变质量相对论性万有D’Alembert原理的普遍形式

给出了变质量相对论性万有Ｄ’Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理的普遍形式．它包括了现有变质量相对论的各种形式，相对论的各种形式和非相对论的各种形式只是文中的特例．

速度空间的D’ALembert原理

本文从质点系的牛顿动力学方程出发,导出了完整系和非完整系速度空间的D ALembert原理的各种形式.

导数空间任意阶非完整系统相对论性的D’Alembert原理及运动方程

在导数空间定义了相对论性的广义动能函数，构造了导数空间中相对论性的广义加速度能函数，导出了导数空间中任意阶非完整系统相对论性的Ｄ’Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理及运动方程．

变质量力学系统的高阶万有DAlembert原理

从Мещерский方程出发,首先建立变质量力学系统的高阶万有DAlembert原理,然后给出变质量力学系统的高阶万有DAlembert原理的各种形式.最后,给出一例说明本文结果的应用.

力学系统的高阶万有D'Alembert原理

从质点系的牛顿动力学方程出发,建立高阶万有D A lem bert原理,并给出该原理的各种形式.

事件空间中非完整力学系统的Herglotz-d′Alembert原理与守恒律

研究事件空间中非完整力学系统的Herglotz型守恒律.给出事件空间中Herglotz型广义变分原理,引入非完整约束并采用交换关系的H9lder定义,导出事件空间中非完整力学系统的新型微分变分原理—Herglotz-d′Alembert原理.引进事件空间中的空间生成元和参数生成元,建立Herglotz-d′Alembert原理不变性条件的变换.基于该原理构建了事件空间中非完整非保守力学系统的Herglotz型守恒定理及其逆定理.作为特例,给出了位形空间的Herglotz型守恒量和事件空间中完整力学系统的Herglotz型守恒量.文末还给出了一个算例.

导数空间的新型D'Alembert原理及任意阶非完整系统的Gibbs-Appell方程

在导数空间中，将非完整系统变成为形式上的完整系统，建立了导数空间中新型的Ｄ’Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理，得到了任意阶非完整系统通常形式和新型形式的ＧｉｂｂｓＡｐｐｅｌｌ 方程，并给出方程的算例。

变质量系统相对论性万有 d'Alembert 原理的各种形式

研究了变质量力学系统在相对论情况下的万有ｄ′Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理，给出了变质量力学系统相对论性万有ｄ′Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理的各种形式。

变质量力学系统的相对论性万有D'Alembert原理

本文给出了变质量系统的相对论性万有D’Alembert原理的各种形式,为推导变质量任意阶非完整系统的相对论性各类运动微分方程奠定了基础。

导数空间的新型D′Alembert原理及任意阶非完整系统的Tzenoff方程

定义了导数空间中的两种Ｔｚｅｎｏｆｆ 函数，确立了导数空间的新型Ｄ′Ａｌｅｍｂｅｒｔ 原理，得到了任意阶非完整系统的通常形式和新型形式的Ｔｚｅｎｏｆｆ 方程。

多材料3D打印技术的成型原理与发展趋势

多材料3D打印技术可以实现异质结构的一体化成型,从而弥补传统单材料打印的缺陷,是当前增材制造技术的前沿方向,在聚合物基功能梯度结构成型制备中具有独特优势。对多材料3D打印技术的成型原理和方法及其应用领域进行了综述,并简要介绍了其发展趋势。

转动变质量系统的相对论性万有D′Alembert原理

研究了转动变质量系统在相对论情况下的万有D’Alembert原理 ,给出了转动变质量系统相对论性万有D’Alembert原理的各种形式 .

相对论性万有D'Alembert原理的统一形式

本文给出相对论性万有 D'Alembert 原理的统一形式,它包括了现有相对论的各种形式,非相对论的各种形式只是本文的特例.

