GaAs PHEMT器件的退化特性及可靠性表征方法

测量了应力前后 Ga As PHEMT器件电特性的退化 ,指出了 Ga As PHEMT阈值电压的退化由两个原因引起 .栅极下 Al Ga As层深能级的空穴积累可以解释阈值电压漂移中暂时性的、可恢复的那部分 ,积累在栅金属与半导体之间界面层的空穴可以解释阈值电压漂移中永久性的漂移 .空穴积累来源于场助作用下电子的退陷和沟道中碰撞电离产生的空穴向栅极流动时被俘获 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,可以对 Ga As

徐州市北郊农业土壤重金属污染评价

研究评价徐州市北郊农业土壤重金属污染状况结果表明,该区农业土壤中Cu、Cd、Pb、Zn和Cr 5种重金属平均含量均高于土壤背景值,其农业土壤Cd、Cr为重污染,土壤Zn为污染警戒级(尚清洁水平),其他2种元素为安全级(清洁水平),其综合污染指数为Cr>Cd>Zn>Cu>Pb。

快速图像匹配相关系数算法及实现

最大归一互相关图像匹配算法是图像匹配中的常用算法,其关键是解算活动图与基准图间的相关系数。针对相关系数计算量大的特点,分析了FFT的基与FFT处理速度之间的关系以及基16FFT算法特点,提出用基16FFT算法计算相关系数,相关系数的处理时间大幅减小;同时针对高基蝶形单元设计复杂、使用不灵活等特点,提出采用级连思想实现主基16蝶形单元,使处理器的设计复杂度降低。实验证明,将主基16FFT处理器用于相关系数的计算中,使最大归一互相关图像匹配处理速度达到国际领先水平。

可变长FFT并行旋转因子高效产生算法及实现

为了解决FFT处理并行旋转因子产生复杂、所需存储资源多的问题,该文在分体存储器结构的基础上,提出了一种新的旋转因子存储、访问策略.该策略保证混合基4/2 FFT算法每个蝶式运算所需的3个旋转因子均可无冲突并行访问,且在同一个旋转因子查找表的基础上,使计算任意小于最大可处理长度的FFT时,各级访问旋转因子地址的产生仅与最大可处理长度有关,而与当前处理长度无关.该算法仅用一个可移位累加数寄存器,实现计算过程中旋转因子地址产生的级间切换,且使一个存储体容量及访问次数减少了一半以上.

薄栅氧化层击穿特性的实验研究

在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性，研究了ＴＤＤＢ的击穿机理，讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响．对相关击穿电荷ＱＢＤ进行了实验测试和分析，研究结果表明：相关击穿电荷ＱＢＤ除了与氧化层质量有关外，还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关．得出了ＱＢＤ的解析表达式。

不同pH值缓冲液对玉米叶片蒸腾速率和相对含水量的影响

利用磷酸缓冲液和人造缓冲液(artificialsolution,AS)研究了玉米去根地上部分和离体叶片的蒸腾速率。结果表明,不同pH处理能够显著影响蒸腾速率,同一缓冲液不同pH值下的蒸腾速率差异较大;不同缓冲液影响下的蒸腾速率更是不同。不同pH值AS缓冲液对玉米离体叶片的相对含水量(RWC)有不同影响,pH7.5时的RWC较低。

深亚微米MOS器件的热载流子效应

对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影响晶体管热载流子效应的因素有 :晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置 .通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化 .

0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.

徐州市北郊土壤重金属污染演化特征研究

对1991年和2003年徐州市北郊工业区土壤中重金属的含量作了对比分析,探讨了该区土壤重金属污染的演化特征。结果表明,12年来,该区土壤中重金属含量的水平分布,除了Cu污染有所减轻外,Cd、Pb、Zn、Cr污染都有不同程度加重,顺序是Cd>Pb>Zn>Cr,而且Cd普遍超标;垂直分布上逐渐递减的规律已受到扰动,个别元素有淋溶沉积现象。

薄栅氧化层相关击穿电荷

栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系 .利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量 ,对相关击穿电荷进行了测试和研究 .结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡 .提出薄栅氧化层的击穿是在注入的热电子和空穴的共同作用下发生的新观点 .建立了 Si O2

LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .

