多晶La_(0.85)Na_(0.17)MnO_z晶界间自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的Ｌａ０．８５Ｎａ０．１７ＭｎＯｚ多晶样品的电磁性质，发现 弱连接的样品和致密连接的样品在居里温度以下的输运性质显著不同，弱连接的样品从居 里温度到 ７７ Ｋ在低场下具有较大的磁电阻，而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零． 结合低温下的电阻率与外磁场的关系，可以得出，晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的 低场磁电阻起着重要作用．

Nd_(0.52)Sr_(0.48)MnO_3多晶陶瓷的磁性和相分离

实验研究了用Pechini方法制备的Nd_(0.52)Sr_(0.48)MnO_3多晶样品的磁性和电子自旋共振特性.在Curie温度以上,Nd_(0.52)Sr_(0.48)MnO_3表现为顺磁性,这时的电子自旋共振积分谱表现为单一的Lorentz峰;在Néel温度和Curie温度之间,电子自旋共振积分谱由两个Gauss峰组成,表明发生了相分离;在Néel温度以下,我们发现在反铁磁母体中仍有大量的铁磁团簇存在.

类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中的导电机制

１９５１年 Ｚｅｎｅｒ提出“双交换作用模型”以解释钙钛矿型锰氧化物中在居里温度处同时发生的铁磁相到顺磁相及金属－半导体转变，近年来，在这类材料中发现了所谓的庞磁电阻效应，对其中的导电机制的研究有了新的进展．本文综述了类钙钛矿结构的稀土锰氧化物中导电机制的研究进展．

La_(0.85)Na_(0.15)MnO_3的结构、磁性质和输运性质

实验研究了由 Pechini方法制备的 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3多晶陶瓷样品的结构、磁性质和输运性质 .发现 L a0 .85Na0 .1 5Mn O3的居里温度正好接近室温 ,在该温度附近 ,伴随铁磁相到顺磁相的转变 ,同时发生金属 -半导体转变 ,且在居里温度附近 ,0 .5 T外磁场下的最大磁电阻可达 14 % .理论与实验对比可知 ,在居里温度以上小极化子非对角跳跃为主要导电机制 .

挠率引力效应和它的背景

两类挠率源被讨论，它们分别是宏观转动和排列自旋．在狄拉克粒子作为直接探测体，挠率自旋效应的测量受到较大背景的强烈限制，它们是磁自旋和转动自旋．增加挠率源等价于增加背景本身．因此，新发现的有挠引力结论是，任何狄拉克粒子实验没有希望给出挠率的直接证据，这排除了很多有希望的挠率测量建议．最近提出的挠率间接证据被评论．

多晶TaN_(1-δ)薄膜的电输运性质研究

利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜,并对其晶体结构和2—350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究.薄膜呈多晶结构,并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大.电输运测量结果表明,TaN1-δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质;随着温度的升高,薄膜在10—30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质;在70 K以上,热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为.我们的结果表明:TaN1-δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数.

分子双轴性与向列型液晶在各向同性相的最低过冷温度

在分子场近似下，研究分子双轴性对向列型液晶在各向同性相最低过冷温度Ｔ的影响．理论结果表明，通过考虑分子双轴性，各向同性相最低过冷温度Ｔ与向列相—各向同性相相变温度Ｔｃ的比值向实验值靠近．当分子双轴性参数δ取到０３时，Ｔ／Ｔｃ达到０９８１７，已很接近０９９的实验值．