农民合作社固定资产减少的账务处理

农民合作社将不适用或不需用的固定资产对外出售、捐赠,或因磨损、技术进步等因素对固定资产进行报废,或因遭受自然灾害及其他情形导致固定资产的减少,需及时进行账务处理。具体包括固定资产的出售、捐赠、报废或毁损、对外投资、固定资产盘亏等。笔者结合实际工作,对相关业务进行举例说明。

热释电非制冷红外焦平面探测器热绝缘结构

热释电非制冷红外探测器由于具有可靠性高、成本低、无需制冷等优点,使其得到了广泛应用。在热释电探测器中,热绝缘结构具有红外热转换、机械支撑和热隔离等作用。良好的热绝缘结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。采用半导体光刻技术和牺牲层技术,在硅基底上制备了由牺牲层和Si3N4薄膜组成的微桥结构,该方法使探测器的微桥结构的制备与半导体工艺相兼容,并通过优化工艺参数,提高了微桥结构的机械强度,减小了热导,解决了制备热绝缘结构的关键技术,制备了像元中心距为50μm、填充因子为40%～60%、耐受温度≥500℃的320×240微桥列阵,该结构为制备高性能非制冷焦平面探测器奠定了基础。

非制冷焦平面探测器牺牲层制备工艺研究

研究了牺牲层制备的工艺过程。通过对牺牲层材料选择、牺牲层图形化及牺牲层固化等工艺技术的研究,获得了图形质量较好的牺牲层样品。建立了优化的牺牲层制备工艺制度,为探测器的后续研究奠定了基础。

基于模型法的大豆抗倒伏评价方法研究

为了创新大豆抗倒伏鉴定方法,为简单、快速鉴定大豆机械化生产中的抗倒伏性提供理论基础和技术支持,本研究以黑龙江省不同生态区主栽的大豆品种为材料,以大豆花期、结荚期和鼓粒期的茎秆强度、株高、地上部鲜重、地上部干重、地下部鲜重、地下部干重、植株含水量为指标,设计6种多因子抗倒指数,通过相关性分析探讨大豆抗倒伏最佳鉴定时期及抗倒指数,并利用通径系数分析各指标对最佳抗倒指数的贡献大小。结果表明:结荚期检测多因子抗倒指数1A[茎秆强度/(株高×地上部鲜重)×100]为简单、快速鉴定大豆抗倒伏的最佳技术模型,抗倒指数1A为0.02以上的材料均表现出很强的抗倒伏能力。通径系数分析表明对大豆抗倒伏性贡献最大的因子为茎秆强度(r=0.831^(**)),而对大豆易倒伏贡献较大的因子为株高(r=-0.644^(**))和地上部鲜重(r=-0.627^(**))。无论从相关程度还是相对效果来看,茎秆强度对抗倒指数的影响作用都极为明显,正向直接效应最大(P1→y=0.652)。研究确立了快捷评价大豆抗倒伏性的技术模型:在大豆结荚期检测抗倒指数1A[茎秆强度/(株高×地上部鲜重)×100]。抗材倒指数1A>0.02的材料抗倒伏能力较强,茎秆强度对抗倒指数影响作用极大。

推进黑龙江省农民合作社高质量发展的思考

2021年5月,笔者所在的调研组实地深入哈尔滨、齐齐哈尔、牡丹江、佳木斯4个地区,面向162家农民合作社开展了专题调研。调研采用问卷调查与典型案例相结合的方式,着重围绕农民合作社的创办主体、运营模式、出资构成、利润及盈余分配、民主管理与决策、市场营销、发展目标及希望获得的政策扶持等方面展开,并据此提出推动黑龙江省农民合作社高质量发展的对策和建议。

CdS紫外探测器芯片的制备研究

针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了 Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表明:Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3~0.5 μm下响应率大于0.2A/W,对3~5 μm红外波长的平均透过率大于80%,很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求。

大豆绥农10号的亲本谱系分析与育种利用

绥农10号是以绥农4号为母本,铁7518为父本,经有性杂交育成的优良品种,具有高产优质、抗病、适应性好等突出特点,深受农民的欢迎。为明确绥农10号在改良创新过程中作为重要亲本的作用,本研究追溯品种亲本系谱来源,分析亲本系谱组成与遗传贡献率。结果表明:绥农10号的细胞质传递过程为四粒黄→黄宝珠→满仓金→绥农3号→绥农4号→绥农10号。绥农10号的细胞核来源较为广泛,为拓宽遗传基础奠定了基础,主要来源于四粒黄、金元、小粒黄、白眉、克山四粒荚、东农育成品系、小金黄、铁荚四粒黄、嘟噜豆、熊岳小粒黄等祖先亲本,其细胞核遗传贡献率分别为8.60%、5.47%、15.63%、4.69%、6.25%、3.13%、6.25%、6.25%和6.25%。以绥农10号作为种质资源直接或间接育成品种51个,其中作为母本育成品种22个,作为父本育成品种8个,间接利用育成品种21个。由此可见绥农10号既是优良品种又是大豆种质改良创新的重要优异资源。

