实时定量PCR监测急性早幼粒细胞白血病患者PML/RARα融合基因的临床意义

目的探讨实时定量PCR检测急性早幼粒细胞白血病(APL)PML/RARα融合基因表达水平的意义。方法用扩增培养的NB4细胞的PML/RARα融合基因进行梯度稀释作为标准品,ABL作为内参,建立标准曲线。采用Taq Man法进行实时定量PCR,并对方法的可靠性、可重复性及灵敏性进行测定。对14例APL患者在初治、诱导缓解及巩固治疗3个时期的PML/RARαmRNA转录本水平进行动态定量监测,结果以NQ表示,NQ=PML/RARαmRNA的拷贝数/ABL mRNA的拷贝数×105。结果实时定量PCR方法可以检测出1×10-5μg NB4细胞cDNA中PML/RARα的融合基因,其重复性和稳定性Ct值变异系数分别为1.77%和2.11%。14例患者初治时骨髓PML/RARα融合基因平均水平为3 731,经全反式维甲酸、三氧化二砷双诱导缓解时PML/RARα融合基因平均水平为231,化疗与维甲酸序贯巩固治疗2个疗程后PML/RARα融合基因平均水平为116。治疗前后比较,PML/RARα基因转录本水平明显下降(P<0.05)。结论实时定量PCR检测PML/RARα融合基因表达敏感性好、特异性高、重复性好,可用于急性早幼粒细胞的诊断和微小残留病的检测。

急性白血病并发侵袭性真菌感染的易感因素分析

目的研究急性白血病(AL)患者侵袭性真菌感染的易感因素、菌种、感染部位和防治措施。方法回顾性调查683例AL患者真菌感染的易感因素、菌种和感染部位,并进行评估及统计学分析。结果AL患者真菌感染率较高;单因素分析显示易感因素与患者年龄、住院天数、中性粒细胞数、血红蛋白数、血浆白蛋白、广谱抗生素使用时间、化疗药物使用时间、激素使用、侵入性操作具有相关性。Logistic回归分析显示只有中性粒细胞数、广谱抗生素联合使用时间、激素使用、侵入性操作是并发侵袭性真菌感染的预测因素。感染部位以呼吸道最常见,致病菌以白色念珠菌为主。结论AL患者易发生真菌感染,积极控制易感因素是预防真菌感染的关键措施。

非霍奇金淋巴瘤患者外周血及骨髓中免疫球蛋白、T细胞受体基因重排检测的意义

目的探讨非霍奇金淋巴瘤(NHL)患者骨髓及外周血中免疫球蛋白(Ig)、T细胞受体(TCR)基因单克隆重排检测的临床意义。方法以BIOMED-2引物系统及多重PCR方法对60例NHL患者骨髓或外周血标本进行Ig及TCR基因重排检测。结果 B细胞NHL中,39.02%检出Ig基因单克隆重排,T细胞NHL中36.84%检出TCR基因单克隆重排;14例早期与46例晚期患者的Ig和(或)TCR基因单克隆重排阳性率分别为28.57%和41.3%;11例低变恶性患者和49例中、高度恶性患者的Ig和(或)TCR基因单克隆重排阳性率分别为36.36%和38.78%;以上两者间比较差异均无统计学意义(P均>0.05)。53例NHL患者骨髓涂片检测骨髓侵犯阳性率为13.21%,明显低于骨髓基因重排检测阳性率(43.40%),两者比较差异有统计学意义(P<0.05)。结论骨髓及外周血Ig及TCR基因重排PCR检测有助于早期发现骨髓侵犯及MRD。

低温共烧陶瓷片式微波谐振器的研究

介绍了低温共烧陶瓷片式微波谐振器的工艺过程、结构以及结构对谐振器参数的影响 ,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙在同一层内实现 ,这种新结构既可给制备工艺带来方便 ,又可减少工艺所带来的误差 .用多层陶瓷工艺技术、高介电常数和低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为 1.8GHz、有载品质因数大于 2 0 0的试验单端口多层微波谐振器 .微波谐振器的体积小 ,整个谐振器的尺寸为 5mm× 2mm× 1mm ,适用于表面贴装技术 .

