吸收湿气对微电子塑料封装影响的研究进展

微电子塑料封装中常用的聚合物材料因易于吸收周围环境中的湿气而对器件本身的可靠性带来很大影响,本文回顾了封装材料中湿气扩散、湿应力及蒸汽压力的产生这3个互相联系过程的研究情况,从理论分析、特征参数描述及其实验测定、有限元模拟分析的角度来分别予以介绍．从已有的理论分析与实验结果中可以看出,塑封材料吸收湿气会给器件的可靠性带来诸多影响,湿气的吸收、扩散、蒸发等过程,实验测量,以及由湿气带来的其它相关问题正成为微电子封装可靠性研究领域中的新热点,受到越来越多的关注与重视．

微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高。等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用。

便携式电子系统的DC/DC开关电源系统结构设计和研究

介绍了 DC/DC开关稳压电源系统结构的设计 ,分析了提高电源转换效率的系统设计方法。提出了一种适于 LSI实现的

基于微电子机械系统技术的高灵敏度电容式微传声器的研制

基于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）技术的微传声器是当前国际上研究的热点。使用 ＭＥＭＳＩ艺制备的薄膜一般有着不可忽视的残余应力，极大的降低了膜的机械灵敏度。理论分析和数值模拟表明，纹膜结构可在不改变工艺条件的前提下，显著的降低残余应力的不良影响，大幅度增加膜的灵敏度。本文提出了一种使用ＭＥＭＳ技术制作的纹膜结构电容式微传声器，其制作工艺简单、重复性好，所用材料也能与 ＩＣＩ艺很好的兼容。圆片级测试的结果表明，在 １０ Ｖ的偏置电压下，这种微传声器在 ７ ｋＨｚ以下具有平直的频响，开路灵敏度可达 ４０ ｍv／Ｐａ，而其占用的芯片面积仅为 １．５ ×ｌ．５ ｍｍ２。进一步的研究可望将信号处理电路集成于片内，形成完整的微声学系统。

二次电子成分衬度成像方法在异质结半导体材料和器件的微结构研究中的应用

阐述了高分辨二次电子成分衬度像的成像原理、成像条件和实验方法，介绍了一种新的试样制备方法，讨论了各种制样方法的特点。以多层Ｐ＋Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐＳｉ异质结内光发射红外探测器为例，介绍了二次电子成分衬度像观察技术在异质结半导体材料和器件微结构研究中的应用。将这种技术与通常的透射电子衍射衬度方法进行了比较，讨论了它在异质结半导体材料和器件中的应用前景。

分子电子学

作为纳米电子学的一个重要分支,分子电子学在近年来得到了巨大的发展,并成为国际上研究的热点。本文介绍了各种分子器件的制作技术及基本工作原理,回顾了近年来分子电子学的最新进展,展望了分子电子学的未来发展。

新型低驱动电压电子纸显示单元的研究

研制了一种基于介质上电润湿(electrow etting-on-d ielectric,EWOD)的新型低驱动电压电子纸反射式显示单元器件.本文分析了器件的工作原理以及性能影响因素,并提出用优化的氮化硅与碳氟聚合物复合介质层来改善器件的驱动电压.实验证实,器件在15V低电压驱动下成功实现了“开启”、“关闭”功能,其“开启”、“关闭”响应时间小于1/30 s.

21世纪微电子技术发展展望

1.集成电路技术的高速发展 几十年来集成电路（IC）技术一直以极高的速度发展。著名的摩尔（Moore）定则指出IC的集成度（每个微电子芯片上集成的器件数）,每3年左右为一代,每代翻两番,对应的IC制作工艺中的特征线宽每代缩小约30％。根据按比例缩小原理（Scaling Down Princi-ple）,特征线条越窄,IC的工作速度越快,单元功能消耗的功率就越低。

从微电子到纳电子

从器件优值(功耗-延时积)出发，在介绍了微电子和纳电子技术发展现况的同时，讨论了从微电子到纳电子的演变本质；同时指出，信息处理系统在SOC(片上系统)发展过程中变革的必然性，最后对纳电子学与微电子学内涵的主要差别进行了预测。

77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制．

从ULSI芯片的性能能量效率展望21世纪信息电子学的发展

现行的ULSI正在并将继续沿着Moore定律高速发展．在其前进道路上会遇到哪些物理障碍,要解决哪些技术课题?当CMOS技术达到或接近其发展极限后,后续的信息电子学(包括纳电子学、bio-inspired电子学和量子信息处理等)前景又将如何?本文基于ULSI芯片的性能能量效率观点,对相关问题进行讨论．

增强知识创新实力 发展我国微电子技术

知识创新实力已成为一个经济强国的重要标志。在当前的许多高技术领域中,有无源源不断的创造性新产品已成为一个现代企业盛衰的决定性因素。提倡提高我国国民的创新精神,建立国家知识创新机制具有重要和深远的意义。在此,结合清华大学微电子所的工作,谈谈发展微电子技术中对“知识创新”的认识和相关做法。

大数据在智慧农业中研究与应用展望

"大数据"是继物联网、云计算之后信息技术产业又一次重要的技术变革,已成为数据挖掘和智慧应用的前沿技术,科技已经进入了"大数据"时代。阐述了大数据发展的背景、大数据与物联网等的关联、大数据基本内涵和关键技术等,并结合农业特点,分析了大数据在农业上的需求、主要应用领域及其在智慧农业中的关键地位。最后针对我国农业大数据和智慧农业未来发展,提出了的一些建议和思考。

差异演化的实验研究

首先基于一些实例研究了差异演化(DE)的参数选择问题;然后在分析DE特点的基础上,将缩放因子F由固定数值设为随机函数,实现了一个简化的DE版本(SDE).该方法不仅减少了需调整的参数,而且对CR的参数选择更为宽松.与已有文献中遗传算法的带约束型数值优化问题的实验结果对比,表明SDE能在较少的计算次数内获得较好的结果.

基于介质上电润湿的微流体变焦透镜的研究进展

近年来,微流体变焦透镜的研究已展示出其在光学系统中的应用前景,其中基于介质上电润湿(Electrowet-ting on dielectric,EWOD)的微流体变焦透镜只需改变外加电压便能快速调节透镜焦距,并且具有尺寸小、结构灵活、功耗低、焦距调节范围广等许多突出优点而日益受到注目。在介绍EWOD机理的基础上,综述了目前基于EWOD的微流体变焦透镜的研究进展。

高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究

设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。

用于微全分析系统的数字化微流控芯片的研究

研制出一种基于介质上电润湿(electrowetting-on-d ielectric,EWOD)机制的可编程数字化微流控芯片。它采用“三明治”结构:受控离散液滴被夹在两极板之间;下极板以硅为衬底,掺杂多晶硅作为芯片微电极阵列,其上涂覆有Teflon(AF1600薄膜的S iO2作为疏水性介质层;上极板是涂覆有Teflon(AF1600疏水薄膜的透明电极。通过分析数字化微流控系统的基本操作(离散液滴的传输、拆分及混合)的物理机理和模拟优化,在35 V低驱动电压下实现了约0.35μL和0.45μL去离子水离散液滴的传输和合并,并在70 V驱动电压下实现了0.8μL液滴的拆分等操作。

介质上电润湿现象的研究

介绍了介质上电润湿的基本原理,分析了介质层材料的介电常数对接触角变化的影响,并提出了优化介质薄膜厚度的方法,为介质上电润湿的进一步应用提供了理论基础。