中厚板轧制过程中头部弯曲原因及其控制

分析了钢板温度、轧机上下工作辊辊径差及转速差、单道次压下率、轧制线高度等因素对中厚板轧件头部弯曲的影响。同时,根据现场实际生产,从优化单道次压下率、优化咬入长度及咬入速度等方面综合考虑各种影响头部弯曲的因素,提出了轧件头部弯曲控制方法,实际生产中有效控制了中厚板头部弯曲现象,效果明显。

薄规格高强船板轧制工艺的研究

设计了采用厚规格连铸坯生产薄规格船板的工艺技术,并分析了两种不同轧制工艺下生产的薄规格EH40的力学性能和显微组织的差异。结果表明,自开坯工艺会显著影响到钢板的低温冲击韧性和微观组织。不合适的自开坯工艺使钢板混晶严重,并产生较多尺寸较大的异常晶粒,对钢板的低温冲击韧性不利。而采用大压下量、少道次数完成自开坯,会减轻钢板的混晶程度,消除尺寸较大的异常晶粒,显著提升钢板的低温冲击韧性。

数量化回归在林业工作中的应用

数量化回归在林业工作中的应用刘泽田，毕庆雨（河北农业大学基础部，保定０７１０００）关键词数量化回归；反应表；类目；项目中图分类号Ｓ７１１ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＯＦＱＵＡＮＴＩＴＩＶＥＲＥＧＫＥＳＳＩＯＮＩＮＦＯＲＥＳＴＲＹＲＥＳＥＡＲＣＨＬｉｕＺｅｔ...

几个重要不等式的概率证明

利用概率论中的Jensen不等式证明了几个重要的不等式,其证明的关键在于建立适当的概率模型。

FCC提升管两股催化剂混合预提升结构内颗粒混合特性的研究

在催化裂化工业中,将部分温度较低的待生剂与高温再生剂作为两股进料引入提升管可实现增加剂油比、提高目标产品收率的目标。今在一套大型冷模实验装置上,采用热颗粒示踪技术考察了一种能够实现冷、热两股催化剂混合的FCC提升管预提升结构内冷、热颗粒的混合特性;采用混合指数来量化冷、热颗粒在预提升段内的混合行为;并分析了操作条件对冷、热颗粒混合的影响。研究结果表明,在预提升底部,温度分布明显不均,混合指数偏小,随着提升管预提升轴向高度的提高,温度分布逐渐趋于均匀,混合指数也变大,说明冷热颗粒混合得越好;而中心管表观气速较低时,混合指数相对较大,冷、热颗粒混合较好;当冷颗粒与热颗粒循环强度比例接近3:2时,冷、热颗粒混合较为理想。

中厚板轧制过程中头部弯曲原因及其控制

详细分析了板坯温度、轧机上下工作辊直径差及转速差、单道次压下率等因素对中厚板轧件头部弯曲的影响。同时综合考虑现场实际生产时的各种影响头部弯曲的因素,从优化单道次压下率、优化咬入长度及其咬入速度等方面提出了轧件头部弯曲控制方法,实际生产中有效地控制了中厚板头部弯曲现象,效果明显。

HL-1M装置电子密度测量及密度峰化分布研究

描述了为ＨＬ－１Ｍ装置建造的远红外（ＦＩＲ）激光干涉仪系统，以及用该系统进行的等离子体电子密度分布测量。密度数据的采集与处理采用了计算机Ｗｉｎｄｏｗｓ界面，提高了采集效率和速度。此外，讨论了注入低混杂波、多发弹丸或超声分子束后，在欧姆放电等离子体中出现的密度峰化分布及相应约束改善现象。

内壁反射式远红外激光干涉仪的设计和应用

介绍用于HL-2A偏滤器托卡马克装置的远红外(FIR)激光干涉仪及其在等离子体电子密度测量中的应用.一种新的软件比较相位技术被用来计算相移.自恰式光路设计方法用于内壁挂镜光路的设计.防污染装置延长了真空室中反射镜的使用寿命.电子密度测量结果表明偏滤器位形的等离子体放电减小了等离子体与第一壁的相互作用,等离子体密度比孔栏放电位形的略为偏低.

HL-2A装置微波反射仪的研制

在HL-2A装置上研制了用于测量等离子体密度分布的两套幅度调制微波反射仪。微波反射仪采用时间延迟法。这两套微波反射仪有不同的频率范围(26.5～40GHz和40～60GHz),它们所对应的密度测量范围是(0.84～1.98)×1019m-3和(1.98～4.47)×1019m-3。时间分辨率可达1ms,空间分辨率约为5mm。

