二维层状材料KP_(15)的制备及光电性能研究

二维材料中低对称性的晶体结构能导致面内高各向异性,进而产生高各向异性的光电性能,这些高各向异性二维材料在开发偏振光敏感的光探测器中有很大的潜力。KP_(15)是1种新型的高各向异性二维材料,它在大气环境下结构稳定,成本低廉、无毒无害,并且有着较快的光响应速度和高理论载流子迁移率。本文利用气相输运法制备块体KP_(15)材料,基于剥离后的纳米线成功构建了场效应晶体管,并对其光电性能进行了研究。

高温超导Ag基带的织构研究

通过温轧及退火制备了强立方织构的Ag基带 ,通过冷轧及退火制备了强 {1 1 0 }双轴织构的Ag基带 ,为高温涂层超导提供了很好的基带材料。探讨了Ag基带中立方织构和 {1 1 0 }双轴织构的形成机理。得到立方织构的关键是轧制时尽量使形变过程以滑移为主 ,从而有较高的C取向 ,通过动态再结晶首先出现立方织构晶核。得到{1 1 0 }双轴织构的关键是利用Ag冷轧时黄铜取向易以孪晶方式形变的特点 ,保持B取向的稳定 ;再结晶退火时 ,利用其首先形成退火孪晶的特性 ,随后的扩散长大即以此为核心形成较强的 {1 1 0 }双轴织构。在所制备的强 {1 1 0 }〈1 1 2〉双轴织构的银带上 ,用PLD方法直接沉积的YBCO超导薄膜 ,Jc 值达到 ( 2～ 6)× 1 0 5A/cm2 ( 77K ,0T)。

二维光电器件材料掺杂方法及影响

二维半导体材料如石墨烯、黑磷、过渡族金属硫化物,因其尺寸小、易集成、光电性能优良等优点,是现阶段微型化光电器件的良好沟道材料.但材料存在不利于实际应用的一些缺点,如石墨烯的“零带隙”、黑磷的易降解、过渡族金属硫化物本征迁移率低.加之在器件制作过程中需要调节势垒高度,因此通过掺杂来对二维半导体材料进行调节极为必要.掺杂是通过引入杂质原子,达到调节半导体材料的载流子类型和浓度、带隙、稳定性等目的.对二维光电器件材料的主要掺杂方法、掺杂对材料微观结构和性能产生的影响进行了综述,根据掺杂原子的占位情况分为位于原材料晶格中和表面两大类进行讨论.在两大类中,介绍了多种掺杂方法,包括气相输运法、离子注入法、表面沉积法和化学旋涂法,并讨论了每种方法的优点和局限性.

有关ODF计算方法的某些问题

概述了Bunge系统的取向分布函数（即ODD的计算原理和方法，将Bunge系统和Roe系统进行比较．两种系统的原理基本相同，其主要的区别在于处理对称的方法不一样．

掺杂和复合稀土六硼化物的研究进展

稀土六硼化物(rare earth hexaboride,REB_(6))作为热电子发射阴极材料已经应用于各种电子发射器件中,技术的发展对REB_(6)单晶阴极材料的电子发射和力学性能提出了更高的要求.掺杂稀土元素能改善发射性能,加入过渡族金属二硼化物(transition metal boride,TMB_(2))形成共晶复合材料可以提高力学性能.采用区域熔炼法制备的掺杂REB_(6)单晶和REB_(6)与TMB_(2)定向凝固共晶复合材料都是极具应用前景的大尺寸阴极材料.首先,总结了二元REB_(6)的晶体结构和热发射性能,包括晶体取向和稀土元素对REB_(6)单晶热发射性能的影响.然后,综述了掺杂和复合REB_(6)的研究进展,重点总结了材料的性能,从实验和计算结果出发探讨了影响性能的因素.

银基带及YBCO高温超导薄膜的织构研究

通过温轧及退火制备了强立方织构的Ag基带,并通过冷轧及退火制备了强的{110}双轴织构的Ag基带,为高温涂层超导提供了很好的基带材料.在所制备的强立方织构和强{110}〈112〉双轴织构的银带上,用准分子脉冲激光方法直接沉积了YBCO超导薄膜.{110}<211〉双轴织构的银带较立方织构的银带更利于YBCO薄膜的外延生长,在{110},211〉双轴织构的银带上沉积的YBCO薄膜,临界电流值达到2~6×105A/cm^(2)(77K,0T).

