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背入射AlxGa1-xN64×1线列焦平面太阳光盲探测器
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作者 丁嘉欣 成彩晶 +6 位作者 张向锋 张晓兵 鲁正雄 司俊杰 孙维国 桑立雯 张国义 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期187-189,共3页
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反... 在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.5Ga0.5NP-I-N型64元线列焦平面太阳光盲紫外探测器。测试了器件的光谱响应,其截止波长为285nm,在275nm峰值波长处的零偏电流响应率为20mA/W。测试了线列器件各元在5V反偏压下的暗电流,结果表明暗电流大约在10-8A数量级,暗电流分布均匀。线列器件各元的紫外光响应均匀性较好。 展开更多
关键词 ALGAN 背入射 线列焦平面 太阳光盲 探测器
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InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器 被引量:11
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作者 朱旭波 彭震宇 +9 位作者 曹先存 何英杰 姚官生 陶飞 张利学 丁嘉欣 李墨 张亮 王雯 吕衍秋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第11期91-96,共6页
InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先... InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm^2,短波达到538 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上,短波2.2×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。 展开更多
关键词 INAS/GASB超晶格 双色 中短波 焦平面阵列 红外探测器
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InAs/GaSb超晶格红外探测器台面湿法腐蚀研究 被引量:7
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作者 陈慧娟 郭杰 +3 位作者 丁嘉欣 鲁正雄 彭振宇 孙维国 《微纳电子技术》 CAS 2008年第5期298-301,共4页
研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速... 研究了不同腐蚀体系对InAs/GaSb超晶格材料台面的刻蚀,并从中选择了由氢氟酸、酒石酸和双氧水构成的酒石酸腐蚀体系。该体系较适合InAs/GaSb超晶格材料的刻蚀,刻蚀速率稳定,下切效应小。进一步研究发现当HF达到一定浓度后不再影响刻蚀速度;在较低的酒石酸和双氧水浓度下,刻蚀速度是由氧化过程控制,且反应速度和双氧水的浓度成正比。腐蚀液配比为酒石酸(3.5g)∶H2O2(4mL)∶HF(1mL)∶H2O(400mL),刻蚀速度约为0.5μm/min。 展开更多
关键词 砷化铟/锑化镓 超晶格 化学湿法腐蚀 台面刻蚀 溶液配比
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Pt/HgInTe肖特基红外探测器的抗辐照特性 被引量:4
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作者 张小雷 孙维国 +3 位作者 鲁正雄 张亮 赵岚 丁嘉欣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期406-409,共4页
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,首先运用直流平面磁控溅射技术在单晶HgInTe表面形成了Pt/Hg3In2Te6接触,然后对HgInTe晶片及其制作的Pt/Hg... 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,首先运用直流平面磁控溅射技术在单晶HgInTe表面形成了Pt/Hg3In2Te6接触,然后对HgInTe晶片及其制作的Pt/HgInTe肖特基器件用不同剂量的γ射线进行辐照,利用I-V测试仪对其辐照前后的I-V特性进行测量,得到了辐照前后的反向漏电流,利用傅里叶红外光谱仪对辐照前后的响应光谱进行了对比,发现在短波方向响应光谱随辐照剂量的增大明显下降,但辐照剂量对于峰值波长的位置和截止波长的位置基本上没有明显影响,同时对辐照前后器件的探测率进行了对比,发现探测率随着辐照剂量的增大有所下降,但下降幅度和器件本身性能有关。最后对γ辐照引起探测器性能变化的辐照损伤机制进行了探讨,认为HgInTe在辐照剂量达到1×108rad(Si)时,其性能也没有数量级的变化,具有很好的抗辐照特性。 展开更多
关键词 Γ射线辐照 Hg3In2Te6 肖特基接触 响应光谱 归一化探测率
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ITO/HgInTe肖特基的光电特性 被引量:4
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作者 张小雷 孙维国 +4 位作者 鲁正雄 张亮 赵岚 孟超 丁嘉欣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期594-597,共4页
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面... 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论。结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HgInTe的肖特基势垒高度为0.506eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2600Ω;In/HgInTe形成欧姆接触。并且发现了在波长1.55μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1。 展开更多
关键词 HgInTe ITO 肖特基接触 欧姆接触 响应光谱
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改性曼尼希胺水性环氧固化剂的制备及性能 被引量:5
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作者 李楚新 段颖 +1 位作者 丁嘉欣 夏新年 《涂料工业》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期31-34,共4页
以聚醚胺(D-230)和DMP-30为原料,利用胺交换反应制得一种新型的改性曼尼希胺(MA1)。然后以自制的端官能环氧聚合物(PEG-EP)与低相对分子质量液体环氧树脂(EP)为扩链剂对MA1进行扩链改性,并用苯基缩水甘油醚(PGE)封端,最后采用相反转法... 以聚醚胺(D-230)和DMP-30为原料,利用胺交换反应制得一种新型的改性曼尼希胺(MA1)。然后以自制的端官能环氧聚合物(PEG-EP)与低相对分子质量液体环氧树脂(EP)为扩链剂对MA1进行扩链改性,并用苯基缩水甘油醚(PGE)封端,最后采用相反转法制得了一种新型的改性曼尼希水性环氧固化剂。讨论了PEG-EP的添加量、MA1与EP的加料比及封端剂的添加量对水性固化剂体系稳定性的影响。并采用物理化学方法对反应程度及涂膜的性能进能了表征分析。优化体系固化涂膜硬度229 s,柔韧性1 mm,附着力0级,适用期5 h,耐水性优异。 展开更多
