原子吸收限附近Laue情况的摇摆曲线

在Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）对称Ｌａｕｅ情况的衍射波和透射波的摇摆曲线。

仅由原子散射因子虚部引起的布拉格情况的衍射特征

本文给出任意厚度平板晶体布拉格情况的Ｘ射线动力学衍射通式，并以之详细研究原子散射因子实部为零时晶体对Ｘ射线的衍射特征。

GaAs中Ga的反常散射因数的测定

讨论了利用Bijvoet对积分反射强度(以下略称为反射强度)测定GaAs中Ga原子在其K吸收限附近的反常散射因数的几种方法,并用±(333)及±(555)面的反射强度较好地求得了f’_(Ga)及f"_(Ga).

偏光因子与Pendellosung条纹

本文用完整晶体的动力学理论讨论了 Pendell sung 条纹的形成条件。以 Si、Ge 为试样用同步辐射光源,模拟出了偏光因子剧烈变化条件下容易产生 Pendell sung 条纹的参数,并依照这些参数在同步辐射上最先观测到这一由偏光因子的变化而形成的新型的 Pendell sung条纹。

测定f″_(Ga)的有效反常散射因数法

本文讨论用GaAs的有效反常散射因数来测定Ga在其K吸收限附近的f的方法,并用两组Bijvoet对的积分反射强度较好地求得了f。

原子吸收限附近Bragg情况的衍射波和透射波的观测

在Ｇａ的Ｋ吸收限附近的强反常散射条件下，测定了ＧａＡｓ（６００）对称Ｂｒａｇｇ情况的衍射波和透射波的摇摆曲线，并将其和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果作了比较。

测定异常散射因数的强度比法

本文对测定异常散射因数的强度比法做了考察,并用这种方法较好地测定了GaAs中Ga原子在其K吸收限附近的异常散射因数,对该方法在使用中遇到的问题,进行了处理和讨论。

由透射波的摇摆曲线求GaAs中Ga的反常散射因数

利用同步辐射光，在对称Ｌａｕｅ情况下，于Ｇａ的Ｋ吸收限附近，测定了ＧａＡｓ（２００）的衍射波和透射波的摇摆曲线．通过测定的透射波的摇摆曲线和Ｘ射线衍射动力学理论的相应计算结果的定量比较。

测定温度因子的共振X射线动力学衍射法

提出了一种测定双原子晶体中不同原子温度因子的新方法．利用原子吸收限附近完整晶体共振Ｘ射线动力学衍射的特征，得到了关于温度因子的两个方程．方程中的参数可以由实验和理论计算得到，求解这两个方程便可分别求出两种原子的温度因子．将该方法应用于ＧａＡｓ完整晶体，３００Ｋ时，ＢＧａ＝０．４５７３×１０－２０ｍ２，ＢＡｓ＝０．７３３９×１０－２０ｍ２．该方法可以推广到多原子化合物晶体情形．

吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

利用同步辐射光源，在Ｇａ和Ａｓ的Ｋ吸收限之间调节入射Ｘ射线的能量时，在对称劳厄情况下，ＧａＡｓ的（２００）衍射峰附近可观测到从ＧａＡｓ的入射面出射的Ｇａ的Ｋ系荧光Ｘ射线．当入射Ｘ射线的能量改变时，荧光曲线的非对称性会发生变化，变化趋势与相应的对称布喇格情况相类似．但是，劳厄情况下的变化不能解释为晶体内部Ｘ射线驻波的波节面相对于ＧａＡｓ（２００）格子面的移动．在劳厄情况下，Ｘ射线驻波的振幅随入射角的变化与结构因子的相位密切相关，因此结构因子的相位变化也会导致荧光曲线的非对称性变化．在假设原子的荧光溢出与该原子所在位置的电场强度成正比的基础上，给出了计算完整晶体在劳厄情况下荧光溢出的公式．