电致变色材料及器件的研究进展

电致变色材料被认为是目前最有应用前景的智能材料之一,在过去几十年里被广泛研究,相关的电致变色器件也已经上市。本文在总结了各种电致变色材料的变色机理及其成膜方法(重点介绍了本实验室采用射频溅射制备的WO3膜和NiOx膜)的基础上,研究了材料的应用及器件的组装,并对器件组装中所需要的部分其它关键材料进行了介绍。最后对未来电致变色材料及其应用进行了展望。

基于WO3/NiOx膜系的固态电致变色器件研究

氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO3和NiOx薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能.

Ba^(2+)对YVO_4∶Dy^(3+)荧光粉发光性能的影响

用化学共沉淀法制备了Y0.99-xBaxVO4∶1%Dy3+荧光粉,研究了Ba2+浓度(0≤x≤0.25)及电荷补偿剂K+对荧光粉发光强度的影响。结果表明:在315 nm紫外光激发下,随Ba2+浓度的增加,Y0.99-xBaxVO4∶1%Dy3+荧光粉发光强度呈现先增加后降低的趋势,在x=0.1处达最大值,与未添加Ba2+的荧光粉相比发光强度提高约50%,但色坐标变化不明显,色温在5200 K左右,为光色柔和的暖白光。电荷补偿剂K+的添加使Y0.99-xBaxVO4∶1%Dy3+荧光粉在Y0.99-xBaxKxVO4∶1%Dy3+荧光粉发光强度的基础上明显提高,色坐标及色温变化不明显。

由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn_2O_4透明导电薄膜光带隙的影响

在Ar+O2 气氛 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 (CIO)薄膜 .通过对不同衬底温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现 ,随着衬底温度的降低 ,载流子浓度呈上升趋势 ,而吸收边呈现先是“蓝移”然后“红移”的现象 .从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响 ,这些影响主要体现在带尾的形成 ,Burstein Moss(B M)漂移和带隙收缩 .另外 ,衬底温度的变化将对薄膜的迁移率有重要影响 .对于CIO薄膜 ,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重要影响并将直接影响到薄膜的光透性 .由于存在吸收带尾 ,利用传统的“外推法”获得薄膜的光带隙并不适合简并半导体 ,而应使用更为准确的“拟合法” .

n型透明导电薄膜CdIn_2O_4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 .制得的薄膜经x射线衍射 (XRD)检测为CdIn2 O4 和CdO相组成的多晶 .从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用 .同时 ,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系 ,特别强调了弛豫时间的重要性 .为了提高导电膜的透射率 ,还分析了Burstein Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响 ,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度Ts≈ 2 80℃ .实验表明 ,在氧分压为 8%左右时制备的薄膜质量较好 ,热处理后的指标大约为迁移率 μH =31× 10 - 4m2 V·s ,电阻率 ρ =1 89× 10 - 5Ω·m .

乐撰对联助耕耘

多年来，我一直在审视自己，总结自己，尝试凭借着自己在传统诗词方面的一点兴趣，来给古板的语文教学增添一股新鲜活力，以适应新课标的需要，以诗激趣，以诗统文，以诗导学，以诗传情，多角度提高学生的语文素质。而在具体教学过程中，往往是诗词曲联多管齐下，让学生在浓郁的文学氛围中，轻松愉快地接受素质教育，收到良好的教学效果。