溶胶-凝胶法制备WO_3-SiO_2材料的氨敏特性研究

采用溶胶－凝胶法制备了ＷＯ３＋ｘｗｔ％ＳｉＯ２（ｘ＝０，５，１０，２０）粉体材料。对其结构、形貌进行了ＸＲＤ、ＡＦＭ、ＸＰＳ和比表面积测量、分析，结果表明：获得了单斜晶系结构的ＷＯ３多晶材料；晶粒尺寸随ＳｉＯ２含量的增加而减小。测量了材料的ＮＨ３气敏特性，得到敏感元件的电阻和灵敏度随ＳｉＯ２含量的增加而增加；溶胶－凝胶法制备的ＷＯ３＋５ｗｔ％ＳｉＯ２粉料用于ＮＨ３测量具有优良的特性，在３５０℃及以上应用优于纯ＷＯ３材料。

0-3型压电陶瓷-聚合物复合材料的制备与压电性

采用压电陶瓷锆钛酸铅 (PZT)粉末掺入聚合物基聚偏二氟乙烯 (PVDF)的方法 ,制备了柔性压电复合材料 PZT- PVDF。为了提高压电复合材料的静水压压电灵敏度 ,将钛酸铅 (PT)微粉掺入到二氟和四氟乙烯的共聚物 P (VDF / Te FE)中制备了另一种柔性压电复合材料 PT - P (VDF/ Te FE) ,因为它具有大的压电各向异性。本文报导了这两种复合材料的制备工艺及其介电性和压电性 ,并讨论了在水听器方面的应用。

M_xLa_(1-x)FeO_3气敏材料的制备及表征

采用液相化学共沉淀法制备出ＭｘＬａ１－ｘＦｅＯ３气敏材料。利用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＩＲ、ＤＴＡ－ＴＧ等分析技术，对材料的物相组成、结构、形貌等方面进行了表征。研究了各种因素对材料导电特性的影响情况。

相界势垒对高B值高电导率NTC热敏材料电特性的影响

在高Ｂ值、高电导率的ＮＴＣ热敏材料中，Ｘ－ｒａｙ衍射、ＸＰＳ分析表明有三相：ＮｉＭｎ２Ｏ４．ＣｕＭｎ２Ｏ４和Ｍｎ３Ｏ４组成。三相之间比例的相对变化对其电导率有较大影响。

溶胶-凝胶法有机-无机精细复合材料P(VDF/TeFE)-SiO_2的制备与显微结构

用溶胶－凝胶法制备了有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。利用水解－聚合反应由正硅酸乙脂（ＴＥＯＳ）合成ＳｉＯ２溶胶，乙醇作溶剂，盐酸作催化剂。将Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）溶于丙酮，并与ＳｉＯ２溶胶均匀混合。凝胶后经干燥和热处理得到有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２。用红外光谱分析、扫描电镜分析、差示扫描热分析和热失重分析对有机－无机精细复合材料Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ）－ＳｉＯ２进行了显微结构表征。

溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜的结构特征研究

采用溶胶－凝胶方法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了光滑均匀的PZT（50／50）铁电薄膜。用XRD、FT－IR反射光谱、Raman光谱以及原子力显微镜（AFM）研究了薄膜随热处理温度的结构变化过程以及薄膜中有机物的挥发。Raman光谱给出了薄膜中三方和四方相共存及转变的结构变化信息。AFM揭示了PZT薄膜中钙铁矿相的形成是从焦绿石结构中转变而来的，其生长机制可用Rosettes生长模型来解释。薄膜中相交约120°交角的3条延伸的界面线则是为了释放薄膜中的应力而产生的。

SiO_2玻璃掺杂固溶半导体(Zn_xCd_(1-x)S)的光致发光研究

利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了掺杂固溶半导体ＺｎｘＣｄ１－ｘＳ的ＳｉＯ２玻璃．吸收光谱研究表明材料的吸收边随Ｚｎ含量的增加而向短波方向移动；温度提高有利于生成较完整的晶粒．以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发光效应作了分析，认为光致发光光谱是由电子与空穴复合发光和表面态与缺陷的复合发光组成，电子－空穴复合发光分布在较大的波长范围内，并且随Ｚｎ含量的增加向短波方向移动。

Bi_2O_3－ZnO－Nb_2O_5三元系统中焦绿石立方结构的研究

研究了Ｂｉ＿２Ｏ＿３－ＺｎＯ－Ｎｂ＿２Ｏ＿５三元系统中焦绿石立方结构。根据焦绿石结晶化学原理，对该系统中的焦绿石立方结构提出了多种假设通式，考虑了不同的阳离子分布，并近似计算了氧偏移量。用电子计算机进行了Ｘ射线的理论计算。通过理论峰强与实际峰强的比较，得到了与实例值符合较好的焦绿石立方结构模型。

Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3基复相陶瓷的结构与介电性能研究

在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ＢａＴｉＯ３－ＰｂＴｉＯ３系统中选用两种具有不同居里温度固溶体为起始组元（ＬＴＣ和ＨＴＣ），按时数混合法则对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基温度穗定电容器陶瓷的组成和介电性能进行设计的基础上，采用混合烧结法制备了（１－ｘ）ＬＴＣ－ｘＨＴＣ（ｘ＝０．２０，０．３０，０．４０，０．５０）温度稳定电容器陶瓷。相分析、显微结构表征和介电性能测试结果表明，该陶瓷具有复相结构，且具有细晶显微结构特征。复相陶瓷的介电性能随ｘ变化。当ｘ＝０．３０时所制陶瓷具有宣温介电常数高（３８５０），介质和耗低于１．５％，电容温度变化率满足ＥＩＡ标准中Ｘ７Ｓ（△／Ｃ％≤±２２％。