关键词 水性 环氧固化剂 改性 曼尼希胺
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退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管光电性能的影响 被引量:2
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作者 赵鸿燕 司俊杰 +4 位作者 鲁正雄 成彩晶 丁嘉欣 张亮 陈慧娟 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1283-1286,共4页
研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降... 研究了不同条件下的退火对高Al组分AlGaN P-I-N二极管性能的影响。研究结果表明,合适的退火条件既能使AlGaN与电极之间形成良好的欧姆接触,同时又能显著降低AlGaNP-I-N二极管的反向漏电流,反偏压5V时,暗电流密度由2.0×10-1A/cm2降为5.7×10-5A/cm2,串阻由18.01kΩ减小到1.071kΩ,从而优化了AlGaN P-I-N二极管的I-V特性。分析认为这与退火改善接触电极特性,同时消除器件制备工艺中引入的损伤、降低缺陷态密度有关。 展开更多
关键词 ALGAN P—I—N二极管 退火 欧姆接触 工艺损伤
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Pt/Hg_3In_2Te_6接触的温度特性研究 被引量:2
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作者 张小雷 孙维国 +3 位作者 鲁正雄 张亮 赵岚 丁嘉欣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期888-892,共5页
运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极,形成Pt/Hg3In2Te6接触,采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型,计算得到了Pt/Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明:Pt/Hg3In2... 运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极,形成Pt/Hg3In2Te6接触,采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型,计算得到了Pt/Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明:Pt/Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触,肖特基势垒高度为0,46eV。在120—260K温度范围内,理想因子随温度增大逐渐从2.93减小至1.42。将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器,发现了响应光谱在波长1.55μm处峰值达到最大,在室温下峰值探测率D+达到了10^11cm·Hz^1/2·W-1。 展开更多
关键词 Hg3In2Te6 肖特基接触 理想因子 响应光谱
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Al_(0.3)Ga_(0.7)NMSM紫外探测器研究 被引量:2
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作者 成彩晶 司俊杰 +7 位作者 鲁正雄 郭云芝 赵鸿燕 赵岚 丁嘉欣 孙维国 陈志忠 张国义 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第8期470-473,共4页
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结... 用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V偏压下305nm峰值波长处探测器的电流响应率为0.023A/W,要进一步提高器件的响应率,方法之一是优化器件的结构参数,尽量减小叉指电极的宽度。为了检验Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基接触特性,电击穿MSM右边结,由正向I-V特性曲线计算出理想因子n~1.05,零偏势垒高度φB0~1.16eV,表明形成的Au/n-Al0.3Ga0.7N肖特基结较为理想。 展开更多
关键词 MSM 暗电流 响应率 光谱响应 理想因子 势垒高度
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Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究 被引量:2
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作者 姚官生 张向锋 +1 位作者 丁嘉欣 吕衍秋 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第6期443-445,共3页
制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器,对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外(3~5μm)的透过率进行了研究,并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜的研究,使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波... 制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器,对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外(3~5μm)的透过率进行了研究,并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜的研究,使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下,所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA,在+6 V时的暗电流密度为7.6×10^-7 A/cm^2,R0A达到7.2×10^4Ω·cm^2,其50%截止波长为510 nm。 展开更多
关键词 Pt/CdS SCHOTTKY 紫外探测器 红外透过率
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背入射Al_(0.42)Ga_(0.58)N/Al_(0.40)Ga_(0.60)N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器 被引量:1
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作者 成彩晶 丁嘉欣 +6 位作者 张向锋 赵鸿燕 鲁正雄 司俊杰 孙维国 桑立雯 张国义 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期566-569,共4页
