Si/SiO_2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布

对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。

MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性

通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.

MOSFET的热载流子损伤及其退火

对国内常规54HC工艺制作的PMOSFET进行了F-N热载流子注入损伤实验,研究了MOSFET跨导、阈电压等参数随热载流子注入的退化规律,特别是从微观氧化物电荷和界面态变化对阈电压影响角度,对国内外较少见报道的MOSFET热载流子损伤在室温和高温(100°C)下的退火特性进行了研究,并从该角度探讨了MOSFET热载流子注入产生氧化物电荷和界面态的特性。

电子元器件总剂量辐照在线测试系统及其应用

本文对一种由计算机自动控制并进行数据采集的电子元器件总剂量辐照现场测试系统进行了描述，并通过应用该系统对ＣＭＯＳ数字电路ＣＣ４０６９进行与总剂量辐射同步的电参数在线测量，以及辐照后退火数据的快速采集，研究了ＣＭＯＳ数字电路总剂量辐照在线辐照响应特性和辐照后快速时间退火效应。

试论高等体育教育中教学方法的改革

教学方法改革的目标是培养知识、能力、素质全面发展的人才 ,改革的关键是充分调动学生的积极性和主动性 ,使他们具有获取知识 ,运用知识 ,创造知识的能力。深化教学改革 ,要进一步更新教育思想和教育观念 ,加强教学方法改革的研究 。

MOS结构热载流子注入感生界面态及其退火特性

本文对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入—室温退火—再次热电子注入—再次退火试验,并利用高频C-V及准静态C-V分析技术,从微观界面态热电子注入的感生及室温退火等角度研究了MOS结构热载子损伤及退火特性,为全面揭示SHE热载子损伤机制及发展抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础。

注氟加固PMOSFET的电离辐射响应与时间退火效应

研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加，使得电路在电高辐照后继续损伤，探讨了加速MOS器件电离辐照感生界面态生长的方法。

MOS电容的衬底热电子注入响应特性

为研究抗热载于损伤的加固技术，对国产Ｎ型ＭＯＳ电容进行了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ衬底热电子高场注入（ＳＨＥ），并利用高频Ｃ－ＶＲ准静态Ｃ－Ｖ分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了ＭＯＳ结构热载子损伤的特性和机理。

体育教练员继续教育的设计与实践

回顾了我国体育教练员继续教育的历史 ,分析了我国体育教练员岗位培训的成绩 ,提出体育院校是体育教练员接受继续教育的基地的观点 。

工艺条件对双极晶体管低剂量率辐射损伤增强效应的影响

对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同以及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下进行辐射效应和退火特性研究。结果表明:晶体管类型不同,对高低剂量率的辐照响应也相异;不同发射极面积的NPN管的结果显示,发射极面积越小,损伤越大;不同掺杂浓度的LPNP管的结果则表明,轻掺杂的发射极比重掺杂的具有更高的辐射敏感性。对各种实验现象的损伤机理进行了较详细的分析。

双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法

介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。

MOSFET的电离辐照效应

本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的沟道种类无关.另外,漏源电压对MOSFET的辐照响应也有影响.统计数据表明,对管子阈电压漂移有贡献的界面态的能级范围大约为 E_s/2.对实验结果进行了讨论.

运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应

对几种不同类型(TTL,CMOS,JFET Bi,MOS Bi)的典型星用运算放大器在不同剂量率(100,10,1及0.01rad(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究.结果显示不同类型运放电路的辐照响应有明显差异:双极运放电路辐照剂量率越小,其损伤越大;CMOS运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系,但不同剂量率辐照损伤的差异,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除,本质上仍然是与时间相关的效应;JFET输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在,且辐照后还有明显的“后损伤”现象;PMOS输入运放的结果则表明,各辐照剂量率间的损伤无明显区别.

CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究

对TCD1209线阵CCD进行能量为1.1MeV的电子辐照试验,采用两种不同的注量率辐照后,对器件进行常温退火试验,在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律。结果表明,CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤,在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。

线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估

利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了^(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退火特性研究。同时,探讨了运算放大器电离辐射损伤水平的评估方法和损伤机制。

注F MOS电容的电离辐射效应

对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10^(14)—2×10^(16)F/cm^2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。

以顺铂为基础的联合化疗治疗头颈部肿瘤继发糖尿病的临床观察

目的探讨顺铂(DDP)为基础的化学药物治疗(化疗)与头颈部恶性肿瘤发生糖尿病的关系。方法采用回顾性研究方法对144例以DDP化疗的头颈部恶性肿瘤的空腹血糖进行分析。结果排除化疗前6例糖尿病(DM),138例患者参加分析。其中9例(6.5%)患者在化疗期间继发DM,2例患者化疗前空腹血糖受损(IFG),7例患者化疗前空腹血糖正常;7例(5.1%)化疗前IFG的患者中,除2例在化疗期间演变为DM外,5例仍保持IFG状态;化疗期间出现IFG 10例。9例继发DM的患者化疗前后的平均血糖值分别为(5.45±0.59)和(11.44±4.52)mmol.L-1,化疗期间空腹血糖水平明显高于化疗前(P<0.01)。继发DM时的中位DDP累积剂量为320 mg.(m2)-1,中位周期数为4周期。结论常规剂量的DDP治疗头颈部恶性肿瘤可诱发DM的发生,化疗期间应密切监控血糖变化。

注F CC4007电路的电离辐射效应

本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故．

一种国产GaAs/Ge太阳电池的总剂量辐照特性

对一种国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺制备的GaAs/Ge太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究,讨论和分析了电池电参数和光谱响应的衰降规律和原因并与常规硅太阳电池作了比较。实验结果表明,GaAs/Ge电池与常规Si电池相比,不但转换效率高而且其抗辐射能力也比Si电池好。另外,带有Al_xGa_(1-x)As窗口层的GaAs电池的辐射损伤机理与Si电池不同。

半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响

对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。总剂量为100 krad,辐照温度分别为25,70,100℃时,NPN三极管的电流增益倍数分别衰减了71,89和113,而NMOS晶体管的阈值电压VT分别减少了3.53,2.8,2.82 V。