退火温度对纳米TiO_2薄膜结构和亲水性的影响

采用射频磁控溅射方法制备出纳米二氧化钛 (TiO2 )薄膜 ,研究了不同退火温度对薄膜微观结构和超亲水性的影响。结果表明 :退火温度升高 ,晶粒长大 ,孔隙率减小 ;常温制备 30 0℃以下退火的TiO2 薄膜为无定形结构 ,亲水性差 ;4 0 0℃～ 6 5 0℃退火的薄膜为锐钛矿结构 ,表现出超亲水性 ;80 0℃退火薄膜为金红石结构 。

有机发光器件的研究进展及应用前景(综述)

介绍了有机电致发光器件OLED(有机发光二极管 )发展的历程 ,论述了有机电致发光材料及其发光原理和器件结构 ,讨论了该领域的研究热点问题 ,展望了OLED在新世纪的应用前景 .

纳米二氧化钛薄膜的磁控溅射制备和结构特性表征

用磁控溅射方法制备出纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,对制膜的工艺参数进行了详细的测试分析.X射线衍射(XRD)分析表明退火温度提高,TiO2薄膜结晶度增加,800℃下退火2h,TiO2薄膜完全转化为金红石结构,其分子式为Ti8O15,出现氧空位.

ZnqCl_2薄膜与器件的制备及其光电特性

用热蒸发技术成功地制备了新合成的二氯取代的八羟基喹啉锌(ZnqCl2)薄膜,并制作成有机发光器件。紫外吸收谱分析表明,器件在225,290,350,392 5nm处有4个吸收峰。光致发光和电致发光研究表明,ZnqCl2薄膜有良好的发光特性,器件的发光亮度大。并分析了ZnqCl2薄膜的能级结构。

基于八羟基喹啉铝有机发光二极管的研制

以八羟基喹啉铝(Alq3)和芳香二胺(TPD)为有机原材料,用热蒸发方法把它们蒸镀成薄膜并制作成有机发光器件.原子力显微镜观测得到Alq3和TPD薄膜为均匀、规整的不定形结构.研制的有机发光二极管(OLEDs)具有良好的整流特性、发光特性和稳定性,发光亮度随外加电压增加而逐渐增大,发光亮度最高达1813cd/m2.

锰掺杂对PZNT相结构和机电性能的影响

采用二步合成法制备了Pb(Zn1/3Nb2/3)0.20(Zr0.52Ti0.48)0.80O3+xMnO2压电陶瓷,探讨了不同剂量锰掺杂对陶瓷样品的相结构和机电性能的影响。结果表明,在1 200℃下烧结2 h,可得到处在准同型相界附近纯钙钛矿结构的压电陶瓷;随着MnO2掺杂量的增加,试样的压电常数d33和机电耦合系数kp先增大后减小,当掺杂w(MnO2)=0.2%时,d33和kp均达到最大值,分别为250 pC/N和0.52;而介电损耗tanδ持续下降,机械品质因数Qm则持续上升。当掺杂w(MnO2)=0.5%时,tanδ达到最小值,Qm达到最大值,其值分别为0.004 6和1 434。

二氧化锡薄膜的PECVD制备和特性

用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响．透射电镜分析表明随沉积温度升高，二氧化锡薄膜从非晶态转变为多晶态，其电阻率随之减小．

DCM掺杂PVK体系的超快光谱

利用稳态荧光光谱和时间分辨超快光谱研究了DCM掺杂PVK(聚乙烯咔唑)体系的发光特性和能量转移。根据DCM的吸收光谱与PVK的荧光光谱,用F rster理论估算出DCM∶PVK掺杂体系能量转移的临界半径及其效率。在DCM∶PVK掺杂薄膜中,随着掺杂浓度的升高,DCM的发射强度增强,PVK的发射强度减弱,两者相对强度之比与估算结果一致。还利用时间分辨超快光谱研究了DCM∶PVK掺杂薄膜体系的能量转移动力学过程,观察到DCM∶PVK掺杂薄膜的荧光寿命随着掺杂浓度的升高逐渐变短。结果表明,在DCM∶PVK掺杂薄膜中,存在从PVK到DCM较为有效的F rster能量转移。

高电导率聚乙炔的结构特征

本文报导了用改进的Naarmann方法合成新型的独立聚乙炔膜[简记为H-(CH)_x]的详细过程。该膜致密,有很好的空气稳定性,制膜工艺重复性极好。拉伸掺杂后,电导率大干10~4S·cm^(-1)。借助扫描电镜、红外光谱、喇曼光谱和穆斯堡尔谱研究了膜的结构特征,并与其它类型的(CH)_x作了比较。对碘掺杂的H-(CH)_x的电导率进行研究,发现电导率随掺杂浓度分步上升,有新的突变点,分析了突变原因。