LHCD期间HL-1M等离子体密度的锯齿现象

利用ＨＣＮ激光多道干涉仪，首次在ＨＬ－１Ｍ装置上在低混杂电流驱动（ＬＨＣＤ）期间观测到密度锯齿现象。分析表明，密度锯齿不是通常的ｑ＝１锯齿。

用可见光谱测量HL-1M等离子体的旋转速度

用ＳＫＤ高分辨光谱仪测量系统测量了ＣⅢ、ＣⅡ、ＯⅡ及Ｈα等谱线辐射的多普勒位移，给出了ＨＬ－１Ｍ托卡马克等离子体旋转速度。结果表明：环向旋转速度ｖφ可到２２ｋｍ·ｓ－１；角向旋转速度ｖθ在等离子体内部与电子逆磁漂移方向同向，在ｒ＝２２ｃｍ附近转变为离子逆磁漂移方向，存在极大值９．６ｋｍｓ－１；氢弹丸注入时角向旋转反向；在接近孔栏处又变为电子逆磁漂移方向。激光吹气注入杂质时，ｖθ减小。低杂波注入约束改善时，Ｈα辐射减小，ｖθ增加。

HL-2A装置利用调制送气的电子热输运研究

利用调制送气过程中观察到的冷脉冲传播,研究了在HL-2A装置欧姆放电条件下的电子热输运。从扰动输运方程出发,分析了电子热输运过程,利用在实验中获得的数据,进行了曲线拟合和数值计算,得到了在HL-2A装置欧姆放电条件下强场侧电子热输运系数的分布特征为χ=15-14(1-r2)2m2.s-1。

一个强极限定理的分析方法证明

假设Ｘｎ（ｎ≥１）是在可数集Ｅｎ中取值的随机变量，｛｜Ｘ｜，ｎ≥１｝被一个随机变量｜Ｙ｜所控制。设｛ｂｎ，ｎ≥１｝（ｂｎ≥１）是满足以及的常数序列。本文将利用分析方法给出一个关于Ｘｎ（ｎ≥１）的强极限定理。

回火温度对60mm厚Q690D钢组织和性能的影响

研究了回火温度对经一定温度淬火后60mm 厚Q 690D钢组织和力学性能的影响.结果表明：9 3 0 ℃淬火,500 - 6 6 0℃回火后,60 mm厚Q 690D 的淬火组织为回火索氏体,强度逐渐降低,出现了第二类回火脆性,当回火温度为640℃时强韧性配合最好,此时Rp0.2=791 MPa, Rm =845 MPa, A = 18 . 0 % ,KV2（ - 2 0 ℃）= 1 5 4 J,KV2（ - 4 0 ℃） =126 J.

HL-1M装置多脉冲钕玻璃激光汤姆逊散射系统

描述了钕玻璃激光汤姆逊散射系统在HL 1M装置上的光路总体布局与调试 ,及HL 1M装置上电子温度的测量。散射光源为带有一级放大并可产生 1或 8个激光脉冲的钕玻璃激光器 ,用非线性KDP晶体倍频后 ,能够产生波长为 5 30nm、输出功率约为 10 0MW的脉冲。采用大孔径接收光路和D f =1 2 .8光栅光电谱仪 ,能够实现对等离子体五个空间点电子温度的测量。线色散约为 4 2nm·mm- 1 ,温度的测量范围为 10 0eV～ 2keV。

HL-2A装置电子密度多道干涉测量实验系统

电子密度是核聚变等离子体研究中的一个主要物理参数,为获取电子密度时空分布的准确信息,结合HL-2A装置结构特点设计并建立了八道FIR激光干涉仪测量系统。在长光路的布局中采用了介质波导传输,研制了长谐振腔高功率HCN波导激光器。另外为减少干扰影响在差拍信号数据采集电子学中采用了数字锁相滤波FPGA技术,并用软件和硬件两种相位比较方法监测电子密度,实现了密度随时间变化的实时显示。在等离子体放电中干涉仪系统测量精度可达1/33条纹,相应密度约为1.3×1011cm-3,时间分辨为0.1ms。

HL-1M 装置的密度极限研究

描述了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆加热状态下的密度极限，该密度极限是放电破裂前的最高密度值。通过比较氘、氢放电，硅化前后的放电，超声分子束注入、冰弹丸注入和脉冲送气放电，发现ＨＬ－１Ｍ装置的壁条件、加料方式以及氢同位素对ＨＬ－１Ｍ 装置的密度极限影响很大。产生密度极限破裂的原因主要是等离子体约束变差。

可列非齐次马氏链的几个极限性质

本文的主要目的是利用区间剖分法研究可列非齐次马尔可夫链的极限性质，得到了关于m元序组出现频率的几个极限定理，给出了在a.e.收敛的意义下非齐次马氏链转移概率的一种频率解释。

HL-2A装置上的快扫Q波段微波反射系统研制

介绍了在HL-2A装置上发展的一套快速扫频的Q波段外差微波反射系统，用于高时空分辨测量等离子体边缘到约束区的电子密度分布。该系统采用外差式连续波扫频调制技术（VCO），由外部任意波电压控制，工作频率为33～50GHz，全波段扫频周期达到6μs。在台面标定中发展了 VCO 源的动态标定技术，并解决了微波源及器件的非线性响应、波导的色散特性等因素造成差频频率动态范围过大的问题，使反射面固定时系统输出的差频为定频信号，有利于降低噪声干扰和数据处理。同时发展了直接相位处理技术，实现快速的电子密度分布反演。实验中用该微波反射系统测得了L模、H模等不同等离子体放电条件下的电子密度分布，观测ELM爆发前后台基区的形成与垮塌过程。