新一代微分析及微加工手段——聚焦离子束系统

聚焦离子束 (FIB)技术是 90年代发展起来的具有微细加工和微分析组合功能的新技术。随着集成电路线宽的不断减小 ,集成度不断提高 ,该技术已在微电子工业中被广泛应用 ,其优势也日益显现。文中主要对FIB系统的构成作较为详尽的介绍 ,同时也涉及该技术的应用和发展。

慢性胃炎胃粘膜肠化生和不典型增生超微结构及其分子生物学研究

目的 探索慢性胃炎胃粘膜肠化生和不典型增生超微结构及其分子生物学的病理生理学变化。方法 对 16 8例慢性浅表性胃炎、慢性萎缩性胃炎和胃癌患者胃粘膜 ,采用组织化学染色、扫描电镜附能谱仪、透射电镜附能谱仪、图像分析仪、放射免疫法和化学发光法等现代科学技术手段 ,同步检测胃粘膜和胃粘膜上皮细胞超微结构、微量元素、DNA、cAMP和SOD ,以及3 H TdRLCT、LPO。结果 胃粘膜IM分度、分型和ATP分度 ;上皮细胞超微结构 ;胃粘膜、细胞核和线粒体的Zn、Cu、DNA、cAMP和SOD ;血清LPO和3 H TdRLCT ,在HC组、ATP 组、IM +ATP 组、IM +ATP 组、IMⅡb组和CA组的组间 ,有显著性差异 ,P <0 0 5～ 0 0 1;IM +ATP 组、IMⅡb组和CA组组间 ,无显著性差异 ,P >0 0 5。结论 ATP 、IMⅡb和CA有相似的上皮细胞超微结构与分子生物学变化 ,因而有相似的发生、发展和转归的规律 。

胃康复冲剂对胃癌前病变脾虚证胃粘膜超微结构的影响

目的 :观察胃康复冲剂对胃粘膜组织超微结构的影响。方法 :应用胃康复冲剂治疗 61例脾虚证胃粘膜肠上皮化生 (IM )和不典型增生 (ATP)患者 ,治疗前后均作胃镜检查 ,取胃窦部粘膜作组织病理和超微结构检查。结果 :脾气虚证与脾阳虚证病理疗效优于脾阴虚证和脾虚气滞证 (P <0 0 5,P <0 0 1) ;4组脾虚证胃窦部病灶区组织病理、肠化生亚型和非病灶区粘膜超微结构中的“背景病变” ,在治疗后均有改善 ,趋向接近于健康对照组。结论 :胃康复冲剂是通过改善体内生物活性物质间的量比平衡关系 ,以维护机体内环境适应性调节机制 ,促进胃窦部粘膜超微结构正常化 ,而治愈临床症状 ,逆转IM和ATP的。

PEM用于半导体器件失效缺陷检测和分析

光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术。随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微镜已广泛使用于IC和分立器件中漏电、击穿、热载流子等失效点的定位和失效机理的分析。本文介绍了光发射显微镜及在半导体器件进行失效分析的机理和实际应用。

胃康复对胃癌前病变脾虚证胃粘膜上皮细胞超微结构的影响

目的 观察胃康复冲剂对胃粘膜上皮细胞超微结构的影响。方法 应用胃康复冲剂治疗 6 1例脾虚证胃粘膜肠化生和不典型增生患者 ,治疗前后均作胃镜检查 ,取胃窦部粘膜采用EM430型透射电镜 ,观察上皮细胞超微结构。结果 4组脾虚证在治疗后胃粘膜上皮细胞核、线粒体的超微结构均有不同程度的改善 ,P <0 0 5～ 0 0 0 1,趋向接近于健康对照组。结论 胃康复冲剂是通过改善胃粘膜上皮细胞核与线粒体的Zn、Cu、DNA含量和体内其他生物活性物质的水平 ,促进上皮细胞分化和亚细胞超微结构正常化 ,以维护机体内环境适应性调节机制 ,达到消除临床症状。

聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用

ＦＩＢ是一种将微分析和微加工相结合的新技术，在亚微米级器件的设计、工艺控制和失效分析等诸多领域发挥着非常重要的作用。本文将对聚焦离子束技术及其分析、加工的机理和性能作一介绍，并对该技术在微电子领域中的应用及发展作一综述。

检测胃黏膜上皮细胞微量元素、DNA、P_(53)、Ki-67、C-erbB_2、P21^(ras)研究中医脾虚证和胃癌前病变的关系

目的:探索中医脾虚证的病理生理学变化与胃黏膜癌前病变的关系。方法:对160例脾虚证胃黏膜均伴有肠上皮化生(intestinal metaplasia,IM)和/或低级别上皮内瘤变(low grade intraepithe1ial neoplasia,L-IN)患者,脾虚证分为脾气虚证(spleen Qi deficiency,SQD)、脾阴虚证(spleen Yin deficiency,SyinD)和脾虚气滞证(spleen deficiency with Qi stagnation,SDQS)三型和22例健康对照者为研究对象,采用现代科学仪器和技术检测胃黏膜上皮细胞核和线粒体的微量元素、DNA与胃黏膜P_(53),Ki-67,C-erbB_2,P21^(ras)。结果:SDQS组与L-IN间在分子生物学上也无显著性的差异。结论:要定期随访检测以上指标。有利于早期发现慢性胃炎的癌变。