氮肥减施对高蛋白大豆产量与品质的影响

本研究以牡豆52大豆品种为供试材料,在秸秆还田的基础上,设计2种氮肥减量施用处理,研究氮肥减施对高蛋白大豆植株性状、产量及其构成因素、品质的影响。结果表明,与常规施肥(CK)相比,本试验条件下氮肥减少78%(J1)和50%(J2)处理的大豆株高和主茎节数均减少;氮肥减施处理的产量因单株有效荚数和荚粒数增加而增加,且J1处理的产量高于J2;氮肥减施处理对大豆蛋白质和脂肪含量无明显影响。因此,在黑龙江省第2积温带地区,高蛋白大豆每公顷化肥用量为磷酸二铵150 kg、氯化钾50 kg、尿素20 kg,配合磷酸二氢钾1.5 kg作叶面肥,可实现化肥减施增效。

非晶态碲化汞薄膜的光电特性研究

利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞(HgTe)薄膜材料,以He-Ne激光器(hv=1.96 eV,λ=632.8 nm)作为激励光源,在80～300 K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电导σp以及光敏性σp/σd的特性,分析了载流子的导电和复合机制。实验发现,在80～300 K温度范围内,非晶态HgTe薄膜的暗电导和稳定态光电导均具有热激活特性。暗电导存在2个温区:在低温区(80 K≤T≤180 K),激活能约15 meV;在高温区(180 K<T≤300 K),激活能约400 meV。稳定态光电导则存在明显的3个温区:(1)当80 K≤T≤180 K时,光电导具有弱的热激活特性(激活能约20 meV);(2)当180 K<T≤280 K时,光电导具有强烈的热激活特性(激活能约120 meV);(3)当T>280 K时,光电导出现"热淬灭"效应。在温度约280 K时,光电导具有最大值,而光敏性则在约180 K时具有最大值。非晶态HgTe薄膜中存在两种导电机制:定域态电导和扩展态电导,180 K两种导电机制的温度分界点。研究结果表明,非晶态HgTe薄膜很适合制备高工作温度(约180 K)红外探测器。

氧化钒非制冷红外焦平面探测器芯片工艺研究

非制冷红外探测器具有成本低廉、无需制冷等优异特点,在红外探测和红外成像领域占有极其重要的地位。从氧化钒非制冷焦平面探测器的牺牲层、支撑层、氧化钒等制备工艺进行了研究,为国内非制冷焦平面探测器工程化研究奠定了坚实的技术基础。

基于InPb合金的非制冷焦平面探测器窗口低温焊接工艺研究

研究了采用纯度为99.9%的In70Pb30合金作为焊料片的低温焊接技术,分析了焊接时候的影响因素:焊料片的影响、升温速率、焊接温度、真空度,通过采用甲酸对焊料片预处理去除氧化层,在215℃、5×10^(-7) torr的真空环境下进行了焊接,焊接后的样品采用X-ray、拉力测试系统、检漏仪测试了样品的孔洞率、焊接强度、漏率,结果表明:焊接后焊接区域合金均匀、无缝隙、孔洞率少、剪切力高、气密性好,能够满足非制冷焦平面的窗口封接的气密性要求。

紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究

介绍了叠层紫外/红外双色探测器结构特点、工作原理及选择CdS晶体材料制作紫外探测器光敏元的理论依据。阐述了CdS晶片制备及表面抛光质量的重要性和必要性。针对磨抛工艺对CdS紫外探测器性能的影响进行了研究。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜、红外透过率和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和CdS晶片厚度与红外透过率的关系曲线及CdS晶片厚度与振动噪声的关系。通过理论和实践的结合,确定了最佳抛光材料及最佳晶片厚度,研制出了完全能满足紫外探测器工艺要求的CdS探测器晶片。

单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极用于线性伏安法测定辛硫磷

将单壁碳纳米管(SWCNTs)悬浊液和纳米金(nano Au)溶液混匀后滴涂在玻碳电极表面,自然干燥后再将离子液体BMIMPF6的甲醇溶液滴涂在上述电极上,制得单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极(SWCNTs-nano Au-BMIMPF6/GCE)。用循环伏安方法研究了辛硫磷在pH 4.0的磷酸盐支持电解质中,在电位-1.1～-0.1V(vs.SCE)范围内,在修饰电极上的电化学行为。结果表明:在电位-0.81V处可见明显的还原峰,且其峰电流与辛硫磷的浓度在6.0×10-7～1.2×10-3 mmol.L-1范围内呈线性关系,检出限(3S/N)为3.0×10-7 mmol.L-1。据此提出了用线性伏安法测定辛硫磷的方法,用标准加入法测得其回收率在96.0%～105.5%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在3.3%～3.9%之间。

基于探测距离的军用红外探测器分类

介绍了在引入地球半径的理想条件下计算红外探测器最大探测距离(L)的方法。指出最大探测距离与探测器所在位置的高度以及点源目标的高度密切相关。根据探测距离的量值,可以将军用红外探测器分为3类:第Ⅰ类,探测距离L<50km;第Ⅱ类,50km≤L<500 km;第Ⅲ类,500km≤L<1500km。