在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%... 在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω.器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm.Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一. 展开更多
关键词 太阳光盲紫外探测器 理想因子 串联电阻 外量子效率 探测率
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InAs/InAsSb超晶格红外中/中波双色焦平面探测器研制 被引量:1
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作者 何英杰 彭震宇 +8 位作者 曹先存 朱旭波 李墨 陶飞 丁嘉欣 姚官生 张利学 王雯 吕衍秋 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期545-550,共6页
超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。双波段红外探测器能够通过对比两个波段内的光谱信息差异,对复杂的背景进行抑制,提高探测效果,在需求中尤为重要。本文开展了InAs/InAsSb超晶格中/中双色焦平面探测器设计及制... 超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。双波段红外探测器能够通过对比两个波段内的光谱信息差异,对复杂的背景进行抑制,提高探测效果,在需求中尤为重要。本文开展了InAs/InAsSb超晶格中/中双色焦平面探测器设计及制备技术研究,从器件设计、材料外延、芯片加工等方面展开研究,制备了中心距30μm的320×256 InAs/InAsSb二类超晶格中/中波双色焦平面探测器。器件短中波峰值探测率达到7.2×10^(11)cm·Hz^(1/2)W^(-1),中波峰值探测率为6.7×10^(11)cm·Hz^(1/2)W^(-1),短中波有效像元率为99.51%,中波为99.13%,获得了高质量的成像效果,实现中中双色探测。 展开更多
关键词 InAs/InAsSb 双色中/中波 焦平面 红外探测器
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p-GaN/Au欧姆接触的研究 被引量:1
13
作者 成彩晶 司俊杰 +6 位作者 鲁正雄 赵鸿燕 赵岚 丁嘉欣 孙维国 陈志忠 张国义 《红外》 CAS 2006年第8期20-23,共4页
本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm^2的欧姆接触.接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小.在700℃温... 本文对p-GaN/Au的接触电阻率进行了研究.用沸腾的王水处理p-GaN表面后,p-GaN/Au可直接形成电阻率为0.045Ω·cm^2的欧姆接触.接触电阻率测试和I-V特性曲线测试表明,在N_2气氛围中退火可影响p-GaN/Au接触电阻率的大小.在700℃温度下退火5min后,接触电阻率最小,其值为0.034Ω·cm^2,而在900℃温度下退火5min后,I-V特性曲线是非线性的。分析表明,在700℃温度下退火后,p-GaN/Au的界面间的反应使接触面增大,而在900℃温度下退火后,p-GaN表面的N会扩散到Au层里在p-GaN表面层产生N空位,这是p-GaN/Au接触电阻率变化的主要原因. 展开更多
关键词 表面处理 退火 接触电阻率 I-V特性
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p-GaN与Ni/Pt欧姆接触的研究 被引量:1
14
作者 成彩晶 张向锋 丁嘉欣 《红外》 CAS 2008年第3期16-19,共4页
本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K~3... 本文对p-GaN与Ni/Pt形成欧姆接触及其电流传输机制进行了研究。I-V变温测试曲线是线形的,表明Ni/Pt与p-GaN之所以能形成欧姆接触,是因为Ni/Pt与p-GaN接触在空气中退火时界面处的p-GaN空穴浓度增加了,从而降低了有效势垒高度。在148K~323K范围内,单位接触电阻R_c随测试温度T的升高趋于呈指数下降,表明Ni/Pt与p-GaN欧姆接触的电流传输机制遵循热电子发射。 展开更多
关键词 欧姆接触 单位接触电阻 I-V曲线 变温测试 电流传输机制
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Thunderstorm and Lightning Activities over Western Pacific,Northern Indian Ocean and South China Sea Along with Their Adjacent Lands
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作者 丁嘉欣 张义军 +2 位作者 郑栋 姚雯 张文娟 《Journal of Tropical Meteorology》 SCIE 2023年第3期347-358,共12页
The Lightning Imaging Sensor(LIS)and Radar Precipitation Feature(RPF)data are used to investigate the activities and properties of lightning and thunderstorms over a region including the Western Pacific,northern India... The Lightning Imaging Sensor(LIS)and Radar Precipitation Feature(RPF)data are used to investigate the activities and properties of lightning and thunderstorms over a region including the Western Pacific,northern Indian Ocean and the South China Sea along with their adjacent lands.The lands feature significantly more frequent lightning flashes and thunderstorms than the oceans,especially the open oceans.The highest densities of lightning and thunderstorm occur over the Strait of Malacca and the southern foothills of the Himalayas.Over the ocean regions,the Bay of Bengal and the South China Sea are characterized by relatively frequent lightning and thunderstorm activities.Larger average spatiotemporal size and optical radiance of flashes can be found over the oceans;specifically,the offshore area features the most significant flash duration,and the open ocean area is characterized by the greatest flash length and optical radiance.The smallest average values of flash properties can be found over and around the Tibetan