低温共烧片式陶瓷微波带通滤波器

介绍了低温共烧片式陶瓷滤波器的工艺过程,用耦合带状线实现谐振单元设计带通滤波器的方法,通过多层陶瓷工艺,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率1GHz的微波带通滤波器,带通滤波器的体积小,整个滤波器的尺寸为5.8mm×3.6mm×1.6mm,适用于表面贴装技术。

硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。

CaF_2掺杂对α-BZN陶瓷结构与介电性能的影响

采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7-yFy(0.00≤x≤0.20,以下简称BZN-x)陶瓷样品,研究了Ca2+、F-共掺杂对BZN-x陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响。结果表明:BZN-x陶瓷样品的最佳烧结温度为1 020℃,CaF2在α-BZN中的固溶度是0.05,伴随着CaF2掺杂量的增加,介电常数逐渐减小,而介电损耗先减小然后又微弱增加(测试频率为1 MHz时)。通过介电损耗、电阻率的变化确认了CaF2掺入α-BZN后的缺陷补偿方式,同时也证实随着掺杂量的增加,介电常数峰值温度向低温移动与缺陷补偿方式有关。

A位掺杂Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_7陶瓷结构与介电性能

采用固相反应制备Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7基陶瓷,并借助X射线、扫描电镜和Agilent4284测试仪研究A位Y3+、Er3+、Sb3+替代对Bi2(Zn1/3Nb2/3)O7陶瓷结构、烧结温度和性能的影响。研究结果表明:当替代量x≤0.4时,样品均保持单一的单斜焦绿石相结构;Y3+离子替代的样品在960℃致密成瓷,Sb3+离子替代的样品在1000℃致密成瓷,Er3+离子替代的样品在1050℃可以致密成瓷;Y3+、Er3+替代样品的介电常数温度系数先增大后减小;Sb3+替代样品的介电常数温度系数由286.8421×10-6急剧减小到-171×10-6。因此,选择合适的离子替代可以获得性能很好的NPO介质材料。

低温共烧片式微波陶瓷介质谐振器

作者利用低温烧结Bi基高介电常数微波介质陶瓷,采用LTCC工艺技术实现片式多层微波谐振器.采用基于集总参数LC结构实现的片式多层微波谐振器Q值比较小,在1GHz时仅29.基于平面带状线实现的片式多层微波谐振器,采用间隙耦合电容结构实现和外电路的耦合,通过间隙耦合电容在同一层实现输入端和谐振单元,结构简单,工艺误差小.谐振器在1.8GHz时Q值比达225.作者还讨论了耦合间隙和引线长度对谐振器性能的影响.

片式多层陶瓷微波谐振器

介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。

低介Ba(Al_(0.98)Co_(0.02))_(2)Si_(2)O_(8)-Ba_(5)Si_(8)O_(21)基LTCC微波介质陶瓷的研究

采用传统固相反应法,按摩尔比合成0.7Ba(Al0.98Co0.02)2Si2O8?0.3Ba5Si8O21(BACSBS)基陶瓷,分析Li2O-B2O3(1wt%)(L-B)烧结助剂对其烧结特性、相组成和微波介电性能的影响,探讨0.7BACS-0.3BS+1wt%(L-B)陶瓷理论与实验介电常数(εr)的差异。结果表明:添加1wt%(L-B)烧结助剂能有效降低0.7BACS-0.3BS基陶瓷的烧结温度(950℃),但严重影响其微波介电性能;在950℃烧结的0.7Ba(Al0.98Co0.02)2Si2O8-0.3Ba5Si8O21+1wt%(Li2O-B2O3)陶瓷具有较好的微波介电性能,其εr=7.56,Q×f=13976 GHz,τf=?6.32 ppm/℃;0.7BACS-0.3BS+1wt%(L-B)复合陶瓷与Ag电极有很好的化学相容性,这为其在LTCC技术的应用奠定了良好的基础。

铅掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了未掺杂和掺铅的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明:随着铅的加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸增大;在同一频率下,介电常数呈增大趋势。在测试频率低于50kHz时,介电常数和介电损耗急剧降低。