沟道热载流子导致的SOI NMOSFET's的退化特性

研究了沟道热载流子效应引起的 SOI NMOSFET's的退化 .在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )条件下 ,器件退化表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,由于寄生双极晶体管 (PBT)效应的影响 ,多特性的退化规律便会表现出来 ,漏电压的升高、应力时间的延续都会导致器件退化特性的改变 .对不同应力条件下的退化特性进行了详细的理论分析 ,对 SOI NMOSFET'S器件退化机理提出了新见解 .

流水并行1-D FFT地址映射算法

讨论了2个流水蝶形单元并行的地址映射算法.由于FFT级间数据读写关系复杂,实现每次并行执行2个蝶式运算的地址产生非常复杂.通过对基2数据流图的改造,将存储器分为2个存储体,各级每个蝶式运算的1对操作数位于同一存储体,并行执行的2对操作数位于不同存储体相同地址,计算结果按原址写回,同时每次计算所需的2个旋转因子地址间存在一定关系,因而可用1个地址产生单元,实现2条流水线并行所需的操作数及旋转因子的并行访问.本地址产生单元易于实现,资源需求少、延时较小,且可使蝶式计算循环次数减少一半.

针对新型HfO_2栅介质改进的四元件电路模型

针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的C-V曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.

早期护理干预对腰椎间盘突出症术后神经根粘连的预防作用

目的探讨早期护理干预对腰椎间盘突出症术后神经根粘连的预防作用。方法统计分析2012年3月至2014年3月西安医学院第二附属医院收治的78例腰椎间盘突出症患者的临床资料。结果术后2周,3、6、12个月研究组患者日本骨科学会评分均显著高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);研究组患者康复优良率89.7%(35/39)显著高于对照组66.7%(26/39),差异有统计学意义(P<0.05);研究组残留腰痛、腿痛发生率5.1%(2/39)、7.7%(3/39)均显著低于对照组的15.4%(6/39)、12.8%(5/39),差异有统计学意义(P<0.05);术后研究组患者抑郁自评量表评分显著低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);术后6个月研究组患者直腿抬高试验阳性率7.7%(3/39)显著低于对照组43.6%(17/39),差异有统计学意义(P<0.05)。结论早期护理干预能够有效预防腰椎间盘突出症术后神经根粘连,促进患者早日康复。

现行农民教育培训体系存在的问题与对策

社会主义新农村建设需要一大批有文化、懂技术、善经营的新型农民,农民教育是建设社会主义新农村的智力支持和保证。通过分析农民素质的现状以及现行农民教育培训体系存在的问题,提出改善农民职业教育培训体系,全方位培育和造就新型农民的思路和对策。

薄栅介质TDDB效应

在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性 ,研究了 TDDB(Tim e Dependent DielectricBreakdown)的可靠性表征方法 .对相关击穿电荷量 QBD进行了实验测试和分析 .结果表明 :相关击穿电荷量 QBD除了与氧化层质量有关外 ,还与应力电压和应力电流密度以及栅氧化层面积有关 .对相关系数进行了拟合 ,给出了 QBD的解析表达式 .按照上述表达式外推的结果和实验值取得了很好的一致 .提出了薄栅介质

深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制

研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negative bias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制.器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制.高温条件下,器件受到HCI和NBTI效应的共同作用,二者的混合效应表现为NBTI不断增强的HCI效应.在HCI条件下器件的阈值电压漂移依赖沟道长度,而NBTI效应中器件的阈值电压漂移与沟道长度无关,给出了分解HCI和NBTI耦合效应的方法.

薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取

采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 .该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,测量恒流应力下 MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频 C- V曲线变化求解陷阱密度 .从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数 .在此基础上 ,可以对器件的累积失效率进行精确的评估 .

热生长超薄栅氧化层的空穴击穿机理与碰撞电离模型

分析了超薄栅氧化层击穿的碰撞电离模型，并对空穴击穿机理进行了详细描述，为超薄栅氧化层的击穿机理的深入研究及超薄栅氧化层击穿模型的建立奠定了基础．