磁控溅射CN_x薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系

对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究。CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0～-150V之间变化。利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力。AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好。最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件。

射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究

使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有～ 70 0 cm- 1 ,～ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5～ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ )

液体电阻率与温度和浓度之间关系的测量

通过液体温度、浓度与电阻率之间的关系的测定,得出液体导电与一般金属导电之间的区别,掌握液体电阻率的温度特性和浓度特性,掌握导电液体均匀加热方法.

在二维坐标系下的一般经典哈密顿系统的正则变换和对应于它的量子幺正变换(英文)

讨论了与线形正则变换相关的二维一般哈密顿系统 .并利用幺正变换计算了变换后和变换前的薛定谔方程之间的关系 .

非理想气体的第二维里系数及物态方程

利用ＭａｙｅｒＵｒｓｅｌ集团展开法及两体作用的Ｍｏｒｓｅ位势，计算了非理想气体的第二维里系数及物态方程．结果表明第二维里系数和物态方程中的参数都是随温度变化的函数，这一结论与实验相符．

光学系统─等效透镜的集光特性

主要介绍了可等效成薄透镜的光学系统的集光特性 ,即通过分析等效光学系统的光辐射通量与物体在三个不同位置时的关系 。

简单系统任意循环的效率

从T-S图出发推导了任意循环的效率 ,结果表明任意循环的效率一定小于相应卡诺循环的效率 .这一结论不仅适用于理想气体 。

s-d系统的杂质效应与传导电子的有效热质量

基于Andersons-d混合作用和s-d交换作用及Falicov库仑互作用 ,建立了一个新模型 ,利用格林函数方法 ,定量地讨论了磁性杂质效应在充分低的温度下 ,对稀磁合金中传导电子有效热质量的影响 .

介观LC电路中电荷和电流量子涨落的一般关系式

从有源ＬＣ电路的运动方程出发，研究了在压缩相干态下介观ＬＣ电路中电荷、电流的量子涨落，并导出了压缩真空态等状态下的相应结果．

s-d混合效应与s-d系统附加比热

根据ＡｎｄｅｒｓｏｎＭｏｄｅｌ定量地估计了稀磁合金中有磁解与非磁解的情况下ｓ－ｄ混合效应所引起的杂质电子与传导电子的附加比热．

s-d系统的磁性杂质效应与低温杂质电阻

基于ｓ－ｄ混合效应与ｓ－ｄ交换效应的统一模型，利用格林函数方法，研究了稀磁合金中极低温情况下的电阻特性与准电子质量．

跨世纪物理学的几个活跃领域和发展趋势

论述了 2 1世纪物理学几个活跃领域的现状和发展趋势 .

推导氢原子基态测不准关系和能量的一种方法

利用测不准关系和算符对易关系推导出了氢原子基态测不准关系和基态能量 .

一种测定水表面张力系数的方法——干涉法

当有一定深度的水表面发生微波振动时,波速 v=((gλ)/(2π)+(2πT)/(ρλ))^(1/2) (1)式中T为水的表面张力系数,λ为波长,ρ为水的密度,g为重力加速度. (1)式中代入v=λf后,整理得 T=(λ~2ρ)/(2π)(λf^2-(g/2π)) (2)上式为测量表面张力系数公式。

s-d系统的统一模型与稀磁合金中的热导率

基于s-d混合效应和s-d交换效应的统一模型 ,利用格林函数方法 ,讨论了磁性杂质效应对稀磁合金中热导率的影响 .

探索人类大脑奥秘的物理学——脑物理学

综述了脑物理学的发展过程以及研究脑物理学的意义、方法和有待于进一步探索的问题 .

介观LC电路中电荷和电流量子涨落的一般关系式

从有源 LC电路的运动方程出发 ,研究了在压缩相干态下介观 LC电路中电荷、电流的量子涨落 ,并导出了压缩真空态等状态下的相应结果 .

与腔场的耦合系数不同的两个级联三能级原子最大纠缠态的制备

提出在外加强经典场的非共振热腔中制备两个与腔场的耦合系数不同的级联三能级原子最大纠缠态的方法 .因外加强经典场的存在 ,有效哈密顿中与光子数有关的部分被取消 .

Al-Ni-Cr系合金中的准晶相关相

为了研究Al-Ni-Cr系合金中是否存在准晶及其相关相 ,对Al75Ni1 5Cr1 0 合金进行了实验研究 .比较XRD与TEM实验结果 ,在Al75Ni1 5Cr1 0 合金中发现了十次准晶的 [3/2 ,3/2 ]相关相 ,且实验显示此相关相在 80 0～ 950℃温度范围内是稳定相 .除此之外 ,通过Al75Ni1 5Cr1 0 合金的XRD图谱与其它合金样品的XRD图谱的比较 ,发现在Al60 Ni2 0 Cr2 0 、Al65Ni1 5Cr2 0 、Al65Ni2 0 Cr1 5、Al70 Ni1 0 Cr2 0 、Al75Ni1 5Cr1 0 、Al70 Ni1 5Cr1 5、Al70 Ni2 0 Cr1 0 、Al75Ni2 5Cr5、Al75Ni1 0 Cr1 5、Al80 Ni1 0 Cr1 0 合金中也存在着十次准晶的 [3/2 ,3/2

热真空下介观RLC电路的量子涨落(英)

在真空态和热真空态下讨论了介观RLC电路的量子涨落。结果表明电荷和电流的量子力学零点涨落随着温度增加。