PZN－PT－BT铁电陶瓷反应动力学

本文用高温ＸＲＤ研究了ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ系铁电陶瓷在相界附近化学反应过程及反应动力学，研究结果表明该系材料首先生成焦绿石相，提高烧洁温度和延长烧结时间，可形成钙钛矿结构，但仍有少量焦绿石相。

Ti^(4+)掺杂对α-BZN结构与介电性能的影响

采用固相反应法制备Bi1.5ZnNb1.5-xTixO7(0≤x≤0.2,BZNT)陶瓷,研究了Ti4+替代Nb5+对Bi1.5Zn-Nb1.5O7陶瓷显微结构、介电性能和结晶化学特性的影响。结果表明:替代量x≤0.15 mol时,样品为单一的α-BZN相;陶瓷样品在960℃表现出最佳烧结特性,随着Ti4+替代量增加,晶格常数减小;结晶化学参数键价和AV(O')[Bi4]、AV(O')[Bi3Zn]、AV(O')[Bi2Zn2]、AV(O')[Ti3Zn]均增大,且该行为与其晶格常数、介电性能变化相吻合。

Ba_(1-x)Bi_x(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3陶瓷的介电弛豫特征

采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)陶瓷,X射线衍射分析表明所有样品均是四方晶体结构,3%mol的Bi3+能够完全溶入钙钛矿晶格中。不同频率下Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电温谱显示所有样品均表现出弥散相变的特征,在x≥0.02的三组样品又表现出弛豫铁电体的特征。通过纳米极性微区和畴壁探讨了弛豫现象产生的机理。

掺杂氧位Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7陶瓷结晶化学与介电性能

用F-替代氧离子O2-,采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7(0.00≤x≤0.30,简称C-x)、Bi1.5-x CaxZnNb1.5O7-yFy(0.00≤x≤0.20,简称CF-x)陶瓷样品,研究F-添加的缺陷补偿形式、替代位置,以及对Ca2+掺杂的Bi1.5ZnNb1.5O7(简称α-BZN)陶瓷的相结构、结晶化学和介电性能的影响。结果表明:F-的引入降低了Ca2+在α-BZN陶瓷的固溶度,替代八面体BO6的氧位;在等量Ca2+掺杂的情况下,引入F-进入体系后,样品的介电常数减小,介电损耗下降,这与F-引入α-BZN陶瓷后,四面体A4O'键价和比Ca2+单独掺杂时高一致;F-替代导致介电峰值温度均向高温移动,这可能与F-的添加导致激活能增加有关。

BCZT陶瓷的Nd^(3+)掺杂机制与介电性能研究

采用固相合成法制备了(Ba_(0.92-x)Ca_(0.08)Nd_x)(Ti_(0.82)Zr_(0.18))O_3(0≤x≤0.02)陶瓷样品,借助XRD、LCR等手段对该陶瓷的结构和介电性能进行了研究。结果表明:当x=0.015时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP软件模拟计算并结合实验数据分析可知:随着Nd^(3+)浓度增加,Ti^(4+)空位补偿机制优先发生,可能伴有少量自我补偿。增大Nd^(3+)掺杂量,介电常数与介电损耗均呈现下降趋势,介电峰值扩展并向低温移动。随着Nd^(3+)掺杂量增加,陶瓷样品呈现弛豫型铁电体特征,这与偏离平衡位置Nd^(3+)和缺陷偶极子[4Nd_(Ba)~·+V_(Ti)~″″]产生的无规场有关。

Co_2O_3掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷介电性能研究

采用固相反应法制备了Co2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Co2O3掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷相结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂Co2O3后Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷产生了第二相,随着Co2O3施主掺杂量的增加,抑制了第二相的产生,掺杂后的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷是具有弥散相变的铁电体,弥散程度随掺杂量的增加而增加,x=0.01时,矫顽场最大。

非化学计量比对PZN—PT系铁电陶瓷结构稳定性的影响

本文研究了非化学计量比对ＰＺＮ—ＰＴ—ＢＴ铁电陶瓷结构稳定性的影响，结果表明，过量Ｚｎ２＋及过量Ｂａ２＋均对ＰＺＮ—ＰＺ—ＢＴ结构稳定性有利，但Ｂａ２＋过量超过一定量时，结构稳定性有下降趋势．