La_(0.5)Ba_(0.5)CoO_3中Y的替代效应

用固相反应法制备了La0 .5-xYxBa0 .5CoO3多晶材料 ,系统研究了Y的替代对材料磁性和输运特性的影响 ,结果发现 ,Y的掺入主要产生了两种效应 ,一是Y向Co的 3d轨道产生了电荷转移 ,使分子磁矩下降 ,二是出现了Co离子的反铁磁交换作用 ,当Y含量少于或等于 0 .3时 ,材料中出现了自旋的非共线结构。当Y含量大于 0 .3时 ,材料从铁磁态为主转变为反铁磁态为主。对不同Y含量的材料 ,其导电机制都属于极化子的变程跳跃导电 ,随Y含量增加 ,材料电阻率迅速增大。

La-Gd-Ca-Mn-O的磁性、电性和磁电阻效应

在La0 67Ca0 33 MnO3 中进行了掺Gd研究 ,结果发现 ,经 140 0℃烧结的样品 ,获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加 ,材料的相变温度逐渐下降 ,对应的峰值电阻率大幅度增加 ,居里温度逐渐下降 ,磁电阻比明显提高。掺入 11%的Gd后 ,可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。

La-Sm-Ca-Mn-O的晶格效应

在La0 .67Ca0 .3 3 MnO3 氧化物中进行了掺Sm研究 ,结果发现 ,随着Sm掺入量的增加 ,材料的金属 绝缘体相变温度逐渐降低 ,对应的峰值电阻急剧增大 ,居里温度逐渐下降 ,材料的磁电阻比迅速增加。

La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3和La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Dy的置换作用

在La0.677 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中用Dy对La进行了置换研究,结果发现,随掺Dy量的增加,两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加。在Ca系样品中,掺入13％的Dy后,在5T的磁场下,最大磁电阻比达到7900％。在Ba系样品中,掺Dy对磁电阻的影响要小得多。掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释,但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系。

La-Gd-Ca-Mn-O的不可逆磁电阻效应

随掺 Ｇｄ量的增加．Ｌａ－Ｇｄ—Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ化合物的金属－绝缘体相变温度逐渐下降，对应的 峰值电阻率大幅度增加，磁电阻比明显提高，掺入 １１％的 Ｇｄ可以使材料的磁电阻比提高一个数量级． Ｇｄ的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应，随掺Ｇｄ量增加。

非晶态CoZr软磁薄膜的磁性

用射频溅射法制备了非晶态CoZr合金薄膜,在0.5Pa的氩气压下,可以得到性能优良的软磁薄膜。研究了非晶态CoZr膜的饱和磁化强度与Zr含量及温度的关系,发现对各种成分的非晶态CoZr膜,在很宽的温度范围内都可满足Bloch T^(3/2)定律。根据刚带模型计算出每个Zr原子向Co的3d能带转移的电荷数约为2.27。

高 B_s 锰锌铁氧体居里温度的确定

分别用振动样品磁强计和低频电桥测量了不同成分的高Ｂｓ锰锌铁氧体的居里温度。结果表明，用振动样品磁强计测量出样品的Ｍｓ～Ｔ曲线得到的居里温度，要高于用电桥测量μｉ～Ｔ曲线得到的居里温度，高出５到１４Ｋ。对实验结果进行了分析讨论。

高 B_s 锰锌铁氧体居里温度的研究

研究了居里温度在２５０℃以上的锰锌铁氧体的居里温度与组分的关系。根据实验结果，总结出了这个组分区内居里温度符合的经验公式。实验中还发现了一种居里温度高的热敏铁氧体。

Dy和Yb部分替代La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3中的La的影响

用Dy和Yb部分替代La0.67Ca0.33MnO3中的La使材料的居里温度单调下降.掺Dy使材料的相变温度单调下降,峰值电阻率迅速增大,磁电阻比急剧增大.掺入13％(原子分数)的Dy可使材料的最大磁电阻比增大近40倍.而掺Yb对磁电阻的影响要小得多.用自旋团簇理论可以解释庞磁电阻的形成.

La_(0.5-x)Ce_xBa_(0.5)CoO_3化合物的磁性和输运特性

在La0 5 Ba0 5 CoO3 中 ,系统研究了Ce对La的替代效应。Ce的掺入首先产生了电荷转移效应。材料高温磁化率测量表明 ,每个Ce原子向Co的 3d壳层转移 2 86个电子 ,结果随Ce掺入量增加 ,材料磁矩成线性下降。另外 ,随Ce含量增加 ,材料居里温度单调下降 ,这是由于稀土离子的尺寸效应。在所研究的温度范围内 ,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电。由于电荷转移效应 ,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大。当La全部被Ce替代后 。

稀释磁性半导体

稀释磁性半导体是指Ⅰ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用。由此引起材料性质发生一系列重要变化。本文系统介绍这类材料的各种物理性质，包括能带结构，ｓｐ—ｄ和ｄ—ｄ交换作用，磁性质和自旋玻璃特性，光学和磁光性质，输运特性等。最后简单介绍这类材料的应用前景。

La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Ag的掺杂效应

在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0～O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强.