胃黏膜超微结构、微量元素、环磷酸腺苷和细胞免疫研究慢性胃炎的分类

目的:探索有消化道症状患者未必都有胃黏膜病理学改变与无任何临床症状者未必均无胃黏膜病理学改变的病理生理学渊由.方法:经检测排除心肺肝胆胰肾肠等器质性疾病188例患者和胃黏膜无明显病理学改变者(F)的胃黏膜,应用扫描电镜、能谱仪与放射免疫法等现代科学技术手段同步检测胃黏膜超微结构、微量元素和环磷酸腺苷,以及3H掺入淋巴细胞转化试验.结果:胃黏膜Zn、Cu、cAMP和3H-TdR LCT含量,健康对照组(4.1±1.0,5.2±0.8,15.9±1.5,1079.7±227.4),无症CSG组(3.7±1.2,5.1±1.8,15.6±0.9,924.5±234.9);无症CAG组(3.3±1.0,4.8±0.9,14.9±0.7,887.7±243.6);有症F型组(3.5±1.4,4.5±1.0,15.7±1.4,932.1±2449.3);有症CSG组(2.8±1.9,4.0±1.5,14.2±1.8,867.3±240.5);有症CAG组(2.0±1.8,3.4±1.5,13.4±1.8,800.9±221.8);非病灶区胃黏膜内'背景病变(灶性萎缩性炎变,灶性肠腺化生,微小溃疡)',组间均有显著性差异(P＜0.05～0.001).结论:有病有症、有病无症、无病有症都发生在胃黏膜Zn、Cu、cAMP和3H-TdR LGT的量变基础上.

慢性胃炎与胃癌胃黏膜超微结构及其分子生物学的比较研究

目的:慢性胃炎与胃癌胃黏膜超微结构及其分子生物学的比较研究.方法:对168例慢性浅表性胃炎、慢性萎缩性胃炎和胃癌患者胃黏膜,采用组织化学染色、扫描电镜附能谱仪、透射电镜附能谱仪、图像分析仪、放射免疫法和化学发光法等现代科学技术手段,同步检测胃黏膜和胃黏膜上皮细胞超微结构、微量元素、DNA、cAMP和SOD,以及3H-TdR LCT、LPO.结果:上皮细胞核质比＞1的发生率、核分叶的发生率、染色质间颗粒密集的发生率、核仁肥大的发生率、细胞核DNA、Zn、Cu和血清LPO,健康对照组组为0.0,0.0,6.7,0.0,12.6±2.7,7.6±0.4,58.4±0.3,2.6±0.6,CSG组为5.7,2.9,7.4,2.9,15.2±3.1,8.1±0.5,58.9±0.5,4.2±0.7,CAG组为31.3,29.7,45.3,42.2,16.5±3.1,8.6±0.4,59.3±0.5,4.5±0.6,CA组为100.0,100.0,72.2,50.0,30.7±8.2,8.8±0.3,59.5±0.4,6.8±1.6;而线粒体Zn、Cu,胃黏膜cAMP和SOD、3H-TdR LCT,健康对照组组为9.2±0.5,58.3±0.3,15.9±1.5,170.5±6.1,1079.7±227.4,CSG组为8.6±0.5,57.8±0.3,14.6±1.8,163.3±5.6,867.3±240.5,CAG组为8.3±0.4,57.5±0.3,13.4±1.8,161.2±4.3,800.9±221.8,CA组为8.9±0.4,57.1±0.3,10.2±3.9,152.2±3.8,325.7±186.8,组间有显著性差异,P＜0.05～0.01.结论:慢性胃炎与胃癌间在胃黏膜超微结构及其分子生物学上还是有显著性差异的;慢性萎缩性胃炎必须在机体内环境改变的基础上,结合外环境不良因素的刺激,才有可能发展成胃癌.

CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究

CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中,它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察,将对深入了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。

