷焊膏到PCB上，然后贴片和进行回流焊完成的。为了形成可靠的焊点，需要特别注意焊盘的设计，同样．由于这种元件底部有大面积焊盘，其表面贴装工艺很复杂，要求进行合适的模板设计、焊膏印刷，以及回流焊曲线设置。本文对上述各方面要求和影响进行探讨，对PCB焊盘设计、表面组装工艺以及板级组装的可靠性作了详细地介绍。

QFN封装芯片切割分离技术及工艺应用

总结当前QFN封装芯片切割分离方式的优缺点,从QFN封装器件材料特性出发,提出一种砂轮切割技术,并通过QFN芯片切割实验,探索能有效抑制铜材料特有毛刺发生的工艺条件。

QFN封装元件组装工艺技术的研究

近几年来,QFN封装(Quad Flat No-lead,方形扁平无引脚封装)由于具有良好的电和热性能、体积小、重量轻,其应用正在快速增长。采用微型引线框架的QFN封装称为MLF封装(Micro Lead Frame-微引线框架)．QFN封装和CSP(Chip Size Package,芯片尺寸封装)有些相似,但元件底部没有焊球,与PCB的电气和机械连接是通过PCB焊盘上印刷焊膏、过回流焊形成的焊点来实现的,对PCB焊盘设计和表面贴装工艺提出了一些新的要求。印刷网板设计、焊后检查、返修等都是表面贴装过程中所应该关注的。本文将对上述各方面要求和影响进行探讨,对PCB焊盘设计、网板设计、检测和返修作详细地介绍。

对QFN封装芯片散热PAD的测试研究

QFN封装芯片体积小、重量轻,它特殊的底部PAD能有有效的散热,具有卓越的电性能和热性能[1]。然而如果芯片管脚与芯片散热PAD存在内部短路的问题时,在FT测试将无法准确的筛选出来。部分芯片在终端客户无法正常使用从而引发客户投诉和质量问题。针对此问题,对FT测试方案在硬件设计上进行了优化改善,能够准确的筛选出封装异常芯片。

面向升压、降压或降压-升压型大电流LED应用的45V、2.3A LED驱动器可提供150℃最高结温并采用QFN封装

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出LT3518的H级版本。LT3518是一款45 V、高压侧电流检测DC/DC转换器,为以恒定电流驱动大电流LED而设计。LT3518具有3～30 V输入范围,瞬态保护电压可至40 V,使该器件非常适用于多种应用,包括汽车、工业和建筑照明。

采用3mm×5mm QFN封装的双通道、低噪声偏置发生器为敏感电路应用提供了超低噪声和纹波

凌力尔特公司推出双通道ICLT3095．该器件从单一输入提供两路非常低噪声、低纹波的偏置电源。每个通道都纳入了单片升压型DC／DC转换器，一个集成的超低噪声和高PSRR（电源抑制比）线性稳压器对该转换器进行了后置稳压。LT3095在输出电压高达20V时提供高达50mA的连续输出电流．总纹波和噪声〈100μVP-P。该器件在3V至20V输入电压范围内工作，从而可与多种电源兼容。

IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET,适用于ORing和电机驱动应用 IRFH6200TRPbF具有业界最低导通电阻

全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（International Re Ctlfier，简称JR）日前推出一系列新型HEXFET。功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻（RDS（on））的IRFH6200TRPbF。

安森美小型耐用的QFN封装产品

安森美半导体宣布其硅锗(SiGe）Gigacomm系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平(QFN)封装。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比，节省电路板空间。同时大幅提高了热性能。采用QFN封装的Gigacomm器件目前额定温度范围为-40℃～+85℃，

安森美半导体QFN封装时钟管理器

安森美半导体推出几款高精度时钟管理器件，它们采用了节省空间的封装方式，无铅QFN封装己全面供货。32引脚QFN封装占位面积仅为5mm×5mm，据称占板面积只是以前封装的31％。MCl00LVEP111是1：10差动时钟驱动器，具有极低抖动（典型值为200fs）及低歪曲率（典型值为20ps）。该器件接受差动或单端时钟源至输入多工器，采用＋2．5V或＋3、3V电源工作。