Plateau(TP).The oceanic thunderstorms tend to have a significantly larger horizontal extent than the continental thunderstorms,with the former and latter having the average area of the regions with radar reflectivity larger than 20 dBZ,generally over 7000 km^(2) and commonly below 6000 km^(2),respectively.The TP thunderstorms show the smallest horizontal extent.Meanwhile,the oceanic thunderstorms exhibit greater 20 dBZ but smaller 40 dBZ top heights than the continental thunderstorms.The average flash frequency and density of the oceanic thunderstorms are typically less than 5 fl min^(-1) and 0.3 fl 100 km^(-2) min^(-1),respectively;in contrast,the corresponding values of continental thunderstorms are greater.It is explored that the regions associated with strong convective thunderstorms are more likely to feature small-horizontal-extent and low-radiance flashes. 展开更多
关键词 LIGHTNING THUNDERSTORM land ocean thunderstorm structure lightning spatiotemporal size and radiance
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Hg_3In_2Te_6晶体欧姆接触及电学特性
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作者 张小雷 孙维国 +2 位作者 张亮 张向锋 丁嘉欣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第4期709-712,共4页
碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进... 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进行了分析,结果表明:In/Hg3In2Te6形成了欧姆接触,接触电阻率为6.71×10-2Ω·cm2,粘附性好,电极质量理想,满足于欧姆电极性质的要求。并在此基础上对Hg3In2Te6材料的电学性能运用范德堡方法进行了测试,测试结果表明:Hg3In2Te6单晶在室温下的导电类型为n型,电阻率为6.16×102Ω·cm,载流子浓度为2.888×1013cm-3,载流子迁移率为350cm2/(V·s)。实验表明:该样品载流子浓度降低后,漏电流减小,探测器的噪声降低,从而探测器的能量分辨率得到了提高。 展开更多
关键词 Hg3In2Te6 欧姆接触 传输线模型 接触电阻率 霍尔效应
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一种制备Au/n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N横向肖特基二极管的方法
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作者 成彩晶 鲁正雄 +6 位作者 司俊杰 赵鸿燕 赵岚 丁嘉欣 孙维国 陈志忠 张国义 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期694-697,共4页
用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS... 用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS分别为1.99、0.788 eV和10.2 kΩ。器件在305 nm波长处有陡峭的截止边,300 nm峰值波长处电流响应率为0.034 A/W。 展开更多
关键词 MSM 横向肖特基二极管 理想因子 势垒高度 响应率 光谱响应
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高Al组分AlGaN肖特基二极管研制
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作者 赵鸿燕 司俊杰 +4 位作者 丁嘉欣 成彩晶 张亮 张向锋 陈慧娟 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第10期570-572,共3页
制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善... 制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2。 展开更多
关键词 AlGaN肖特基二极管 理想因子 势垒高度
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基于微信云开发的趣味游戏策划与设计——“大词吃小词”背词轻游戏
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作者 林远棋 严仙荣 丁嘉欣 《软件》 2023年第1期35-38,共4页
本文从游戏策划、软件设计、系统实现三个方面阐述了“兴味学”小程序内趣味背词模块—“大词吃小词”轻游戏。本游戏是在互联网环境下依据“信息加工理论”基于微信云小程序研发的一款学习软件。根据功能将小程序划分为单词库、同桌背... 本文从游戏策划、软件设计、系统实现三个方面阐述了“兴味学”小程序内趣味背词模块—“大词吃小词”轻游戏。本游戏是在互联网环境下依据“信息加工理论”基于微信云小程序研发的一款学习软件。根据功能将小程序划分为单词库、同桌背词、趣味背词、双人对战四部分。本文通过“轻游戏”开发以及对学习内容进行了合理的加工,以期达到激发学生学习动机的目的。 展开更多
关键词 微信小程序 云开发 趣味学习 “轻游戏”
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他莫昔芬诱导非酒精性脂肪肝的机制研究进展 被引量:3
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作者 陈曦 凌嘉伟 +2 位作者 丁嘉欣 江振洲 张陆勇 《中国临床药理学与治疗学》 CAS CSCD 2018年第6期715-720,共6页
选择性雌激素受体拮抗剂他莫昔芬目前在临床上乳腺癌术后内分泌治疗的应用中最为广泛,然而,越来越多的证据显示他莫昔芬可大大提高乳腺癌患者非酒精性脂肪肝的发病风险。目前关于他莫昔芬造成肝脏脂毒性的研究并不详尽,其造成非酒精性... 选择性雌激素受体拮抗剂他莫昔芬目前在临床上乳腺癌术后内分泌治疗的应用中最为广泛,然而,越来越多的证据显示他莫昔芬可大大提高乳腺癌患者非酒精性脂肪肝的发病风险。目前关于他莫昔芬造成肝脏脂毒性的研究并不详尽,其造成非酒精性脂肪肝的具体机制仍不明确,本文对他莫昔芬诱导非酒精性脂肪肝这一现象及其机制研究进展进行综述,为后续深入探索其机制及研发治疗药物提供参考。 展开更多
关键词 他莫昔芬 辅助内分泌治疗 非酒精性脂肪肝 发病机制
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