胃黏膜超微结构、DNA、Zn、Cu和LPO研究慢性胃炎分类

目的:探索慢性胃炎中无症CSG、无症CAG、有症F型、有症CSG和有症CAG的病理生理学渊由。 方法:对188例患者,应用透射电镜、能谱仪、图像分析仪与化学发光法等现代科学技术手段,同步检测胃黏膜上皮细胞超微结构、微量元素、DNA和SOD,以及LPO。 结果:胃黏膜上皮细胞核Zn、Cu、DNA和血清LPO含量,健康对照组(7.6±0.4,58.4±0.3,12.6±2.7,2.6±0.6),无症CSG组(7.8±0.3,58.6:0.4,13.0±3.1,2.9±0.4),无症CAG组(7.8±0.3,58.7±0.3,14.3±2.8,3.1±0.4),有症F型组(7.9±0.4,58.7±0.5,13.5±4.6,2.9±0.7),有症CSG组(8.1±0.5,58.9±0.5,15.2±3.2,4.2±0.7),有症CAG组(8.6±0.4,59.3±0.5,16.5±3.1,4.5±0.6);而线粒体Zn、Cu和胃黏膜SOD含量,健康对照组(9.2±0.5,58.3±0.3,170.5±6.1),无症CSG组(8.9±0.5,58.2±0.3,167.2±5.3),无症CAG组(8.8±0.4,57.5±0.2,166.1±4.2),有症F型组(8.9±0.5,58.0±0.3,167.9±5.7),有症CSG组(8.6±0.5,57.8±0.3,163.3±5.6),有症CAG组(8.3±0.4,57.5±0.3,161.2±4.3),组间均有显著性差异,P<0.05～0.001。胃黏膜上皮细胞超微结构与此发生同步变化。 结论:有病有症、有病无症、无病有症都发生在胃黏膜上皮细胞超微结构及其相关的生物活性物质的质量变化的基础上。

深亚微米ULSI工艺检测技术——扫描探针显微镜

扫描探针显微镜(SPM)是80年代发展起来的一种具有超高空间分辨率的显微技术。扫描探针显微镜功能强大,在表面科学、生命科学、微电子工业等许多领域得到广泛的运用。随着集成电路的线宽进入深亚微米阶段,扫描探针显微镜在ULSI工艺表征中显得日益重要。本文将介绍扫描探针显微镜及其在微电子工艺和器件微分析中的应用。

深亚微米集成电路工艺的合格率问题

前言 90年代以来,集成电路遵循着摩尔(Moore)定律高速发展,0.18μm工艺已日趋成熟,0.13μm 12″硅片等更先进技术也将很快进入大生产应用。日益增加的生产设备投资,日益缩短的技术换代周期,使得半导体产业在高资本投入和高人力投入同时也带来了高风险。人们将更多地关注集成电路生产中的合格率问题。

先进IC封装的分析技术

本文对微电子FC、BGA、COB、TAB、MCM、CSP等几种先进的封装技术进行了概述,介绍了封装材料、工艺及失效分析的工具和方法。

由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析

ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题。光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理。通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径。

超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究

采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。

关于扫描隧道显微术所得图像的两种重构方法

随着扫描隧道显微术的快速发展，由于针尖并非无限细小尖锐而导致图像畸变的情况也越来越常见。文章用计算机模拟了几何分析和形态学两种图像处理的数学方法，并定义了畸变度参数，证明这两种方法可以获得更接近原样品形态特征的图像。

脾虚证胃粘膜组织细胞病理学研究

目的:探索脾虚证胃粘膜相、胃粘膜病变的程度与脾虚证型的关系。方法:取经检测排除心、肺、肝、胆、胰、肾及肠等器质性疾病的188例脾虚证患者胃粘膜,应用光学显微镜、扫描电镜、透射电镜和组织化学染色,进行组织病理学、亚细胞超微结构检测。结果:脾气虚证和脾阳虚证胃粘膜既可有器质性病变存在(G型),也可无器质性病变存在(F型);脾阴虚证和脾虚气滞证胃粘膜均有器质性病变存在,且病变程度也较G脾气虚证与G脾阳虚证为重(P<005～001)。结论:脾虚证未必都有胃粘膜病变,病变的程度与脾虚证型的演化互为因果。

胃康复治疗脾虚证胃癌前病变的疗效及其作用机理的研究

目的：观察胃康复冲剂治疗胃粘膜肠化生（ＩＭ）和不典型增生（ＡＴＰ）的临床疗效及其作用机理。方法：中西医证病结合，辨证施治，随证加减应用胃康复冲剂作为治疗组（６１例），不予辨证皆用胃苏冲剂作为对照组（５４例），另设健康对照组（１５名）。治疗前后均作胃镜检查，取胃窦部粘膜作病理诊断、组织化学染色进行肠化生分型、胃粘膜 Ｚｎ、Ｃｕ、ｃＡＭＰ、ＳＯＤ和血清ＬＰＯ３、3Ｈ－ＴｄＲ ＬＣＴ检测。结果：（１）治疗组的症状疗效和病理疗效明显优于对照组（ Ｐ＜ ０．０５， Ｐ＜ ０．０１）。（２）治疗组疗前的胃粘膜 Ｚｎ、 Ｃｕ、 ｃＡＭＰ、ＳＯＤ和３Ｈ－ＴｄＲ ＬＣＴ均较健康对照组低；治疗后均有提高；血清ＬＰＯ治疗后则随之降低，以上变化均有显著性差异（Ｐ＜０．０５，Ｐ＜０．０１）。结论：胃康复冲剂逆转ＩＭ和ＡＴ Ｐ，是通过改善胃粘膜Ｚｎ、Ｃｕ、ｃＡＭＰ和ＳＯＤ的水平，促进细胞分化，提高细胞免疫功能，降低氧自由基和ＬＰＯ的机制实现的。

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 。