纳米Fe-In_2O_3颗粒膜的结构和磁特性

采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜,并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率x(T)温度关系和不同温度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性弛豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,探讨分析了在低温下颗粒膜发生结构变化的原因.

La_(0.5-x)Nd_xBa_(0.5)CoO_3化合物的磁性和输运特性

在La0 .5Ba0 .5CoO3 化合物中用Nd对La进行了替代研究 ,结果表明 ,Nd的掺入未改变Co3d电子的巡游性。随Nd含量增大 ,材料的分子磁矩单调下降 ,当Nd含量大于或等于 0 .45时 ,材料中出现了磁性相分离。当x≤ 0 .45时 ,随Nd含量增加 ,材料的居里温度单调下降 ,这是由于稀土离子的尺寸效应。电阻测量表明 ,在所研究的温度范围内 ,在居里点以下 ,材料属热扩散导电。

La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Bi掺杂产生的低场磁电阻增强效应

将Bi2 O3掺杂到溶胶 凝胶法制备的La0 .6 7Ba0 .33MnO3(LBMO)微粉中 ,结果发现随着Bi的掺杂 ,材料的磁化强度和居里温度基本不变 ,但电阻率发生明显变化 ,在 0～ 10 % (摩尔分数 )的掺杂范围内 ,电阻率先急速上升后缓慢降低。掺Bi可以使低温下的低场磁电阻得到显著增强 ,但并不改变与双交换作用有关的本征磁电阻 ;掺Bi也使室温下的磁电阻得到明显增强。

添加剂对Ag/陶瓷复合触点材料浸润性及电性能的影响

采用固相反应法制备了LaFe0.25Ni0.75O3陶瓷并加入少量添加物作为改性剂,对其与Ag的浸润性,材料的电阻率以及Ag/陶瓷复合电接触材料的电性能分别进行了研究,结果显示,改性剂使陶瓷材料与Ag之间的浸润性发生明显的变化,且作用效果与改性剂的加入方式有关,添加剂的加入使材料的电阻率增大,同时一定程度上改变了陶瓷在银基体中的分布状态,从而对电接触材料的使用性能产生较大的影响。

(La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3)_x/(ZrO_2)_(1-x)复合体系的磁性和传输特性

将用溶胶 凝胶法得到的La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)微粉与ZrO2的颗粒进行复合,制备了(LCMO)x/(ZrO2)1-x渗流复合体系。当LCMO的体积分数为40%时,复合体系达到渗流阈值,此时材料在低温下的磁电阻得到显著增强。77K时在10mT的磁场下,(LCMO)0.4/(ZrO2)0.6的磁电阻比为7.8%,相对于LCMO增加了712%。低场磁电阻(LFMR)的增强是由于载流子在二者界面处发生的自旋相关隧穿效应。由于界面反应,不可避免地产生了Zr离子对Mn离子的B位替代,从而引起材料磁性M和居里温度TC的下降。在x<60%时,TC保持在220K附近基本不变,说明该B位替代是有限的。

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响.样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800kHz的交变电流频率下,得到了236％的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152％/mT.

La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响

在溶胶 凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)/(CuO)x(x=0.01～0.1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现,随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0.01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高,当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8.4%,比未掺杂的LBMO提高了50%。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。

钙钛矿氧化物La_(0.65)(Ca,Ba)_(0.35)Mn_(1-x)Fe_xO_y的磁电阻效应

本工作制备了La065(Ca,Ba)035Mn1-xFexOy(x=0～02)氧化物系列样品。发现在常温附近,含Ba样品的磁阻变化率远比相应含Ca样品的高。在x=0时,样品电阻随温度的变化曲线存在金属—半导体转换峰,随着Fe对Mn的部分替代,该转换峰向低温区移动,当替代量x达到一定程度时,在实验温区观察不到金属—半导体转换峰。磁阻效应在高铁含量时只能在低温观察到。Fe替代Mn对大磁阻效应的影响,可能主要因为:随着Mn3+被Fe3+所替代,样品La065(Ca,Ba)035Mn1-xFexOy中的铁磁相互作用受到抑制,反铁磁相互作用得到加强。