新型Sb基二类超晶格红外探测器

InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能。因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4μm的nBn结构的中波红外探测器,在没有蒸镀抗反膜的条件下,77 K温度下测试得到的峰值探测率为2.4×1011cm Hz1/2W-1,计算得到的量子效率为47.8%,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能。研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能。

基于目标/系统特征设计雪崩光电二极管增益

以即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器的早期预警为应用背景,介绍了理想条件下从PGS投射到探测器上光子数的估算方法。给出了基于探测器量子效率的光生电荷数的计算方法。讨论了PGS辐射特征和运动特征、光生电荷数以及可检测电流阈值对于APD增益设计的影响。

量子点红外探测器及焦平面阵列的研究进展

量子点红外探测器(QDIP)理论上具有对垂直入射光敏感、暗电流小、载流子寿命长、工作温度和响应率高等优势。目前,研究主要集中在普通量子点红外探测器、阱中点红外探测器(DWELL-QDIP)、隧穿量子点红外探测器(T-QDIP)、Si/Ge量子点红外探测器、二维小孔阵列红外探测器(2DHA-QDIP),国外报道了640×512量子点红外焦平面阵列的热成像,但现有的QDIP还未充分显现出其潜在优势。阐述了正在研究的几种QDIP和未来技术发展的趋势。

基于转录组测序的大豆体细胞胚诱导关键基因及代谢途径分析

大豆体细胞胚诱导再生途径是大豆再生体系的重要途径之一,为了挖掘大豆体细胞胚诱导下多个发育阶段不同部位的差异表达基因,进而分析其与诱导率相关的生物学过程,本研究以大豆品种黑农84幼胚子叶诱导体细胞胚产生过程中3个不同阶段(0,15,30 d)的外植体为材料,对幼胚子叶的近轴面、远轴面及体细胞胚进行转录组测序。测序获得大豆体细胞胚诱导相关的差异表达基因(DEGs)。根据GO和KEGG筛选和富集各阶段的差异基因,挖掘体细胞胚诱导相关的重要基因,分析主要生物代谢通路(Pathway)并绘制显著性Pathway的作用网络,进而分析细胞胚诱导发育过程中的主要代谢通路。结果表明:体细胞胚诱导发育3个阶段的4个比较组中共同上调或下调表达的DEGs有19个,3个比较组中共同上调或下调表达的DEGs有142个,体细胞胚诱导发育3个阶段的DEGs主要集中在激素诱导、光合作用、氧化还原、转录调控和信号传导等生物学过程。合成代谢途径的富集分析发现DEGs主要富集于代谢途径、次生代谢产物的生物合成、植物激素信号转导、核糖体、光合作用途径等生物代谢合成通路。代谢通路互作关系分析表明基础代谢途径处于体细胞胚诱导发育的核心位置。

大豆抗炸荚性高效评价方法研究

为了创新高效的大豆抗炸荚鉴定方法,适应大豆机械化生产发展趋势,本研究以黑龙江省不同生态区主栽的大豆品种为材料,以大豆结荚初期、中期和后期的大豆豆荚直线长、豆荚曲线长、荚宽、豆荚厚度、荚皮厚度、豆荚鲜重、豆荚干重为指标,建立6种类型抗炸荚评价指数,通过相关性分析获得大豆抗炸荚最佳鉴定时期及鉴定模型,并利用通径系数分析各指标对鉴定模型的贡献大小,比较得出最高效的大豆抗炸荚性鉴定方法。结果表明:鼓粒中期的多因子抗炸荚指数D[豆荚含水量×(豆荚直线长/豆荚曲线长)]与田间实际炸荚率的相关性最为密切(r=-0.911**),炸荚指数为0.822,以上材料均表现出很强的抗炸荚能力。通径系数分析表明对大豆抗炸荚性贡献最大的因子为豆荚含水量(r=0.978**),其次为豆荚直线长(r=0.878**),而对大豆易炸荚贡献最大因子为豆荚曲线长(r=-0.676**)。综合来看,含水量对抗炸荚指数的影响最为明显,正向直接效应最大(X1→y=0.470)。鼓粒中期的多因子抗炸荚指数D为高效抗炸荚大豆种质鉴定的最佳技术模型。

黑龙江省农村贫困地区“众筹扶贫”模式研究

针对我国农村贫困地区的特点,寻求一种能够打破地域界限,突破扶贫瓶颈,探索可复制、可推广性的脱贫模式是当前扶贫工作的重要研究课题。黑龙江省农村贫困地区实施的“众筹扶贫”模式成效显著,对引领我国乡村振兴、精准扶贫和全面建成小康社会具有深远意义。通过从黑龙江省农村贫困地区扶贫模式入手,全面阐述“众筹扶贫”模式的理论与实践。在此基础上,通过深入分析实施“众筹扶贫”模式的可行性与存在的问题,提出“众筹扶贫”模式的路径。