电磁脉冲对半导体器件的电流模式破坏

利用时域有限差分（ＦＤＴＤ）方法，对电磁脉冲引起半导体器件的毁坏过程进行了数值模拟，得到了无负载半导体ｐｎ结器件在快前沿（ｎｓ量级）电磁脉冲作用下的瞬态行为。

二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。

硅二极管对高功率微波的非线性响应计算

考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素 ,利用自行研制的半导体器件模拟程序 m PND1 D,对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算 ,结果显示出硅二极管对微波信号响应的非线性。

延迟击穿半导体开关二极管最佳参数确定

分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明:上升时间对于面积和负载电阻均存在极小值,设计时面积和负载电阻应该选取该极值点对应的最佳值。n区长度存在最佳值,理论上应为器件加载在所需临界击穿电压值而且刚好处于穿通状态时的长度值;p+区和n+区的长度没有太大的影响,但应稍大于各自的穿通长度,浓度则尽量高;n区掺杂浓度越低越好,对激励源要求电流稍高于临界条件即可。

一维PN结二极管模拟程序mPND1 D

在高功率瞬态源激励下 ,半导体器件的行为可由一组由电子连续性方程、空穴连续性方程和泊松方程等组成的耦合、非线性、刚性偏微分方程来描述。绝大部分的器件模拟程序只适合于器件正常工作模拟。从研究器件的烧毁机理出发 ,自行研制了一套计算机模拟程序mPND1D ,并全面介绍了一这程序。

高功率微波激励下二极管失效和烧毁与载流子寿命的关系

利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mP ND1D ,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解 。

半导体PN结器件瞬态行为一维模拟

用时域有限差分（ Ｆ Ｄ Ｔ Ｄ） 方法对 Ｐ Ｎ 结器件所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组进行了数值计算，得到了半导体 Ｐ Ｎ 结器件的瞬态行为的一维模拟．

高功率微波与微波武器

介绍了高功率微波及微波武器-高功率微波弹的概念、基本原理及作用效能等，简述了研究微波武器对电子系统破坏机理的计算机模拟方法。

A Compact Ka-Band PHEMT MMIC Voltage Controlled Oscillator

A compact Ka-band monolithic microwave integrated circuit(MMIC) voltage controlled oscillator (VCO) with wide tuning range and high output power,which is based on GaAs PHEMT process,is presented.A method is introduced to reduce the chip size and to increase the bandwidth of operation.The procedure to design a MMIC VCO is also described here.The measured oscillating frequency of the MMIC VCO is 36±1.2GHz and the output power is 10±1dBm.The fabricated MMIC chip size is 1.3mm×1.0mm.

半导体器件-维模拟的耦合、非耦合及“混合”算法

文献[1]的继续，对文献中得出的差分方程组进行数值计算，讨论耦合、非耦合及混合算法，并给出计算结果．

半导体PN结器件一维稳态模拟

从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发，建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型，并编制了一维德态程序，瞬态程序及二维模型研究将随后开展。

TiAl合金铸件的热处理组织调控机制

TiAl合金铸态组织粗大,致使其铸件强度低、塑性差,必须通过热处理细化铸态组织。利用OM和SEM研究了Ti-47Al-2Cr-2Nb合金铸件不同热处理组织演变规律,优化制定了双态和近片层组织热处理工艺,实现了晶粒细化,揭示了细化机理。结果表明,1185℃/6 h/炉冷双态组织热处理和1185℃/6 h/炉冷+1330℃/0.25 h/炉冷近片层组织热处理可分别将铸态组织晶粒尺寸细化75.51%和40.21%。双态组织热处理晶粒细化机制是在片层团晶粒内部析出大量γ晶粒打断原始粗大的片层团晶粒,γ晶核在片层团晶粒内形核来源于Al元素偏析和γ片层连续粗化。近片层组织热处理晶粒细化机制是在α单相区短时保温时发生了γ→α转变,破坏了原始粗大的片层团晶粒。等轴γ晶粒对α晶粒长大有钉扎作用,使得冷却后形成的片层团晶粒尺寸较小。

硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。

超级奥氏体不锈钢904L在高温高浓度硫酸中腐蚀行为

采用动电位极化曲线和电化学阻抗谱（EIS）研究了超级奥氏体不锈钢904L在不同的高温高浓度硫酸中的腐蚀行为。结果表明：随着温度的升高,904L在浓度89 mass% H_2SO_4中耐蚀性逐渐降低,120℃时出现了负阻抗,由活化转为钝化;随着硫酸浓度的升高,904L在温度为60℃硫酸溶液中腐蚀速率先减小后增大,最后又减小,在浓度为60 mass%的硫酸溶液中出现极小值,在浓度为80 mass%硫酸溶液中出现极大值,在高浓度的硫酸溶液中904L更容易发生自钝化。

氮化处理对904L不锈钢组织和腐蚀行为的影响

为了探索提高904L超级奥氏体不锈钢(904LSS)强度同时又不明显降低其耐蚀性的有效方法,采用等离子渗氮及碳氮共渗(软氮化)两种方法氮化904L超级奥氏体不锈钢,并研究其氮化后的表面形貌、显微组织结构以及耐蚀性能。结果表明:经两种渗氮处理后试样表面硬度均有大幅度提高,其中等离子氮化后试样的表层硬度高于软氮化后试样的;渗氮层均由化合物层和扩散层两部分构成;两种渗氮处理后的904L氮化层由于CrN的析出导致耐蚀性有所下降,其中等离子渗氮后的904L耐蚀性下降较小,优于软氮化后试样的。

基于PCA-LDA-SVM的多普勒雷达车型识别算法

车辆检测和车型识别是智能交通系统(Intelligent transportation system,ITS)中的一个重要方面,而目标识别是低分辨率雷达领域的一个难点。该文提出一种用多普勒雷达进行车型识别的方法,把车辆建模成包含多个散射中心的目标体,散射中心与雷达的距离与频谱能量有关,因此同一目标的频谱变化反映了该目标长高等轮廓特征。然后将有效的频谱特征结合主成分分析(Principal component and analysis,PCA)和线性判别分析(Linear discriminant analysis,LDA)进行降维,再利用支持向量机(Support vector machine,SVM)等分类器实现分型。文章对不同识别算法交叉验证的实验结果进行比较,表明基于PCA-LDA-SVM的车型识别算法效果理想,有广泛的应用前景。

Wigner-Hough变换在车流量检测雷达信号处理中的应用

在车流量检测雷达中,由于受噪声和干扰的影响,中频信号实际是非平稳的,在频域内很难准确地估计目标参数。本文通过分析目标信号、干扰信号和噪声在Wigner时频平面的分布特性,提出了利用Wigner-Hough变换来估计目标参数的方法;文中同时讨论了Wigner-Hough变换的实现问题。实验结果表明,该方法在车辆目标判断方面具有较好的性能。

基于DSP的微波车流量检测系统设计与实现

根据车流量检测器具有精度高、易于安装和维护、全天候等特点,利用线性调频连续波(FM CW)雷达、中频处理和DSP完成了对道路车流量的高精度检测。提出了整个系统的解决方案、中频处理单元和以DSP为核心的信号处理方案,并对部分关键电路进行了阐述,给出了DSP数字信号处理软件流程。经过试验验证,系统对车流量的检测精度大于95%。

微波车流量检测雷达中数字信号处理机的设计

针对微波车流量检测雷达的要求,设计并实现了基于DSP芯片TMS320VC5502的数字信号处理机,对车流量检测雷达系统接收到的回波信号进行实时采样和分析计算出道路车流量。实验表明:该系统稳定可靠,满足智能交通系统对车流量检测器的要求。

半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法，比较了Ｆｏｒｔｒａｎ与Ｍａｔｌａｂ两种计算，指出利用Ｍａｔｌａｂ可以避免复杂繁琐的编程，而且调整极为方便。