适用于宽带宽的快速锁定电荷泵锁相环设计

文章基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种适用于宽带宽下可快速锁定的电荷泵锁相环(charge pump phase-locked loop,CPPLL)。采用一种自适应快速锁定结构,比较参考信号与反馈信号的频率、相位,通过开启大电流与小电流快速锁定通路,对环路滤波器中的电容进行放电使得压控振荡器的控制电压降至锁定电平附近的方法,最大限度地减小锁定时间。通过SPECTRE仿真验证表明,在1.8 V供电电压下,输出频率为768 MHz时,锁定时间仅需1.5μs,缩短了78%,功耗为3.6 mW。

支持压缩数据传输的MIPI接收端电路设计

随着移动设备摄像模块的像素越来越高,所需传输的数据量也越来越大,导致数据传输时间越来越长。文中提出了一种应用于MIPI CSI-2协议的接收端口电路,在传统的MIPI接口电路支持数据类型的基础上,增加了支持RLE和MJPEG两种压缩格式的数据类型,可有效减少所需传输的数据量,提高传输效率。这两种压缩格式数据可应用于不同的工作场景,采用无损压缩数据传输模式在不影响图像质量的情况下可将传输效率提升95%,而采用有损压缩数据传输模式则可在保证较高图像质量的前提下将提升效率约154倍,与传统MIPI接口相比具有显著优势。

一种基于新型低功耗开关策略的10 bit 120 MS/s SAR ADC

设计了一种10 bit 120 MS/s高速低功耗逐次逼近模数转换器(SAR ADC)。针对功耗占比最大的CDAC模块,基于电容分裂技术并结合C-2C结构,提出了一种输出共模保持不变的双电平高能效开关控制策略;在降低CDAC开关功耗的同时,摆脱了CDAC开关过程中对中间共模电平的依赖,使得该结构适用于低电压工艺。在速度提升方面,控制逻辑使用异步逻辑进行加速;比较器采用一种全动态高速结构,在保证精度的前提下其工作频率达到3 GHz;CDAC中插入冗余位,以降低高位电容对充电时间的要求。所设计的SAR ADC使用40 nm CMOS工艺实现,采用1.1 V低电压供电。在不同工艺角下进行性能仿真,结果显示,在120 MHz采样率下,有效位数为9.86 bit,无杂散动态范围为72 dB,功耗为2.1 mW,优值为18.9 fJ/(conv·step)。

大面积碳纳米管薄膜的低温制备与表征

采用研制的大体积射频等离子体红外加热化学气相沉积设备,在600℃的低温下,在5cm×5cm大的Ni片上生长出碳纳米管薄膜。扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察显示,碳纳米管薄膜具有很好的均匀性,管径大约为70～90nm。随机地对样品的3个不同区域进行了场发射特性的测试,结果表明这种薄膜具有良好的场发射特性及一致性。开启电场约为2.4V/μm,在电场为6.6V/μm时的发射电流密度达到1635μA/cm2。实验结果表明在低温条件下,大面积生长场发射用碳纳米管薄膜是可行的。

单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究

为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。

步进电机的单片机控制系统研制

采用AT89C51单片机对步进电机进行并行控制,实现了硬件和软件相结合的控制方法.给出了用单片机仿真软件Proteus绘制的硬件原理图,并简要介绍了仿真过程及结果.

基于C8051f040的CAN与SMBus协议适配器

设计了一种基于高性能C8051f040单片机的CAN与SMBus协议适配器系统。介绍了C8051f040单片机内部CAN控制器与SMBus协议的特点及适配器的工作原理,并给出了软硬件的设计思想和具体实现方法。实际测试表明:上位机通过该适配器系统与焊机进行数据通信,对数据进行处理,很好地实现了对汽车生产线焊机智能控制的目的。该系统具有抗干扰性好,工作效率高,使用方便等优点。