聚乙炔/SnO_2异质结的光电流密度

用改进的Ｎａａｒｍａｎｎ法在ｎ型ＳｎＯ２基片上直接聚合成聚乙炔膜，制成ｐ－（ＣＨ）ｘ／ｎ－ＳｎＯ２异质结，用氩离子激光器作光源，测量了光电流密度与入射光强度的关系曲线．在仅考虑聚乙炔吸收光的情况下，从理论上导出聚乙炔基异质结的光电流密度公式。

轻型微机核子秤的设计

轻型微机核子秤是核技术、电子技术和微机技术相结合的产物,是一种新型的非接触式的在线检测控制和计量仪表。本文介绍了它的工作原理和设计方案,并给出了研制结果。

应变计的机械热噪声及噪声抑制

应变式传感器的机械热噪声是由于其应变栅与环境相互作用而产生的随机噪声,它影响传感器的灵敏度和分辨力,并增加测量随机误差,制约着应变式传感器的应用。分析导出应变式传感器机械热噪声的一般形式,并用虚拟仪器技术的软件滤波及归一化处理等方法有效地抑制了噪声,使应变式传感器测试系统的准确度提高了一个数量级,说明虚拟仪器技术的软件滤波及归一化处理是抑制噪声的有效方法。

集成温度传感器AD590的应用

本文介绍一种以C2051单片机为核心,在PC机上显示和调控的智能温度测控仪工作原理及硬软件设计方法。

用PECVDS制备SnO_2薄膜的结构、成份和气敏特性

采用PECVD方法在玻璃基片上制备出适合研制气敏传感器的低电阻率SnO_2薄膜,X-射线衍射分析表明沉积温度由高到低时,SnO_2薄膜从多晶态转变为非晶态,同时薄膜的电阻增加.X光电子能谱显示这种SnO_2薄膜是一种非化学计量配比成份的薄膜,其分子式为SnO_(2-x)(0<X<1),沉积时,氧气流量增加,该薄膜的电阻率就随之增加.掺S_b的SnO_2薄膜对一氧化碳和酒精具有良好的气敏特性.

SnO_2薄膜的形貌及其电特性分析

我们用ＰＥＣＶＤ方法制备出ＳｎＯ_２薄膜，透射电镜ＴＥＭ分析表明沉积温度由高到低时，ＳｎＯ_２膜从多晶态转变为非晶态，并且其电阻率随之增加；沉积时氧气流量增加时，ＳｎＯ_２的电阻率增加。

用镜像法理论研究带电体电场分布

1 泊松方程求解静电场的困难 给定区域V内的电荷分布ρ,给定区域边界S上的电势ф|·或作为区域边界的导体所带的总电荷,由唯一性定理可知,在边界条件下,求解泊松方程△~2ф=-ρ/ε,即可唯一地确定电场。 然而问题并非这样简单,因为电场和电荷是相互作用的统一体。电荷在空间产生电场,电场又作用在电荷上,使电荷发生运动,从而使电荷密度在空间发生变化,因此泊松方程也就复杂了。自由电荷只分布在某些导体的表面,空间中没有其它电荷,选择导体表面作为区域的边界,区域的电荷密度ρ=0,泊松方程变为拉普拉斯方程△~2ф=0,它是容易据边界条件求解的。上述是一种最简单的电荷分布,对于复杂些的电荷分布。

传感器在物业安全管理中的应用

本文介绍了传感器在住宅物业安全管理中的应用的设计思想,并列出了传感器的一般分布。

TiO_2透明薄膜的制备与光诱导超亲水性研究

采用溶胶凝胶法和旋涂工艺在普通玻璃表面制备透明的TiO2薄膜,经500℃退火处理后,TiO2薄膜完全晶化为锐钛矿结构,是由一些大小只有约30nm的TiO2粒子组成的多孔颗粒膜.经紫外光照射后,TiO2具有光诱导超亲水性.

MoO_3作空穴注入层的有机电致发光器件(英文)

研究了三氧化钼(MoO3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器件的电容曲线表明MoO3薄层能有效提高空穴载流子的注入,多数载流子开始注入的拐点大约降低了9V。单空穴载流子电流曲线说明MoO3器件的电流注入是空间电荷受限电流注入机制,MoO3使阳极界面处形成欧姆接触,而对比器件的电流注入是陷阱电荷受限电流注入机制。器件的光伏曲线进一步说明器件性能的提高是由于MoO3层能使阳极界面能级分布发生改变,1nmMoO3厚度下器件的内建电势从对比器件的0.25V提高到了0.8V,有效降低了空穴注入势垒,提高了器件性能,但过厚的MoO3层由于增加了器件的串联内阻,会导致器件性能降低。

ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管

采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。