3D NAND闪存中TiN与氧化表面F吸附作用的第一性原理研究

随着3D NAND技术的发展,存储阵列工艺的堆叠层数越来越高,后栅工艺中金属钨(W)栅字线(WL)层填充的工艺也面临越来越严峻的挑战.钨栅沉积工艺中的主要挑战在于氟攻击问题,钨栅填充时产生的空洞导致了含氟(F)副产物的积聚,并在后续高温制程的激发下,扩散侵蚀其周边氧化物层,致使字线漏电,严重影响器件的良率及可靠性.为改善氟攻击问题,通常在钨栅沉积之前再沉积一层薄的氮化钛作为阻挡层.然而在对栅极叠层组分分析中发现,F元素聚集在TiN薄膜表面,并且难以通过退火排出.本文采用第一性原理计算,研究了TiN薄膜表面吸附含F物种的情况,提出TiN的表面氧化能加剧对含F物种的吸附作用,仿真结果指导了栅极工艺过程的优化方向.基于第一性原理计算结果,提出氨气吹扫表面处理方法,有效改善了3D NAND中的氟攻击问题,将字线漏电率降低25%,晶圆翘曲度降低43%.

利用 3D 打印技术制作新型演示实验装置——以“阿基米德原理”实验装置为例

初中物理教材中验证阿基米德原理实验因测量次数较多,操作复杂,容易导致结果产生较大误差。利用3D打印技术自制装置,并与DIS传感器组合制作验证阿基米德原理的新型实验装置,其实验结果可信度高,实验操作简单,现象易于观察,实验成本较低,便于学生独立完成实验,能将实验误差降低至1%左右。

基于D型行波原理的T接线路故障测距方法

介绍了一种基于D型行波原理的T接线路故障测距方法,无需故障分支判断,计算简单。对T接线路故障时的行波过程进行了分析,直接利用故障时刻产生的初始波头到达T接线路三端的时刻,基于D型行波原理,进行两次双端故障测距,然后选择两次双端测距结果中的较大值作为最终故障测距结果。用ATP仿真软件和MATLAB软件对该方法进行了仿真分析。仿真结果表明,在T接线路发生故障时,此方法能够利用故障初期很短时间内的行波信号实现快速、准确的故障测距。

应力偶流体的D’Alembert流动

通过假定流体运动的流函数为时间函数和空间函数的乘积,即流体运动为D’Alembert流动,运用逆解方法求得应力偶流体流动的定常和非定常精确解.所得精确解有助于认识和理解非牛顿流体的流动特性,同时也可以为实验、数值以及渐近解提供检验依据.

磁性形状记忆合金Mn_2NiGa band Jahn-Teller效应的第一性原理研究

运用第一性原理的方法,研究了磁性形状记忆合金Mn_2NiGa在马氏体相变中晶格结构、磁结构、Mn原子d电子结构的变化.研究表明,伴随Mn_2NiGa马氏体相变的发生,形成了一个由两根长键及四根短键组成的拉长八面体结构,即产生了沿z轴拉长的Jahn-Teller畸变;在相变时,位于八面体中心的Mn原子的磁矩发生显著的变化,而作为配体的Ni、Ga原子的磁矩变化很微小;Jahn-Teller畸变的发生,是由于晶体的畸变使配住场产生变化,导致Mn原子d电子态密度重新分布,从而使e_g和t_(2g)能级分裂所致.

基于Unity3D的电路原理虚拟实验室设计

“电路原理实验”是电信类学生大学的第一门专业实验课程,在实验过程中学生第一次使用电子类专业的常用仪器,因此通过开发3D的虚拟实验系统作为辅助教学工具,使学生直观地掌握实验仪器的使用方法,通过有沉浸感的虚拟操作掌握实验方法,取得更好的实践效果,为学生自主实验提供必要条件。

5d过渡金属原子掺杂氮化铝纳米管电子结构、磁性性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了5d过渡金属原子(Lu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg)取代Al N纳米管(Al NNTs)中的铝原子或氮原子时体系的几何结构、电子结构和磁性性质;并且以理想Al N纳米管(Al NNTs)、Al缺陷体系(VAl)和N缺陷体系(VN)的结果作为对比.研究发现:5d原子取代Al(Al5d)时体系的局域对称性接近于C3v,但是取代N(N5d)时体系的局域对称性偏离C3v对称性较大;当掺杂的5d元素相同时,Al5d的成键能比N5d的成键能大;当掺杂体系相同时(Al5d或N5d),其成键能基本上随着5d原子的原子序数的增大而降低;掺杂体系中出现了明显的杂质能级,给出了态密度等结果;不同掺杂情况的磁矩不同,总磁矩呈现出较强的规律性.利用C3v对称性和分子轨道理论解释了过渡金属原子取代Al时杂质能级的产生和体系磁性的变化规律.