CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。

线性电路的全温区电路模拟软件TSPICE

线性电路全温区电路模拟软件TSPICE建立了完善、实用的新三极管全温模型,新的稳压管模型及其全温模型,完善的器件噪声模型,器件噪声分析的必要参数及其计算方法,实现了全温区内(-55～+125℃)线性电路的电性能模拟。设立的电路元件参数变化卡便于优化设计。提供的电路图符号法输入,模拟结果的图形显示和硬拷贝,便于设计人员使用。用TSPICE对二十多种电路进行模拟、设计,证实了TSPICE软件在全温范围模拟电路性能的精度及其实用功能方面均优于SPICE2G.

多元因子分析法在集成电路技术中的应用

多元因子分析是一种对多变量进行简约的数理统计方法,它在具有多参数的半导体器件和集成电路CAD/CAT中都具有明显的应用价值。本文在简介多元因子分析原理的基础上,给出了一个具体的集成电路参数测试的应用实例。最后对多元因子分析方法在集成电路技术中的应用前景进行了展望。

单片集成电路中镍-铬电阻的制作

本文介绍单片集成电路中采用高精度、高可靠性和低温度系数镍-铬金属薄膜电阻代替扩散电阻的情况,详细论述镍-铬电阻的制作工艺、操作过程及工艺中的注意事项。实验表明,严格控制工艺条件是保证制取优值镍-铬电阻的关键。

模拟专用集成电路(ASIC)

本文从ASIC的概念出发,说明有数字ASIC和模拟ASIC之分。论述了模拟ASIC的重要性和必要性,电路功能及所用元器件的复杂性和特殊性。就如何发展模拟ASIC,强调要发挥CAD的关键作用,做好软件实用化和建立数据库的工作;当前应建立实用的双极、CMOS、BiCMOS标准工艺线;要解决特殊测试问题和尽可能利用CAT技术。最后,望上级给予模拟ASIC应有的重视和扶植,促进IC产业协调发展。

灌封CMOS/SOS电路的抗辐照性能探讨

开帽器件借助于软X射线、可见光和紫外光相结合的辐照实验,可鉴别工艺对器件抗辐照性能的影响。实验结果表明:利用适当填料对器件进行灌封,可改善器件的抗辐照性能。

超高速数字集成电路的计算机辅助测试技术

介绍了超高速数字集成电路的计算机辅助测试技术（ＣＡＴ），利用ＩＥＥＥ－４８８接口与多功能专用扩展板，采用ＥＳＢＡＳＩＣ测试语言编程，实现超高速数字集成电路物自动测试，提高了测试工作效率和测试精度。

长波长PIN+FET组件的可靠性研究

通过对长波长 PIN+FET 组件的可靠性试验,估算了长波长 PIN+FET组件的平均寿命;对失效样品进行了分析,确定了其主要失效模式,并对优化工艺作了进一步探讨。

高速A/D转换器的满功率带宽测试

:本文采用“相干测试”原理,推导出低于或高于奈奎斯特采样频率时的基波恢复算法,完成了高速A/D的满功率带宽测试,及相关动态参数的测试,表征了高速A/D的动态特性。

基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术

对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.

SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤

研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变 .这使预测 SOI器件的寿命变得非常困难 .

基于MSCA的符号网络函数模拟器

提出了一种改进的用于产生模拟电路符号网络函数的符号编码算法ＭＳＣＡ。与原符号编码算法（ＳＣＡ）相比，该算法具有更简洁的编码单元，更为准确的编码定理，从而能明显地提高算法的效率和应用范围。基于ＭＳＣＡ用于模拟电路的符号网络函数模拟器ＳＮＳＡＣ已经开发完成，还介绍了ＳＮＳＡＣ的基本结构和特点。最后给出了程序应用的两个例子。

CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．

基于Co_2-Z铁氧体材料的DVB-H折叠手机天线

采用传统的固相反应法制得了一种低损耗的Z型铁氧体材料(Sr1Ba2-xBixCo2+xFe24O41,其中x=0,0.15),基于此材料设计得到一近似全方向辐射模式,在470～702MHz频段平均增益大于-3dB,且在此频段的辐射效率为33.5%～67.3%的小型化天线,该天线完全满足DVB-H(数字视频广播手持终端传输技术)的应用。

具有优良温度特性的大功率器件

本文介绍了一种大功率器件,其耐压大于100V,I_(CM)>6A,P_(CM)>50W,f_T～200MHz,温度从-55℃变化到+150℃时,其共射极电流放大系数几乎不变。

小型化光电隔离型长线差分收发器

设计了一种小型化光电隔离型长线差分收发器,采用光电隔离的方式实现差分收发器信号的隔离传输,重点突出了其小型化特点和电气隔离功能。叙述了该器件的工作原理和结构设计,简要介绍了其制作过程。最后介绍了器件的主要性能参数及测试结果,表明该器件同时具备差分信号隔离与传输的功能。

消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术

本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。

微电子组装技术述评——兼议我所微组装技术发展方向

微电子组装技术是从电路集成到系统集成的关键技术,它的支柱是高性能、高集成度集成电路和微细高密度多层互连基板。而后者又可分为优质薄膜多层布线板和优质厚膜多层布线板,其中又包括若干支撑技术和基础技术。 本文介绍了微电子组装技术的各个方面和几个发展阶段;建议充分发挥本所在高性能、高集成度集成电路及其技术方面,特别是LSL、VHSIC、ASIC等十大系列产品的优势和LSI的工艺优势,加速开发优质薄膜多层布线技术;重视开发优质厚膜多层布线技术和相关的系统集成封装技术及计算机辅助设计技术。在开发系统集成技术方面应根据我国和我所的实际情况,狠抓二次集成技术。这应是我所微电子组装技术的发展方向。

微型组装的级联对数放大器

本文结合对数放大器在雷达接收机中的应用,采用微型组装级联单片对数放大器的方法,来扩大动态范围,提高对数精度,从而获得适当的频带和传输时延。文中列出了微型组装的五级、六级和七级级联对数放大器的测试结果。

发展中的绝缘体上硅材料技术

在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。