阿德福韦酯治疗慢性乙型肝炎患者血清HBsAg水平疗效的临床价值

目的探讨阿德福韦酯治疗慢性乙肝患者HBsAg水平疗效的临床价值。方法化学发光法检测40例慢性乙型肝炎患者在阿德福韦酯治疗前和治疗过程中HBsAg水平,聚合酶链反应技术检测HBV DNA及连续监测法检测ALT水平,并分析HBV DNA与HBsAg的相关性。结果 40例乙肝患者治疗前HBV DNA水平为(7.12±0.97)×106IU/mL,HBsAg水平为(1.91±0.37)×103IU/mL;经阿德福韦酯治疗3个月HBsAg已下降,6个月后显著下降(P<0.05),治疗3个月后HBV DNA显著下降(P<0.05);治疗两年后HBsAg和HBV DNA降至较低水平即(0.86±0.77)×103 IU/mL、(3.12±0.72)×102 IU/mL;治疗3个月ALT显著下降,治疗6个月基本恢复正常;治疗两年后其中1例慢性乙型肝炎患者产生耐药,从而导致HBV DNA、HBsAg和ALT水平反弹;同时HB-sAg与HBV DNA之间呈正相关。结论定期检测HBsAg浓度,有助于评估阿德福韦酯治疗乙肝疗效和及时发现耐药。

丙型肝炎患者PTA、CHE、D-D检测的临床意义

目的探讨丙型肝炎患者中凝血酶原活动度(PTA)、胆碱酯酶(CHE)和D-二聚体(D-D)的变化及临床意义。方法将丙型肝炎患者分为急性肝炎组、慢性肝炎组、重症肝炎组、肝硬化组,同时还设有健康对照组;然后对各组进行PTA、CHE和D-D检测。结果急性肝炎组与健康对照组比较:PTA、CHE、D-D3项指标差异均无统计学意义(P>0.05);其他3组与健康对照组比较:PTA、CHE、D-D3项指标差异均有统计学意义(P<0.01),而且PTA和CHE随病情加重逐渐下降,D-D随病情加重逐渐升高。结论检测PTA、CHE和D-D的水平,对有效评估丙型肝炎患者的病情及预后有着重要的临床意义。

《微电子工艺及器件仿真》课程教学方法研究

《微电子工艺及器件仿真》是在创新人才培养质量的背景下,为增强微电子专业本科生的创新精神和实践能力而开设的一门专业课,课程的知识结构、培养目标与行业需求紧密对接。针对课程综合性、系统性和应用性强、学生不易掌握的特点,采用精讲多练的授课模式:在讲授环节,教师对仿真文件中的仿真规则、关键语句、物理模型及需要采用的处理方法进行重点阐述,同时使用案例式教学法,便于学生掌握仿真要领;在练习环节,借助于翻转课堂模式和提供开放实验室,增强学生自主学习能力并训练修正反馈、举一反三等多维能力,取得了很好的效果。

蜜蜂授粉增效剂胶条对甜樱桃坐果率的影响

甜樱桃是虫媒花,也是风媒花,要保证坐果率,需要良好的天气状况与大量的蜜蜂授粉。早春时期易出现低温天气,导致蜜蜂活动减少,影响甜樱桃的坐果。蜜蜂授粉增效剂胶条含有吸引和刺激蜜蜂活动的高浓度芳香化合物,悬挂在果园后,可有效引诱蜜蜂,增强蜜蜂活动强度和访花次数,促进花粉传播和授粉,从而提高坐果率。2017年我们进行了蜜蜂授粉增效剂胶条在甜樱桃园应用试验,从试验结果来看,甜樱桃园放置蜜蜂授粉增效剂胶条后,不同甜樱桃品种坐果率比对照均有所提高。

天水甜樱桃优质丰产栽培技术

天水市位于甘肃省东南部,属温带季风气候,年平均气温7.0~10.9℃。绝对最高气温38.2℃,绝对最低气温-19.5℃,年降水量473.1~606.5mm,年日照1900~2368h,无霜期141~220d。冬无严寒,夏无酷暑,春季升温快,秋多连阴雨,四季分明,气候温和,日照充足,降水适中,适合多种果树生长。天水市果树研究所自上世纪90年代初引进种植甜樱桃以来,不断掌握和改进优质丰产栽培技术,为了推动天水市樱桃产业的发展,2008年建甜樱桃示范园,面积0.67hm^2,种植品种‘红灯’‘美早’‘萨米脱’‘艳阳’‘宾库’‘拉宾斯’‘友谊’,株行距3m×4m,树形采用改良纺锤形。栽后第4年正式投产,666.7m^2产量312kg,第6年665kg,第7年1160kg(进入丰产期)。2018年遭遇严重冻害而绝产。2019年666.7m^2产量1584kg,产值达3.2万元。现将甜樱桃优质丰产栽培技术总结如下。

沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响

碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性。在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响。结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关。当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应。

Ge组分对Si_(1-x)Ge_x HBT反向击穿特性影响的研究

构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型.在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响.结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加晶体管的电流增益,但可导致晶体管的耐压降低,BVcbo、BVceo、BVebo等击穿电压均随x组分的增加而减少.本研究对利用软件实现器件的虚拟制造、以及设计中如何进行合理的组分剪裁从而获取综合性能的优化有一定意义.

大樱桃应用PBO控长促花效果好

大樱桃生长旺,花芽形成难,过去施用多效唑控旺促花虽有一定效果,但对树体危害较大,果实品质也会下降。我们用了江阴果树促控剂研究所生产的PBO,取得了很好的控长促花效果。1）使用方法。为了控梢促花,一般在6月上旬和7月初各喷1次150～200倍液PBO。幼树在5月上中旬（新梢速长期）喷120～150倍液,6月中旬再喷1次。为了提高坐果率,花前7～9天喷1次120倍液PBO。

手外伤伤口感染细菌分布及耐药性分析

目的:了解引起手外伤伤口感染的常见分离菌及耐药情况。方法:采用纸片扩散(KB)法对分离出的病原菌做药敏试验。结果:298株细菌中G-杆菌占62.75%,G+球菌占33.9%,从药敏结果发现:G+球菌中葡萄球菌对青霉素、复方新诺明、氨苄西林、阿奇霉素耐药率高达47.17%-94.44%,而肠球菌耐药率多数超过50%;G-杆菌中铜绿假单胞菌对氨苄西林、头孢曲松、头孢呋辛钠、耐药率>50%,不动杆菌耐药率多数>50%,大肠埃希菌耐药率相对较低。结论:手外伤伤口感染的常见分离菌为铜绿假单胞菌、凝固酶阴性葡萄球菌、洛菲不动杆菌、金黄色葡萄球菌、鲍曼不动杆菌、肠球菌和大肠埃希菌,而且分离出的细菌存在严重耐药。

PCI Express多链路的De-Skew逻辑设计

对于PCI Express(PCIE)多链路通道来说,发送端使用相同的时钟源同时发送数据时,通常会出现相位偏移(skew)的问题.解决链路中的相位偏移问题,能够保证所有链路中的接收端同时接收并正确处理接收到的数据,这在高速多链路串行电路中尤为重要.我们提出了一种De-skew逻辑电路,并说明了如何利用计数器来计算skew的大小、如何利用选择器控制数据是否经过缓存器,以及所组成的逻辑电路是如何消除链路中的skew;该逻辑设计已通过RTL级仿真和FPGA验证,仿真与验证的结果与预期结果完全符合,充分表明该逻辑设计能够完全解决链路的skew现象.与国外解决skew的方案对比表明,所设计的辑电路具有全面性,优越性和实用性.

1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究

分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。

PBO对天水大樱桃控旺促花和增产的效果

大樱桃生长旺，成花难，过去施用多效唑控旺促花，虽有一定效果，但对树体危害较大，果实品质下降。从2002年开始，我们应用了江阴市果树促控剂研究所生产的华叶牌叶面肥PBO，在大樱桃控旺促花、提高坐果率方面取得了很好的效果。现将多年来的应用经验介绍如下，供果农朋友们参考。

具有预启动、防闩锁功能的1.33倍新型电荷泵设计

设计了一种基于外接泵电容的1.33倍新型电荷泵电路.电路采用了预启动和衬底电位选择结构,并利用三相时钟信号方式控制电荷泵的工作状态.采用0.5μmCMOS工艺模型利用Cadence的Specter工具进行了仿真.结果表明:所设计的电路提高了芯片的启动速度,有效防止了闩锁现象的产生;在典型的3.3 V输入电压下,电荷泵效率为93.25%.与传统电荷泵相比优势在于输出电压低,有效地降低了无用功耗.1.33倍电荷泵必将具有广泛地应用前景.