PZTS系凝胶玻璃及玻璃陶瓷的结构研究

采用溶胶凝胶工艺在低温下合成均匀透明的ＰＺＴＳ新型多组元凝胶玻璃，并在凝胶玻璃中成功地析出ＰｂＴｉＯ＿３，Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３纳米微晶。利用ＩＲ谱分析了凝胶玻璃中Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ等化学键在成胶过程中的形成以及在热处理过程中的变化。根据Ｋｉｓｓｉｎｇｅｒ原理估算了ＰＴＳ凝胶玻璃的析晶活化能。借助ＸＲＤ较系统地研究了凝胶玻璃在高温下的结晶结构。探讨了在ＰＺＳ，ＰＺＴＳ体系中ＺｒＯ＿２和ＳｉＯ＿２成分的结晶对形成Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ＿３复合结晶结构的阻碍。井利用ＳＥＭ观察了材料形貌。

铁电薄膜的微图形化研究

铁电薄膜在微电子和光电子技术中有着重要的或潜在的应用，可以制作随机存取存储器，热释电阵列探测器，铁电微电子机械系统等。在这些器件的制作过程中，铁电薄膜的微图形化是非常重要的一环。本文简要介绍了几种重要的铁电薄膜微图形化方法及有关研究结果，并比较了这些方法的优缺点。

关于金属端帽压电复合换能器Cymbal的研究

研究了金属端帽尺寸对压电复合换能器Ｃｙｍｂａｌ位移的影响。Ｃｙｍｂａｌ由在厚度方向极化的压电陶瓷片（ＰＺＴ－５Ａ）夹在两个薄的黄铜端帽之间，每一个端帽的内表面都有一个圆台形空穴。在施加交流电场下，陶瓷径向收缩，端帽弹性运动，在法向于端帽的方向产生一个放大的位移。Ｃｙｍｂａｌ换能器比相同尺寸的陶瓷元件的位移要高出近４０倍。

铁电薄膜研究的一些新动向

从Y1铁电薄膜材料、外延铁电薄膜、介电超晶格、铁电薄膜的制备工艺及原位检测几个方面介绍了铁电薄膜研究的一些新动向。

复合型钹式执行器的高位移性能研究

本文研究了复合型钹式执行器的位移放大作用，以及对它的整体等效压电常数的影响，这种执行器的位移值（Ｓ）、等效等静压压电常数（ｄｈ）和等效等静压灵敏度（ｄｈ × ｇｈ）与同尺寸单体压电陶片（ＰＺＴ－５Ａ）工作时的对应值，分别高出近４０倍、８０倍和４００倍，并与压电陶瓷片的厚有关联。

Au掺杂TiO_2/SiO_2薄膜的光学非线性特性研究

采用溶胶－凝胶方法制备了Ａｕ掺杂的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜（厚度约为１．０μｍ）。Ｘ－ｒａｙ衍射分析表明，Ａｕ的颗粒镶嵌在ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜的玻璃网络中。谢乐公式计算给出Ａｕ的颗粒大小约为１０ｎｍ。采用Ｚ－Ｓｃａｎ测量技术得此薄膜的光学非线性折射率为１．０９×１０－７ｅｓｕ。

压电陶瓷相体积分数对1-3型压电复合材料性能的影响

研究了１－３型压电复合材料的静水压压电性能、声学性能及机电性能与压电陶瓷相体积分数φ之间的关系。ＰＺＴ棒作为压电相，截面为正方形；环氧树脂作为衬底材料。静水压压电常数（ｄｈ和ｇｈ）、静水压灵敏值ｄｈ·ｇｈ、机电耦合系数ｋｔ、机械品质因数Ｑｍ值等都与压电陶瓷相的体积分数有关。

K（Ta，Nb）O_3薄膜中钙钛矿相的形成机理研究

研究了工艺参数和衬底材料对Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３薄膜生长的影响，研究表明钙钛矿相由焦绿石中问相转变而成，热处理时低速升温同样可以获得纯钙钛矿相的Ｋ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３薄膜，分析了（１００）ＳｒＴｉＯ３，（１００）ＭｇＯ单晶衬底上钙钛矿相的形成机理，并解释了在硅单晶和石英玻璃衬底上纯钙钛矿结构的Ｋ（Ｔａ。

0—3型压电陶瓷－聚合物复合材料的乘积性质

提出０—３型压电陶瓷－聚合物复合材料具有乘积性质，并基于复合材料的串联和并联模型进行了理论分析。分析表明，０—３型压电陶瓷－聚合物复合材料产生最大乘积效应的必要条件为两组元的体积分数约０．５左右。作为实例，分析了ＰＺＴ－ＰＶＤＦ、ＴＧＳ－ＰＶＤＦ和ＢＴ－ＰＶＤＦ热释电复合材料的实验结果，发现了增强热释电效应。

球形铁电陶瓷颗粒-聚合物复合材料的热释电性

基于球形增强颗粒复合材料的热应力分析，从理论上推导了包含乘积效应的球形铁电陶瓷颗粒－聚合物复合材料热释电系数和热释电优值的公式。

CdS,ZnS掺杂纳米复合材料的量子尺寸效应

通过Ｓｏｌ－ｇｅｌ方法和气相反应原位生长法制备了ＣｄＳ，ＺｎＳ分散在二氧化硅凝胶玻璃中的纳米复合材料，纳米粒子尺寸在２－６ｎｍ 。用吸收光谱和荧光光谱观察了室温下纳米复合材料的量子尺寸效应。