微量La_2O_3对钼的韧化作用

研究了添加La2O3后钼的韧性及其韧化机制。借助于拉伸、弯曲方法测定了Mo La2O3材料的断裂韧性KⅠC和韧脆转变温度(DBTT),并用SEM、TEM、AES等方法对Mo La2O3材料的变形、断裂特征和组织结构进行了分析。研究结果表明:烧结态Mo La2O3材料的KⅠC值达到24.76MPa·m1/2,是纯钼的2.5倍多,而且高于热锻空冷态TiC ZrC Mo钼合金。经1900℃退火的Mo La2O3板,其韧脆转变温度降低至-60℃,较同样状态的纯钼板降低了80℃,故La2O3对钼具有显著的韧化效果。AES结果表明,添加La2O3并不改变C、N、O等致脆杂质在钼晶界上的分布状态。Mo La2O3材料的韧化主要归因于其抗裂纹扩展能力的提高,而这与La2O3粒子改变钼中的位错分布及组态有关。并提出了一种新的韧化机制—硬脆第二相的韧化机制,能很好解释实验结果。

血栓性血小板减少性紫癜的护理

血栓性血小板减少性紫癜（Thrombotic Thrombocytopenic,TTP）是一种少见的微血管血栓-出血综合征。临床主要表现为：发热、血小板减少性紫癜、微血管病性溶血性贫血、中枢神经系统病变和肾脏损害＂五联征＂。本病发病率极低,起病急骤,病情凶险,死亡率高。2007年1月~2011年3月,

掺杂复合稀土氧化物的钼的组织与性能

对掺杂一种（以下简称：单元）或一种以上（以下简称：复合）稀土氧化物的钼粉、坯条及不同温度退火丝材的性能及组织结构进行了系统研究。结果表明：复合稀土同单元稀土一样，都能提高钼丝的再结晶温度，复合稀土钼丝表现出优异的高温退火强度，并具有比同含量的单元稀土钼丝更高的延伸率，具有更好的成型性和加工性。

放电等离子反应液相烧结制备CeB_6阴极与性能研究

以氢直流电弧法制备CeHx纳米粉末,再采用放电等离子(SPS)反应液相烧结纳米CeHx和微米B的混合粉末,制备了高性能CeB6多晶块体热阴极材料.研究了SPS制备CeB6的烧结反应式及反应液相烧结机制,确定SPS烧结CeB6的最佳工艺为:压力50MPa,烧结温度1500℃,保温时间5min.实验结果表明,SPS制备得到了高纯单相CeB6多晶块体,纯度达到99.89%,相对密度达到99.61%,维氏硬度达到2051kg/mm2,抗弯强度达到254.2MPa.样品在1600℃温度下拐点发射电流密度达到20.38A/cm2,功函数为2.42eV.与传统制备法相比,SPS制备显著降低了CeB6的烧结温度,缩短了烧结时间,提高了力学和发射性能.

稀土氧化物对钼材力学性能的影响

研究了稀土氧化物Ｌａ２Ｏ３对烧结态和加工态钼材力学性能的影响．结果表明，Ｌａ２Ｏ３不仅显著提高了烧结态和加工态钼材的强度，而且显著改善了钼的韧性，显示出综合强韧化作用．

超声雾化方法中两步沉积对YBCO薄膜性能的影响

用自行研制的超声雾化装置在{110}<011>织构的Ag基带上直接沉积了YBCO涂层超导薄膜,结果发现一步沉积所得YBCO薄膜的表面有许多白色小颗粒,而且薄膜的织构和临界电流密度都较低,这是在900℃高温沉积过程中大量的Ag蒸发和扩散到YBCO膜层中所致．于是本文提出分高低温两步沉积的实验方案,即700℃先沉积15min,再升温到900℃沉积30min,通过SEM对薄膜表面和EDS能谱对薄膜的断面进行分析可知,两步沉积的YBCO薄膜中Ag的含量大大降低,而且薄膜的织构和临界电流密度得到明显改善和提高,最后通过两步沉积制备了15cm长、临界电流密度高于104A／cm2的YBCO超导薄膜．

高纯多晶LaB_6纳米块体阴极材料的制备及表征

采用放电等离子烧结技术,以氢直流电弧法制备的La-LaH_2纳米粉末为原料,制备了高纯LaB_6多晶纳米块体热阴极材料.系统研究了LaH_2的脱氢反应、SPS合成LaB_6的烧结反应式,并用XRD、SEM、TEM和AFM对LaB_6烧结块体的相与结构进行了表征.实验结果表明,LaH_2在796.4℃时发生脱氢反应;SPS制备得到了单相LaB_6纳米多晶块体,纯度达到99.867%,相对密度达到99.2%,和其他烧结方法相比,样品显微硬度及抗弯强度等性能显著提高.晶体为大小均匀,形态规则完整的等轴晶,50MPa,烧结温度1250～1350℃范围内平均晶粒尺寸为120nm,随烧结温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大.

Mo-La_2O_3板材室温拉伸变形与断裂研究

采用粉末冶金和压力加工方法制备了不同 La_2O_3含量 Mo-La_2O_3板材。Mo-La_2O_3板材和纯钼(PMo)板材经高温热处理后在室温下进行静态拉伸试验。结果表明,La2O3 的添加不仅提高了钼板的强度,而且对钼板的延性具有显著的改善作用,Mo-La_2O_3板材的纵向塑性在 20%以上, 最高达到 46%。采用 SEM 和 TEM 的观察结果对钼板的拉伸行为进行了解释。

放电等离子烧结原位制备LaB_6多晶纳米块体阴极材料

用氢直流电弧法制备La-LaH2纳米粉末,再采用放电等离子烧结技术,在原位、"无氧"条件下成功制备高纯LaB6多晶纳米块体热阴极材料,并系统研究放电等离子烧结温度、压强对材料物相、结构和性能的影响。结果表明,材料中形成单相的LaB6,纯度达到99.867%,平均晶粒尺寸为120nm,LaB6纳米块体相对密度达到99.2%,维氏硬度达到17.4GPa,抗弯强度高达245.6MPa,已达单晶材料的理论抗弯强度值。

Mn_(2-x)Fe_xP_(1-y)Ge_y(x=0.8、0.9,y=0.2、0.24、0.26)磁制冷材料的制备工艺及磁热性能研究

利用机械合金化和放电等离子烧结技术制备了Mn2-x Fex P1-y Gey(x=0.8、0.9,y=0.2、0.24、0.26)磁制冷材料。采用XRD、中子衍射及SEM分析手段,系统研究了该系列材料的成相与球磨时间、烧结温度、烧结压力和保温时间的关系。分析了烧结样品的相结构和显微组织,发现随着烧结温度的升高杂质相逐渐减少,形成了稳定的该系列磁制冷材料的制备工艺。对不同组分Mn2-x Fex P1-y Gey合金的相变过程和磁热性能进行了分析,其中Mn1.2Fe0.8P0.74Ge0.26的居里温度为277.4K接近于室温区间,滞后为3K、熵变为21.5J/(kg·K),是一种较理想的磁制冷工质材料。

Fe_2P型磁致冷材料研究进展

MnFe(P,As,Ge,Si)合金是一类原料丰富、价格低廉、磁热性能优异的磁致冷材料.介绍了MnFe(P,As,Ge,Si)磁致冷材料的晶体结构、磁结构、磁相变、制备工艺及磁热性能优化方法等方面的研究进展.MnFe(P,As,Ge,Si)合金具有六方Fe2P型晶体结构;合金的居里温度在室温区附近随其成分变化连续可调;合金在磁相变过程中呈现巨磁热效应,磁热效应的物理本质是一级磁弹性相变;合金的制备工艺和成分对其综合磁热性能具有较大影响,经成分和工艺优化的MnFe(P,As,Ge,Si)合金是一种极具实用化潜能的新型室温区磁致冷材料.

放电等离子体烧结(SPS)制备多晶La_(0.4)Pr_(0.6)B_6块体及其发射性能研究

采用氢直流电弧法制备了LaH2和PrH2粉末,然后利用放电等离子体烧结(SPS)技术制备了多晶的La0.4Pr0.6B6致密块体.系统分析了烧结温度对样品微观结构及性能的影响,研究结果表明:烧结温度高于1350℃时可形成La0.4Pr0.6B6纯相,且样品致密度随着烧结温度的升高而增加.所制备材料的密度、维氏硬度和抗弯强度的最大值分别达到4.82g/cm3、19.14GPa和225.13MPa;测试了40MPa、1400℃烧结样品的热电子发射性能,当阴极温度为1873K时最大发射电流密度为30.65A/cm2;利用Richardson直线法求出了所测试样品绝对零度时的逸出功φ0为2.165eV,并计算出了样品在不同加热温度时的有效逸出功φeff,其平均值为2.84eV。

放电等离子固相烧结制备高密度LaB_6阴极性能

采用放电等离子烧结(SPS)技术,以碳化硼还原法制备的LaB6粉末为原料,制备了高致密LaB6多晶块体阴极,并系统研究了烧结温度、压力对LaB6烧结样品的物相、结构和性能的影响。确定了SPS烧结LaB6的最佳工艺为:压力50MPa,烧结温度1650℃,保温时间10min。实验结果表明:与其它LaB6多晶制备方法相比,SPS制备得到的LaB6烧结块体的力学及发射性能均有大幅提高,样品相对密度达到96.2%,维氏硬度达到1720kg/mm2,抗弯强度达到203.2MPa。样品在1520℃温度下发射电流密度达到17.41A/cm2,功函数为2.40eV。SPS制备法显著降低了LaB的烧结温度,缩短了烧结时间。